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photoresist 포토레지스트 photolithography
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"157 nm 포토레지스트" 검색결과 1-5 / 5건

  • 자료 표지
    [화학공학] 포토레지스트
    동향1) RET ( 해상도 향상 기술 . Resolution Enhancement Techniques)2) 157 nm 포토레지스트3) 해결해야 할 과제4) 157 nm ... )나) Fluorocarbon 계 고분자* 첨가제..* 용해억제제의 기본적인 요구..다)문제점ㄱ) 실록산계 고분자의 문제점ㄴ) 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제 ... 점3-3. 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점4.결론1. LITHOGRAPHYLithography란 원래는 석판인쇄술 등을 지칭하는 말이었으나 현재는 식각공정
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.11.22
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  • 자료 표지
    photo resist
    포토레지스트가 사용- 60 nm 이하의 선폭 공정에 F2 (157 nm) 가 사용될 것으로 예상2) 157 nm 포토레지스트- 157 nm 의 파장은 모든 탄화수소화합물의 기본 흡수 ... 파장영역이기에 흡광도 최소화에 문제가 발생한다.3) 157 nm 사용을 위해 해결해야 할 5가지 과제- 광밀도 (optical density) : 노광용 빛이 포토레지스트 필름 ... -gasing 의 최소화4) 157 nm 포토레지스트용 고분자- 실록산 (siloxane) 이나 불소 (fluoride) 치환 유기 고분자가 유망하다.① 실록산계고분자.ㄱ) PDMS
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.07
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  • 자료 표지
    감광성 폴리머의 제조기술 소개
    , 인쇄재판용 감광재료 및 전자표시 장치 브라운관과 LCD의 칼러 화면 가공용 포토레지스트 재료, 도료, 접착제 등의 분야에까지 널리 이용되는 대표적인 고기능 수지.Photo ... 화함. (250nm~400nm)에 흡수, 구조적 내성 강함orBenzyl acetophenone300~400 nm 부근에서 흡수Cinnamoyl diacetyl300nm 부근에서 흡수 ... 이 길lak Photoresist 노볼락 수지 + 감광제(PAC : Photo active compound) 436nm(g-line) 및 365nm(i-line) 에 감응Photo
    리포트 | 24페이지 | 5,000원 | 등록일 2010.03.18
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  • 자료 표지
    [반도체공정] Photoresist 및 OF
    nm 포토레지스트3) 해결해야 할 과제4) 157 nm 포토레지스트용 고분자....가) 실록산계 고분자..ㄱ) PDMS (poly dimetyul siloxane )ㄴ) poly ... 의 문제점ㄴ) 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점3-3. 내에칭성 - 157 nm 포토레지스트의 또 다른 문제점4. OTFT 관련 유전 물질5. 기타 ... 에 248 nm 의 KrF 포토레지스트가 사용65 nm 선폭 공정에 193 nm 의 ArF 포토레지스트가 사용60 nm 이하의 선폭 공정에 F2 (157 nm) 가 사용될 것으로 예상나
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.19
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  • 자료 표지
    photolithography
    의 구현을 담당하고 있다. 65 nm 이하의 선폭 구현은 F2 (157 nm) 레이저, 원자외선 (EUV: Extream Ultra Violet), 전자빔, X-선 등의 이용으로 가능 ... 형, 중합형구성 성분수1성분, 2성분, 3성분광원g-line(436nm), i-line(365nm), KrF(248nm),ArF(193nm), EUV(13nm), E-beam ... , Iosist가 현상공정에서 제거되고, 비노광지역의 resist가 최종적인 etching mask 역할을 하며, negative 레지스트는 그 반대이다. 용해억제형 포토레지스트
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.24
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