"4H-SiC"의 검색결과 입니다.

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+[시장분석]실리콘 음극재 시장등록일 2023.03.10 | 총 2,850자 | 3페이지 | 1,000원

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"4H-SiC" 검색결과 1-20 / 331건

탄소나노튜브를 첨가한 4H-SiC MOS 캐패시터의 전기적 특성 (Electrical Characteristics of Carbon Nanotube Embedded 4H-SiC MOS Capacitors)

탄소 나노튜브가 첨가된 MOS 캐패시터와 첨가되지 않은 소자들을 제작하여 이들의 전기적인 특성을 측정하였다. 샘플은 n-형 4H-SiC 웨이퍼를 사용하였다. 정전용량-전압 (C ... investigated in order to analyze the mechanism of CNT in MOS device structures. Wefabricated 4H-SiC MOS ... -V) 측정으로부터 샘플들의 계면 포획 전하 밀도 (near-interface trap charge density, Nit)와 산화막 포획 전하 밀도 (oxide trap c

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.16 | 수정일 2025.07.20

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3.3kV 항복 전압을 갖는 4H-SiC Curvature VDMOSFET 4H-SiC Curvature VDMOSFET with 3.3kV Breakdown Voltage (4H-SiC Curvature VDMOSFET with 3.3kV Breakdown Voltage)

한국전기전자학회 김태홍, 정충부, 고진영, 김광수

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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재생 분말을 활용한 4H-SiC 벌크 단결정 성장 (4H-SiC bulk single crystal growth using recycled powder)

한국결정성장학회 여임규, 이재윤, 전명철

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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고순도 SiC 미분말을 적용한 4H-SiC 단결정 성장에 관한 연구 (Study on the growth of 4H-SiC single crystal with high purity SiC fine powder)

한국결정성장학회 신동근, 김병숙, 손해록, 김무성

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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이중 필드플레이트 기술을 이용한 4H-SiC 쇼트키 장벽 다이오드 (4H-SiC Schottky Barrier Diode Using Double-Field-Plate Technique)

(SiC) has received significant attention over the past decade because of its high-voltage, high ... -frequency and high-thermal reliability in devices compared to silicon. Especially, a SiC Schottky barrier ... paper proposes an improvement in the breakdown voltage using a double-field-plate structure in SiC

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.13 | 수정일 2025.07.20

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원자힘 현미경을 이용한 이온 주입된 4H-SiC 상의 국소 산화 특성 (Local Oxidation Characteristics on Implanted 4H-SiC by Atomic Force Microscopy)

한국전기전자재료학회 이정호, 구상모, 안정준

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.18 | 수정일 2025.03.28

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Trench Shield 구조를 갖는 3.3kV급저저항 4H-SiC DMOSFET (Low Resistance 3.3kV 4H-SiC Trench Shielded DMOSFET)

한국전기전자학회 차규현, 김광수

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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중성자 조사한 4H-SiC MOSFET의 열처리에 의한 전기적 특성 변화 (The Electrical Properties of Post-Annealing in Neutron-Irradiated 4H-SiC MOSFETs)

characteristicsof neutron-irradiated 4H-SiC MOSFETs. Thermal annealing can recover the on/off c ... haracteristics of neutron-irradiated4H-SiC MOSFETs. After thermal annealing, the interface-trap density ... electrical characteristicsof neutron-irradiated 4H-SiC MOSFETs. Thermal annealing can recover the on/off c

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16

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Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터의 전기적 특성 (Electrical characteristics of 4H-SiC MIS Capacitors With Ni/CNT/SiO2 Structure)

본 연구에서는, Ni/CNT/SiO2 구조의 4H-SiC MIS 캐패시터를 제작하고 전기적 특성을 조사하였다. 이를 통하여 4H-SiC MIS 소자에서 탄소나노튜브의 역할을 분석 ... 과 SiO2 계면에 탄소나노튜브를 첨가함에 따라 4H-SiC MIS 캐패시터의 게이트 특성을 조절 가능할 것으로 판단된다. In this study, the electrical c ... bon nanotubes in 4H-SiC MIS device structures. We fabricated 4H-SiC MIS capacitors with or without car

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.16 | 수정일 2025.07.20

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4H-SiC 쇼트키 다이오드의 해석적 항복전압과 온-저항 모델 (Analytical Models for Breakdown Voltage and Specific On-Resistance of 4H-SiC Schottky Diodes)

4H-SiC의 전자와 정공의 이온화계수 와 로부터 유효이온화계수 를 추출함으로써 4H-SiC 쇼트키 다이오드의 항복전압과 온-저항을 위한 해석적 모델을 유도하였다. 해석적 모델 ... for electron and hole in 4H-SiC. The breakdown voltages extracted from our analytical model are c ... for breakdown voltage and specific on-resistance of 4H-silicon carbide Schottky diodes have been

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.13 | 수정일 2025.06.17

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Ni/AlN/4H-SiC 구조로 제작된 소자의 후열처리 효과 (The Effect of Post-deposition Annealing on the Properties of Ni/AlN/4H-SiC Structures)

