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"실리콘관통전극(TSV)기술" 검색결과 1-8 / 8건

  • 이공계기술PT면접(2016하반기)-[405]실리콘 관통전극(TSV)기술
    (1) D램 『후공정』 (패키징)의 혁신D램 『후공정』 (패키징)에는 실리콘관통전극(TSV) 기술이 적용되면서 패키징 혁신이 일어날 것으로 보인다. 삼성전자는 14나노 핀펫 기술 ... )와 낸드 플래시를 모두 연결하는 기술이다. 단위 데이터를 전송하는 버스가 넓어지고, 칩간 물리적 거리도 가까워 시스템 속도가 획기적으로 빨라진다. 국내 반도체 업계가 TSV 상영 ... 을 AP에 적용하는 동시에 TSV 패키징을 상용화해 시스템LSI와 메모리 사업간 시너지 효과를 극대화한다는 전략이다. TSV는 D램에 미세한 구멍을 뚫어 애플리케이션 프로세서(AP
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2016.09.27 | 수정일 2016.09.29
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    2025년상반기 SK하이닉스 대졸신입공채 면접예상문제(총60문제)및해답
    면서도 고성능 요구 조건 충족TSV(Through Silicon Via) 기술의 원리를 설명하고, 3D 패키징에서 TSV가 갖는 중요성을 설명하시오.해답:TSV 원리: 실리콘 웨이퍼 ... 적 중요성: 소형화, 고성능, 저전력주요 기술:TSV(Through Silicon Via)Wafer BondingMicro-bumping반도체 공정에서 발생하는 결함(Defect ... 를 관통하는 미세한 구멍을 뚫어 전극 형성중요성: 칩 간 최단 거리 연결, 고대역폭, 소형화Flip Chip Bonding 기술의 장점을 설명하고, Wire Bonding 기술 대비
    자기소개서 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.04.30
  • 판매자 표지 자료 표지
    SK하이닉스 면접 자기소개서와 직무역량입니다.
    칩에 미세한 구멍을 뚫어 상단 칩과 하단 칩을 전극으로 연결하는 패키징 기술TSV라 합니다.반도체 소자의 집적도를 높이는 방법으로 칩들을 적층하여 와이어 본딩하는 MCP ... 와 패키지를 적층하는 POP가 일반적으로 사용되고 있지만, 최근 처리속도를 높이기 위한 방법으로 두 개 이상의 칩을 수직으로 적층하고 실리콘관통하는 전극을 통하여 회로를 연결 ... 형태를 사용하여 부품 크기를 최소화하고 신호 전달이 ㅃㆍ르게 이루어질 수 있습니다.Q)TSV(Through Silicon Via)기존 와이어를 이용해 칩을 연결하는 기존 방법 대신
    자기소개서 | 73페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.24 | 수정일 2024.04.01
  • 판매자 표지 자료 표지
    HBM의 현황과 미래 전망에 대하여 PT하시오 (삼성전자 SK 하이닉스 등 공채 면접 주제)
    양산을 시작했습니다. 이 제품은 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현하였으며, D램 칩은 10나노급 (1b), TSV (실리콘 관통 전극) 등의 기술로 적층했다고 합니다 ... 습니의 성능과 효율성을 크게 향상시킵니다.HBM은 TSV 기술을 활용하여 데이터를 수직 방향으로 메모리 층을 통해 전송함으로써 데이터 전송 거리를 최소화하고 대역폭을 크게 확보할 수 ... 량을 증가시킵니다.이렇게 수직으로 적층된 메모리 칩과 TSV 기술을 통해 HBM 메모리는 뛰어난 대역폭과 빠른 전송 속도를 제공합니다. 이는 고성능 그래픽 처리, 데이터 센터
    자기소개서 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.03.18
  • Sk하이닉스
    었습니다.상황을 분석하고 아이디어를 낼 줄 아는 능력, 그리고 적용했던 많은 경험들을 살려 SK hynix에서 시행한 업계최초 ‘실리콘관통전극(TSV)기술을 통한 초고속메모리 ... 기술력에 대해서 언급 했습니다. 발명봉사 준비 기간 동안은 최소한의 자금이 필요하기 때문에 스폰서 지원을 받으려고 공문을 작성하고, 수백통의 전화, 직접 방문 등을 시도 ... . SK 입사 후 어떤 일을 하고 싶으며, 이를 위해 본인이 무엇을 어떻게 준비해 왔는지 구체적으로 기술하십시오. (1000 자 10 단락 이내)그 동안 경험해 왔던 창의적 발명가
    자기소개서 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.11.22
  • 열응력에 의한 실리콘 인터포저 위 금속 패드의 박락 현상 (Thermal Stress Induced Spalling of Metal Pad on Silicon Interposer)
    최근 전자 패키징 기술의 중요성이 대두되며, 칩들을 평면 외 방향으로 쌓는 이종 집적 기술이 패키징 분야에적용되고 있다. 이 중 2.5D 집적 기술실리콘 관통 전극를 포함 ... 한 인터포저를 이용하여 칩들을 적층하는 기술로, 이미널리 사용되고 있다. 따라서 다양한 열공정을 거치고 기계적 하중을 받는 패키징 공정에서 이 인터포저의 기계적 신뢰성을 확보하는 것 ... 에서는 실리콘 인터포저 위 와이어 본딩을 위한금속 패드의 열응력에 대한 기계적 신뢰성을 평가하였다. 인터포저를 리플로우 온도로 가열 후 냉각 시 발생하는 금속 패드의 박리 현상을 관측
    논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.11 | 수정일 2025.06.16
  • 신의손) sk하이닉스 합격 자기소개서 및 면접 핵심정리
    게 되었다"고 설명했습니다.[업계 최초 TSV 기술 기반 초고속 메모리 개발 (12월)]SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술 ... 컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망입니다. SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층했으며, 기술적 검증을 위해 그래픽 분야 선두 ... 와인관계는 제가 가진 최고의 자산이라고 생각합니다.이러한 역량을 기반으로 SK하이닉스에서 단순히 기존의 기술을 모방할 줄 아는 ‘진부한 정신’을 가진 엔지니어가 아닌, 꿈을 현실
    자기소개서 | 107페이지 | 3,000원 | 등록일 2014.08.14 | 수정일 2014.09.26
  • 삼성전자DS,하이닉스,반도체소재부품삼성전자DS,하이닉스,반도체소재부품
    401 IT기기의 전기 소모량을 줄이기 위한 기술적 방안* 출제상황전 세계 인터넷 트래픽의 급증에 따라 전세계 데이터센터의 전력소모도 급증할 것으로 보인다. 따라서 ... 모바일 단말기로 부터 데이터센터의 시스템에 이르기까지 거의 모든 IT 시스템의 전력효율 극대화를 위한 노력이 필요하고, 이에 필요한 핵심기술로서 반도체칩의 초저전력 설계기술이 필요 ... 하다.* PT조건IT 시스템의 전력소모 급증 현상과 대책으로서 반도체칩의 초저전력 설계 기술을 설명하시오. 이것이 왜 차세대 컴퓨팅 모델 (유비쿼터스나 사물간 통신 등)에 있
    리포트 | 38페이지 | 3,500원 | 등록일 2016.03.14 | 수정일 2016.09.30
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2025년 07월 19일 토요일
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