8주차-실험7 예비 - MOSFET 기본특성1- 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스

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역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정하는 것을 목표로 한다.
이들 캐패시턴스의 용량은 매우 작아 (대략 pF크기) 실험자는 breadboard와 스코프 프로브의 기생 캐패시턴스 효과를 경험하게 된다. 본 실험으 마치면 다음을 이해하게 된다.
- 역전압이 인가된 PN 접합은 캐패시턴스 특성을 나타낸다.
- MOSFET의 게이트에서 소자를 바라보면 캐패시턴스 성분으로 인식되고 이로부터 단위면적당 게이트 캐패시턴스와 게이트 산화막의 두께를 추출하게 된다.
- 시뮬레이션을 통해 게이트 산화막의 두께를 추출할 수 있다.

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