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"3D V-NAND" 검색결과 1-20 / 480건

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    [A+결과보고서] 실습 7. 논리함수와 게이트
    와 resistance로 인한 것으로 추측할 수 있다.(D) 에서는 74HC00 칩의 Vcc 전압을 5V 에서 0V로 변화시키며 NAND 게이트가 정상적으로 동작하는 최소 Vcc ... 한 논리게이트 구현 및 분석(A) Low(0) 값, High(1) 값, Vcc를 각각 0V, 5V, 5V로 설정한다. AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR ... ) NAND 게이트만 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성한다. NAND, NOT 게이트를 사용하여 3입력 NAND 게이트의 등가회로를 구성한다.그림 1. AND 게이트
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2025.01.31
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    중앙대학교 일반대학원 차세대반도체학과 학업계획서
    /b 연속 속도 CDR을 위한 설계 기법 연구, 3D V-NAND 플래시 메모리의 GIDL 지원 삭제 최적화를 위한 프로세스 인식 컴팩트 모델 연구 등을 하고 싶습니다. ... 연구, 3D-NAND 메모리 제조를 위한 30쌍의 산화물-질화물 유전체 스택 증착의 현장 공정 모니터링 데이터 연구, 빔 스위칭을 이용한 24 GHz 장거리 탐지용 레이다 송신기 ... 를 위한 최적화된 칼코게나이드 매체 연구, 방열 어닐링 공정 중 ZnCl2 및 InCl3 증기 형성을 통한 In-doped ZnO 나노시트의 형태 변화 및 UV 광응답 특성 향상
    자기소개서 | 1페이지 | 3,800원 | 등록일 2024.03.11
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    [A+] 중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 7차 예비보고서
    에서 0V 로 천천히 감소시키며 출력이 0V에서 5V 로 변화하게 되는 입력 전압을 확인한다. 이때의 입력 전압이 NAND 게이트의 최소 정격 전압이 된다.3. 2×4 디코더의 설계 ... 은 과정을 반복하여 tP 를 구할 수 있다.2. NAND 게이트 설계 및 특성 분석(A) VCC를 5V (논리값 1)에서 0V (논리값 0)로 단계적으로 변화시켜서 NAND 게이트 ... 가 동작하는 최소 정격 전압을 구하는 설계 방법을 생각하고, 그 단계적 방법을 구체적으로 서술한다.NAND 게이트는 진리표에 따르면 두 입력 A, B에 대해 입력 A가 HIGH(5V
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.02.17
  • A+ 중앙대 아날로그및디지털회로설계실습(결과)7. 논리함수와 게이트
    하고, 정확히 동작하는 지를 확인한다.0 0 : d0 만 켜짐0 1 : d1만 켜짐1 0 : d2 만 켜짐1 1 : d3 만 켜짐7-5. 검토사항결과보고서는 반드시 교재 앞부분의 결과보고서 ... 하여 NAND, NOR, XOR, XNOR 게이트를 구현하고 기능을 확인하였고, 각각의 진리표와 동일한 결과를 얻을 수 있었다. NAND 게이트만 사용하여 AND, OR, NOT, nand3 ... 다.2. 실험결과7-4. 설계실습 내용 및 분석7-4-1 설계한 논리게이트 구현 및 동작(A) Low(0) 값, High(1) 값, Vcc를 각각 0V, 5V, 5V로 설정
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.10
  • 7. 논리함수와 게이트 결과보고서 [2021년도 아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 A+ 자료]