한국전기전자학회 민성지, 구상모

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.21 | 수정일 2025.05.13

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일산화질소 후속 열처리 시간에 의한 4H-SiC MOSFETs 소자의 전기적 특성 개선 (Improvement of Electrical Properties in 4H-SiC MOSFETs by Nitric Oxide Post-Oxidation Annealing)

4H-Silicon carbide (4H-SiC) is a promising material for power and harsh environment devices owing ... thermal conductivity. However, despite the advantages of 4H-SiC, its channel mobility is reduced due ... the SiO2/4H-SiC interface. According to recent research, the effect of high-temperature (1,250~1

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16

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환원된 그래핀 산화물을 보호 층으로 적용한 4H-SiC 표면 거칠기 향상 연구 (Improvement of 4H-SiC surface morphology using r-GO as a capping layer)

본 연구에서는 이온주입 된 4H-탄화규소(SiC) 에피 층 위에 환원된 그래핀 산화물 (r-GO)을 보호 층으로 적용하여 고온열처리 공정 중 발생하는 표면 거칠기 악화를 개선 ... 하였다. 실험에 사용 된 4H-SiC 에피 층은 4° off-axis n-형 4H-SiC 기판위에 10 μm 두께로 성장되었다. n+-형 4H-SiC 층을 제공하기 위해 1.73 ... × 1015 cm-2 농도의 질소를 고온·고에너지 이온주입공정으로 주입하였고, 보호 층으로 사용한 r-GO는 스프레이 코팅 방식으로 4H-SiC 층 위에 형성하였다. r-GO를 보호

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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900 V급 SiO2/4H-SiC MOSFET의 음 게이트 전압 스트레스로 인한 열화 (Degradation of 900 V SiO2/4H-SiC MOSFETs Due to Negative Gate Voltage Stress)

SiO2/4H-SiC metal-oxide field-effect transistors (MOSFETs) have been attractive for next-generation ... power devices. We focused on negative bias temperature instability (NBTI) for the 900 V SiO2/4H-SiC ... the change in gate leakage current, which did not change significantly. SiO2/4H-SiC metal-oxide field

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.20 | 수정일 2025.06.27

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4H-SiC기판 위의 자기구조화된 Ag/Ti 나노입자 제어를 위한 열처리 분석 (Annealing Effect on controlling Self-Organized Ag/Ti Nanoparticles on 4H-SiC Substrate)

controlling self-organized nanoparticles (NPs) on 4H-SiC substrate. In addition, Glass and Si substrate ... formation of network-like NPs was observed on Glass and 4H-SiC, respectively, whereas it was not the case ... for controlling self-organized nanoparticles (NPs) on 4H-SiC substrate. In addition, Glass and Si s

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.18 | 수정일 2025.06.26

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4H-SiC 기판 위에 RF Sputter로 증착된 NiO 박막의 후열처리 효과 (Post-annealing Effect of NiO Thin Film Grown by RF Sputtering System on 4H-SiC Substrate)

p-type conductivity, a wide-band energy gap of 3.4~4.0 eV, and excellent chemical stability, making ... Nickel oxide is a nonstoichiometric transparent conductive oxide with p-type conductivity, a wide ... -band energy gap of 3.4~4.0 eV, and excellent chemical stability, making it a very important candidate

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16

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낮은 순방향 전압 강하를 갖는 4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR) (4H-SiC Trench-type Accumulation Super Barrier Rectifier(TASBR) for Low Forward Voltage drop)

한국전기전자학회 배동우, 김광수

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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혼합 소스 HVPE 방법에 의한 4H-SiC 기판 위의 육각형 Si 에피층 성장 (Growth of hexagonal Si epilayer on 4H-SiC substrate by mixed-source HVPE method)

4H-SiC 기판 위의 Si 성장은 전력 반도체, 바이폴라 접합 트랜지스터 및 광전자 공학에서 매우 유용한 재료로서 광범위한 응용 분야를 가지고 있다. 그러나 Si와 4H-SiC ... 사이에 약 20%의 격자 불일치로 인해 4H-SiC에서 매우 양질의 결정 Si를 성장시키는 것은 상당히 어렵다. 본 논문에서는 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법을 이용 ... 하여 4H-SiC 기판에서 성장한 Al 관련 나노 구조체 클러스터에 의한 육각형 Si 에피층의 성장을 보고한다. 4H-SiC 기판 위에 육각형 Si 에피층을 성장시키기 위해 먼저 Al

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.18 | 수정일 2025.06.26

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Al 이온 주입된 p-type 4H-SiC에 형성된 Ni/Al 오믹접촉의 전기 전도 특성 (Conduction Properties of Ni/Al Ohmic Contacts to Al-implanted p-type 4H-SiC)

한국전기전자재료학회 주성재, 송재열, 강인호, 방욱, 김상철, 김남균, 이용재

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.05 | 수정일 2025.05.16

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4H-SiC와 산화막 계면에 대한 혼합된 일산화질소 가스를 이용한 산화 후속 열처리 효과 (Effect of High-Temperature Post-Oxidation Annealing in Diluted Nitric Oxide Gas on the SiO2/4H-SiC Interface)

한국전기전자재료학회 김인규, 문정현

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.27 | 수정일 2025.05.14

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