"분자 선 에피택시"의 검색결과 입니다.

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반도체 소자 EPI LPE vpe dc/rf magnetron 스퍼터링 1300파장 cmos 공정 sputter 인증

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"분자 선 에피택시" 검색결과 1-20 / 46건

분자선에피택시에 의해 성장한 ZnO 나노결정 박막에 완충층 두께와활성층 성장 온도가 미치는 효과 (Effects of Buffer-layer Thickness and Active-layer Growth Temperature on ZnO Nanocrystalline Thin Films Grown by Molecular Beam Epitaxy)

대한금속·재료학회 김병구, 남기웅, 박영빈, 박형길, 임재영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.10 | 수정일 2025.07.19

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분자선 에피택시를 이용하여 GaN 나노로드를 성장시 구조 및 광학적인 특성에 미치는 N2의 양의 효과 (Effect of N2 flow rate on growth and photoluminescence properties of GaN nanorods grown by using molecular beam epitaxy)

한국진공학회 박영신

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.07 | 수정일 2025.06.10

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분자선에피택시성장법으로 성장한 AlAS/GaAs 에피택셜층의 특성

한국재료학회 노동완, 김경옥, 이해권

논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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저온 분자선 에피택시법을 이용한 GaMnAs 자성반도체 성장 및 특성 연구

한국재료학회 박진범, 고동완, 박용주, 오형택, 신춘교, 김영미, 박일우, 변동진, 이정일

논문 | 4페이지 | 3,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05

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Indium Interruption Growth법으로 성장한 InAs 양자점의 광학적 특성 (Optical Properties of InAs Quantum Dots Grown by Using Indium Interruption Growth Technique)

한국진공학회 이희종, 김진수, 류미이

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.27 | 수정일 2025.07.04

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AlAsxSb1-x 단계 성분 변화 완충층을 이용한 Si (100)기판 상 Al0.3Ga0.7As/GaAs 다중 양자 우물 형성 (Formation of Al0.3Ga0.7As/GaAs Multiple Quantum Wells on Silicon Substrate with AlAsxSb1-x Step-graded Buffer)

한국진공학회 이은혜, 송진동, 연규혁, 배민환, 오현지, 한일기, 최원준, 장수경

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 (Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode)

한국진공학회 김광웅, 조남기, 송진동, 이정일, 박정호, 이유종, 최원준

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.06

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As과 Ga 빔 조사에 의해 세척된 Si(100) 기판 위에 GaAs 에피층 성장과 RHEED 패턴 (GaAs Epilayer Growth on Si(100) Substrates Cleaned by As/Ga Beam and Its RHEED Patterns)

한국표면공학회 임광국, 김민수, 임재영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.17 | 수정일 2025.05.22

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RF 플라즈마에 의해 생성된 산소 플라즈마의 발광 스펙트럼 (Optical Emission Spectra of Oxygen Plasma Produced by Radio-Frequency Plasma)

한국진공학회 김도엽, 김민수, 김태훈, 김군식, 최현영, 조민영, 전수민, 박성동, 김진하, 김은도, 황도원, 임재영

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.03 | 수정일 2025.03.06

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판매자 표지

서울대학교 일반대학원 물리학과 연구계획서

근처에서 최적화된 초전도성 연구, 전기촉매적 전체 물 분해를 위한 Cu2O/환원 그래핀 산화물 나노복합체 연구, 분자선 에피택시로 성장한 N- 및 Al-극성 동종에피택셜 AlN ... Nb3X8(X = Cl, I)의 포논 역학에 대한 테라헤르츠 분광학 및 DFT 분석 연구, 복잡한 상호주의 네트워크의 안정성과 선택적 소멸 연구, X선 자유 전자 레이저를 이용

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.09.19

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GaAs 기판 위에 성장한 In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As 다중양자우물의 광학적 특성에 대한 In0.5Al0.5As 버퍼층 성장온도의 영향 (Growth Temperature Effects of In0.5Al0.5As Buffer Layer on the Optical Properties of In0.5Ga0.5As/In0.5Al0.5As Multiple Quantum Wells Grown on GaAs)

한국진공학회 김희연, 임주영, 송진동, 류미이, 오현지, 안상우, 신상훈, 김수연

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.11 | 수정일 2025.07.19

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VLSI공정 5장 문제정리

하는 것. 실리콘 공정에서 사용되는 에피택시의 가장 흔한 형태.에피택셜 성장은 비교적 높은 온도가 필요하다.분자선 에피택시란? (MBE) -Molecular beam epitaxy.초고 ... path : 기체분자나 금속 내의 자유전자가 다른 입자와 충돌하지 않고 움직이는 평균적인 거리분자선 에피택시는 화학적 조성과 도핑 프로파일을 정밀하게 조절할 수 있는 장점이 있 ... 진공 상태(에서 고정된 기판에 원자 또는 분자선을 충돌 시켜 에피층을 성장시키는 공정초고진공 상태를 유지하는 이유 : mean free path를 길게 하기 위해Mean free

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2018.06.05 | 수정일 2020.05.03

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반도체 소자 및 반도체 집적 회로

에피택시(Liquid Phase Epitaxy, LPE), 기상 에피택시(Vapor Phase Epitaxy, VPE)와 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy ... 이러한 도체들은 전자회로 기판(board) 위에서 전기적 연결선(wire)이나 도전 경로(conduction path)를 제작하는 데 사용된다. 도체 내부의 전자(electron ... , MBE)로 분류된다. 또한 웨이퍼의 기판 재료와 동일한 화학 조성을 지닌 에피층을 형성시키는 동종 에피택시(homo-epitaxy)와 웨이퍼 기판 재료와는 다른 화학 조성의 에피층