    을 어떻게 해줬느냐에 따라 다를 것이다.(D) 74HC00칩의 NAND 게이트 하나를 선택하고 직류전원장치를 Vcc를 단계적으로 5V (논리값 1)에서 0V (논리값 0)로 변화 ... 게이트 구현 및 동작(A) Low(0) 값, High(1) 값, Vcc를 각각 0V, 5V, 5V로 설정한다. AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR ... 의 등가회로를 구성한다. NAND, NOT 게이트를 사용하여 3입력 NAND 게이트의 등가회로를 구성한다.강의영상에서 설명은 하였지만, 따로 실물로 구현하지 않아 사진을 첨부하지
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.09.07
  • 7. 논리함수와 게이트 예비보고서 - [아날로그및디지털회로설계실습 A+ 인증]
    적으로 이해한다.3. 실습 준비실습 준비물부품스위치AND gate 74HC08OR gate 74HC32Inverter 74HC04NAND gate 74HC00NOR gate 74HC02 ... 설계 및 특성 분석(A) VCC를 5V (논리값 1)에서 0V (논리값 0)로 단계적으로 변화시켜서 NAND 게이트가 동작하는 최소 정격 전압을 구하는 설계 방법을 생각하고, 그 ... 단계적 방법을 구체적으로 서술한다.NAND 게이트는 진리표에 따르면 두 입력 A, B에 대해 입력 A가 HIGH(5V), 입력 B가 HIGH(5V) 일때 출력이 LOW(0V)이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.10.02 | 수정일 2023.01.03
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    중앙대학교 아날로그및디지털회로 예비보고서7
    설계실습 계획서7-3-1 XNOR 게이트 설계 및 특성 분석AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 각각 NAND, NOR, XOR, XNOR 게이트의 기능을 갖는 회로도를 설계 ... 3V정도가 결과값으로 나타나면 이는 High의 값이고, 0V일 때는 Low이다. 5V의 출력이 아닌 3V정도가 나오는 것은 입력전압에 대해 논리 게이트를 지내며 weak high ... 아도, 위상차가 C인 경우에 모두 포함되기 때문에 추가 분석을 진행하지 않아도 된다고 판단하였다.7-3-3 2×4 디코더의 설계 및 특성 분석(A) 각 게이트들을 사용하여 만든 2×4
    리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.08.06
  • [A+] 중앙대 아날로그 및 디지털회로 설계실습7 논리함수와 게이트 예비보고서
    의 전원 단자의 Vcc 값을 기록한다.NAND gate가 정상 작동을 멈출 때의 Vcc 값이 최소 정격 전압이다.7-3-3 4×2 디코더의 설계 및 특정 분석(A) 각 게이트들을 사용 ... ): 1대점퍼선: 다수7-3. 설계실습 계획서7-3-1 XNOR 게이트 설계 및 특정 분석입력출력입력 A입력 B출력 X001011101110(A) AND, OR, NOT 게이트를 사용 ... .오실로스코프를 통해 입력이 50% 되는 시점과 출력이 50%되는 시점의 시간 차가 딜레이가 된다. 두 종류의 딜레이 를 구한 후, 둘의 평균 값을 구하면 전체 시간 딜레이가 된다.7-3
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.06
  • 22. Flip-flop 회로 결과보고서
    .359+5+50.121X 0.117X표 22.6 RS flip-flop 회로 (NAND Gate)입 력출 력R [V]S [V]Q [V]bar{Q} [V]004.411X 4.411X ... flip-flop 회로 (NOR Gate)입 력출 력R [V]S [V]Q [V]bar{Q} [V]000.121Q 4.343{bar{Q}}0+54.3530.102+500.1214 ... 0+50.1454.411+504.4120.166+5+54.412Q 0.177{bar{Q}}표 22.7 JK flip-flop입 력출 력J [V]K [V]Q [V]bar{Q} [V
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.16 | 수정일 2022.05.04
  • 판매자 표지 자료 표지
    전자공학과 편입 면접 대비자료_면접 전에 알고가야하는 필수 개념 압축 [과목별 주요 개념, 질의 응답식 내용 추가]