리포트 | 45페이지 | 8,000원 | 등록일 2017.12.31

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epitaxy 공정

- 성장 방법은 기상 에피택시(VPE : vapor phase epitaxy), 액상 에피택시(LPE : liguid phase epitaxy), 분자선 에피택시(MBE ... 성장에도 많이 사용된다. LPE는 Ⅲ-Ⅴ 족이나 Ⅱ-Ⅵ 족 등 화합물 반도체 에피택시 층 성장에 사용되며, 분자선 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy ... epitaxy), 분자빔 에피택시(MBE : molecular beam epitaxy) 등에 관한 기본 원리는 다음과 같다.3.1 기상 에피택시(VPE)갈륨비소의 기상 에피택시 성장

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.06.21

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LPE, VPE, MBE 장비

의 현상에 대해서도 연구가 진행되어 분자선 에피택시라는 결정성장법이 개발되었다.한편 금속 혹은 반도체 시료를 진공 중에서 증발시켜 박막을 형성시키는 진공증착법은 오래전부터 있 ... 선 회절장치, AES, SIMS 장치 등을 설치하여 분자선 에피택시의 장점을 충분히 활용할 수 있게끔 되었다. ... 도)분자 빔 에피택시(MBE:Molecular Beam Epitaxy)MBE는 원자 분해능의 두께를 갖는 GaAs 헤테로 에피택시의 증착에 사용되는 중요한 방법 중 하나이다. 도핑

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12

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분자빔 에피탁시 (MBE)의 원리 개요 를 담은 논문형식 레포트

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)초록분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)는 반도체, 금속, 절연체 등 ... 의 epitaxtial layer 성장기술로 열에너지를 갖는 구성원소의 분자선과 초고진공(10-10 ? 10-11Torr)내에서 임의의 반응온도(400~ 800℃)로 유지된 substrate ... 에피탁시(vapor phase epitaxy, VPE), 분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy, MBE)등이 있으며, 최근에는 서로 결합된 방법도 많이 사용

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.11.18

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PVD의 종류와 특성, 응용분야

source위에 원자의 농도가 크므로 와류 또는 discharge가 심하다.3)분자선 에피택시법(MBE)ㆍ초기에III-V화합물 반도체의 단결정 박막의 제작법으로서 발달ㆍ증발원 ... 기판 ＞ 870~900K성장속도 2 ~ 3Å/s아래 그림은 GaAsxP1-x를 만들 경우의 분자선 에피택시 장치의 예이다.Ⅱ. 스퍼터링(sputtering)이란?스퍼터링이란 ... 게 증가한다. 이는 물질의 증착 속도가 온도에 의해 제어 될 수 있음을 의미한다.⑵ 증발속도Hertz-Knudsen 방정식Knudsen은 evaporant의 표면에 충돌하는 분자

리포트 | 21페이지 | 2,500원 | 등록일 2015.01.08 | 수정일 2023.04.29

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84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)

은 온도에서 행해짐2.에피택시 공정기상 에피택시 (vapor phase epitaxy; VPE ) 액상 에피택시 (liquid phase epitaxy; LPE ) 분자선 에피택시 ... 화합물 반도체 성장 기술H V P E L P E화합물 반도체란? 에피택시 (Epitaxy) 공정이란? HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) LPE ... 비율로 구성된 순물질에피택시 (Epitaxy) 공정그리스문자 epi(위에) + taxis(배열) = 에피택셜 성장(epitaxial growth) 또는 에피택시(epitaxy

리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18

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단결정 성장 공정

Epitaxy) 3. 분자선 에피택시(Molecular beam epitaxy)재료의 면에서 분류Homo epitaxial growth methodHetero epitaxial ... 다. ⇒ 전기적 성질이 우수결정 성장정 의 증기나 용액 · 융액과 같이 원자 · 분자가 무질서하게 움직이고 있는 상태에서 결정의 규칙적인 배열로 이행하는 과정종 류 1. 용융액 성장 ... 어짐 2. 고저항률 (300[Ω㎝]) 의 단결정을 얻을 수 있음에피택시얼 성장법(Epitaxial growth method)에피택시얼 성장법 이미 만들어져 있는 단결정의 표면에그

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.07.27

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세상에서 가장 얇고 단단한 도체 그래핀

었다. 그 결과 현재는 에피택시(epitaxy) 합성법외에도 화학적 합성법, CVD 성장법등을 이용한 연구가 진행되고 있고 우수한 결과들이 계속적으로 발표되고 있다.▶ 에피택시 합성법 ... [그림 4] 에피택시 그래핀에피택시 합성법은 실리콘 카바이드(SiC)와 같이 탄소가 결정에 흡착되거나 포함되어 있는 재료를 약1,500℃의 고온 분위기에서 열처리를 통해 탄소가 표면 ... 의 결을 따라 성장하면서 그래핀층을 형성한다. [그림 4]은 에피택시 합성법을 통해 성장한 그래핀과 분석을 위해 사용한 LEED pattern을 통해 결정성이 우수한 단층 그래핀

리포트 | 26페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.12.02

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