    : 반전된 피드백을 가진 쉬프트 레지스터Q+ = S+R'Q / D / JQ'+K'Q / TQ'+T'Q② 전자회로- 다이오드 출력파형 그리기, 증폭기다이오드 회로에서 I-V 그래프 ... , Vin-Vout 그래프 모두 그릴 수 있어야하며 이상적인 다이오드와 실제다이오드(약 0.7V 전압강하)의 차이점을 확실하게 알아야함.- 이상적인 다이오드는 (-)전압이 인가 ... 는 3개, MOSFET은 4개)BJT(Bipolar Junction Transistor) : 전류-전류 증폭소자(전류 제어 소자) / 베이스로 1mA 정도의 전류를 흘려주면 콜렉터
    자기소개서 | 19페이지 | 8,000원 | 등록일 2025.09.11
  • [A+][예비레포트] 중앙대 아날로그 및 디지털 회로 설계실습 7. 논리함수와 게이트
    가 다른 구형파가 나올 것이다. 이 주파수 차이를 이용하여 딜레이를 측정할 수 있다.2-2 NAND 게이트 설계 및 특성 분석Vcc를 5V (논리값 1)에서 0V (논리값 0 ... )로 단계적으로 변화시켜서 NAND 게이트가 동작하는 최소 정격 전압을 구하는 설계 방법을 생각하고, 그 단계적 방법을 구체적으로 서술한다.NAND 게이트에 Vcc에 5V를 인가하고 입력 ... 정격 전압이다.2-3 4×2 디코더의 설계 및 특성 분석각 게이트들을 사용하여 만든 2x4 Thermometer to binary 디코더의 기능에 대해 설명하고, 그 정의에 따라
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.04.08
  • 판매자 표지 자료 표지
    D_latch and D flip-flop, JK flip-flop_예비레포트
    로 SPDT 스위치의 되튐에 의한 영향을 제거하는 방법에 대한 입증2) NAND 게이트와 인버터를 이용한 게이티드 D 래치 구성 및 시험3) D 플립-플롭의 테스트 및 래치와 플립-플 ... 다. [3]4) 7474 dual D 플립-플롭데이터 입력 D 및 클록 입력 T의 2단자와, 출력의 2단자를 가지고 있는 그림과 같은 플립플롭 회로이다. 그 동작은 입력 D에 “1 ... [그림 15-7]D-latch and D flip-flop① [그림 15-7] 의 회로를 구성한다.② CLK에 주파수=1Hz, 5Vpp, offset=0V 인가한다.V _{dc}③ =5V, Current Limit=100mA 로 설정한다.
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.09.17
  • 판매자 표지 자료 표지
    A+ 중앙대 아날로그및디지털회로설계실습 족보 시험자료, 02 03 04 05 06 07 08 09 10
    파 펄스폭) 증가시켜 출력 전압 증가시킴DTs 증가 시키는 것 = D 증가시키는 것임!출력전압을 오차분에 상응해 펄스폭을 제어함! By 오차증폭기, 비교기✅ DC- DC c ... 모터▪ 1-2상 여자방식 -> 스탭각이 반으로 줄고 1회전당 10스탭 필요한 모터를 이용해 구동할 경우 20펄스 구동하는 것과 같게 된다.[실습 04]발진 주파수는 감쇠 값이 V ... +/V0=1/3 이므로 negative feedback은 이론적으로 발진 주파수의 이득은 3이어야 한다. /발진 주파수는 식 1.5의 R2, R1를 조절하여 얻을 수 있다.[실습 05
    시험자료 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.03.13 | 수정일 2024.03.20
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    A+받은 플립플롭 회로(flip-flop, JK, SR) 결과보고서 PSPICE
    순서 논리 회로의 기본이 되는 회로가 flip-flop인데 이의 종류에는 RS, JK, D flip-flop이 있다.◎ NOR 게이트 RS flip-flop① 직류전원 ... 전압의 값이 예상한 결과값과 동일하게 나왔는지 확인하고 오차가 있다면 분석한다. ◎ NAND 게이트RS flip-flop① 직류전원장치와 디지털 멀티미터의 전원을 켜고 각 기기 ... V로 설정하고 2개의 NAND Gate의 입력값이 01, 11, 10, 11 순서로 회로를 바꾸어가며 이때 출력 전압을 측정한다. ④ 출력전압의 값이 예상한 결과값과 동일하게 나왔는지 확인하고 오차가 있다면 분석한다.
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.28
  • Logic 연산과 gates 실험보고서
    하여 3-입력 gate를 꾸미고 그 입력에 따른 출력을 살펴보고 표 6을 완성한다. 이 표에서 “1”은 5 V를 의미하고, “0”은 0 V를 의미한다. 그림 7의 (b)와 같이 꾸미 ... 에 적어 본다. 실제 실험 결과를 표 12-D란에 적어 비교한다.multisim_input tied NAND gateABC(예상)D(결과)10100101표 12. tied input ... _diode logic AND gateS3 과 S7의 개폐여부가 LED1의 점등 여부로 연결되는 논리 회로이다.아래 캡처화면들을 통해 D3, D4가 각각 VDC4에 연결되는 상황이 “1
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.06
  • TTL gates 실험보고서
    는 그림 6에서 처럼 pull-up 저항을 Vcc에 연결한다.3.2. TTL 7403 open collector NAND gate를 사용하여 1 kΩ pull-up 저항과 함께 그림 ... pulse는 0 V에서 5 V가 되도록 조절한다.4.3. 입력을 oscilloscope의 Ch.1에 연결하고 출력은 Ch.2에 연결한다.trigger는 T-connector를 써서 ... 실험 2: Logic gates-TTL gates와 deMorgan의 법칙1. NAND gate로 꾸민 gate1.1. 7400 NAND gate를 이용하여 그림 1과 같이
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.06
  • 디지털공학 실험-논리게이트
    = A(1+B)+C=A+C실험 7 부울의 법칙 및 드모르간의 정리 2번-추가문제- 그림과 같이 그림 4-10은 XNOR 게이트와 같다.3. 고찰이번 실험은 NAND, NOR ... 1. 실험 결과-NAND 게이트 -NOR 게이트입력출력출력전압측정치ABX0015.00100115.01601015.07101100.0031입력출력출력전압측정치ABX0015 ... 로 단락된다. 따라서 둘 중 하나만 참이어도 LOW가 되어야 한다 따라서 민수 말대로 AND 게이트가 필요하다.실험 5 논리게이트2 3번-XNOR 소자를 invert 한 값
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.21
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    삼성전자 파운드리 공정설계 직무 최종합_면접 공부 자료(반도체 면접 공부 자료)
    carrier보다 작은 상태인 weak inversion 상태가 되며, 해당 상태에서는 C-V Curve가 감소하는 그래프를 가집니다. Strong inversion은 Vt보다 높 ... (반전) 3가지 상태를 가집니다. NMOS를 기준으로 Gate에 음의 전압을 인가하면 p type 기판의 다수 캐리어인 hole이 oxide와 기판의 계면에 축적 ... Mechanism누설전류 발생 mechanism에 대해 크게 3가지를 설명드리겠습니다. 첫번째, PN Junction 구조의 Reverse Bias에 의한 누설전류로 nMOSFET의 구조 상
    자기소개서 | 11페이지 | 5,000원 | 등록일 2024.03.28
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    A+ 연세대학교 기초아날로그실험 4주차 결과레포트
    LE면 0이 입력되고 전류가 흘러 초록색 LED가 켜진다. 반대로 High가 걸리면 1이 입력되고 전류가 흐르지 않아 초록색 LED가 꺼진다.한편 3-Input NAND Gate ... 되며, (-) 전압이 입력된 경우 0V가 출력되었다.감소된 전압의 크기를 정확히 파악하기위해 Cursor 기능을 이용하여 Peak 지점에서의 값을 비교해본 결과 그림4와 같 ... 을 clipping 하며 그 이하의 전압만 통과시키는 것을 분명히 확인할 수 있었다.[실험 3] Logic gate (NAND)3.1 실험결과그림 11과 같이 3개의 PMOS
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.07.03
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    (A+ 컴퓨터의이해,1-1공통) 슈퍼컴퓨터, 메타버스가 이용되는 사례를 하나만 선택하여 설명하고 반도체 기억장치의 발달과정에 대하여 설명하라.
    현작동될 수 있다. 또한 SSD는 기계적인 부품이 없어서 내구성과 안정성이 높았다. SSD는 주로 노트북, 태블릿, 스마트폰 등에서 사용한다.⑥ 2010년대: 3D NAND 플래시 ... 메모리 및 휘발성 메모리 MRAM(Magnetic Random Access Memory)대용량 저장이 가능한 3D NAND 플래시 메모리 기술이 개발되었다. 3D NAND는 2D ... 평면 구조가 아닌, 3차원 구조로 데이터를 저장할 수 있는 기술로 기존의 2D NAND보다 더 많은 데이터를 저장할 수 있어 대용량 저장 매체인 SSD 등에서 활용되고 있다.비
    방송통신대 | 9페이지 | 5,500원 | 등록일 2023.04.01
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2025년 12월 04일 목요일
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- 작별인사 독후감