"낸드플래시메모리"의 검색결과 입니다.

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EasyAI “낸드플래시메모리” 관련 자료

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+[수업자료][반도체][반도체사전] 반..등록일 2021.08.05 | 총 8,999자 | 9페이지 | 3,000원

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"낸드플래시메모리" 검색결과 1-20 / 430건

낸드 플래시 메모리를 위한 적응형 가비지 컬렉션 정책 (An Adaptive Garbage Collection Policy for NAND Flash Memory)

한국정보과학회 한규태, 김성조

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.04 | 수정일 2025.03.06

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낸드 플래시 메모리를 위한 자기-서술 파일 시스템 (A Self-Description File System for NAND Flash Memory)

한국정보과학회 한준영, 박상오, 김성조

논문 | 16페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.02 | 수정일 2025.03.06

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낸드 플래시 메모리 기반의 비대칭 행렬 전치 기법 (An Asymmetry Matrix Transposition Scheme based on NAND Flash Memory)

대한임베디드공학회 김성철, 최규상, 박웅규, 온병원, 이인규

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.16 | 수정일 2025.05.22

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멀티 레벨 셀 낸드 플래시 메모리용 적응적 양자화기 설계 (Adaptive Quantization Scheme for Multi-Level Cell NAND Flash Memory)

본 논문에서는 멀티 레벨 셀 낸드 플래시 메모리에서 연판정 에러 정정을 위한 적응적 비균일 양자화기를 제안한다. 기존의 최대 상호 정보(maximum mutual ... proposed for soft-decision error correction in NAND flash memory. Even though the conventional

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.24 | 수정일 2025.05.27

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실시간 시스템용 낸드 플래시 메모리를 위한 로그 버퍼 관리 기법 (Log Buffer Management Scheme for NAND Flash Memory in Real-Time Systems)

플래시 메모리는 일관된 성능, 저전력 및 내구성 등의 특징으로 인해 실시간 시스템에 적합한 저장장치로 주목 받고 있다. 하지만 플래시 메모리는 무효화된 페이지의 가비지 컬렉션 ... 수행을 위한 정체 시간(blocking time)을 필요로 하는데, 기존의 플래시 메모리 관리 기법에서는 가비지 컬렉션을 위한 최대 정체 시간(worst case blocking ... 하며, 기존 FTL 보다 10～15% 성능 향상을 보임을 확인한다. Flash memory is suitable for real time systems because of its c

논문 | 13페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.01 | 수정일 2025.06.05

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낸드 플래시 메모리를 위한 CLOCK 알고리즘 기반의 효율적인 버퍼 교체 전략 (An Efficient Buffer Replacement Policy based on CLOCK Algorithm for NAND Flash Memory)

한국정보처리학회 김종선, 손진현, 이동호

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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낸드 플래시 메모리 상에서 효율적인 MR-트리 동작을 위한지연 연산 기법 (Delay Operation Techniques for Efficient MR-Tree on Nand Flash Memory)

한국정보과학회 이현승, 송하윤, 김경창

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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IPSiNS: 낸드 플래시 메모리 기반 저장 장치를 위한 입출력 성능 시뮬레이션 도구 (IPSiNS: I/O Performance Simulation Tool for NAND Flash Memory-based Storage System)

한국정보과학회 윤경훈, 정호영, 박성민, 심효기, 차재혁, 강수용

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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온칩 마이크로컨트롤러를 사용하는 낸드 플래시 메모리의제조 후 어레이 동작 수정 (Post-manufacturing Array Operation Repair for NAND Flash Memories with On-Chip Microcontrollers)

본 논문에서는 온칩 마이크로컨트롤러(MCU)와 명령어(instruction) ROM을 사용하는 NAND 플래시 메모리에서 제조 이후 잘못된 셀(cell) 어레이 구동 명령어 ... 만 지원하기 때문에 면적 증가는 무시할 수 있을 만큼 매우 작다. This paper proposes a scheme for NAND flash memories equipped ... 수행한다. 패치 명령어들과 PC 대체를 위한 데이터는 특정 낸드 셀 영역에 저장되고, 전원이 켜질 때 전기적 퓨즈(fuse) 정보와 함께 로드된다. 제안하는 방법은 소수의 명령어패치

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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MLC 낸드 플래시 메모리 오류정정을 위한 고속 병렬 BCH 복호기 설계 (Design of High-performance Parallel BCH Decoder for Error Collection in MLC Flash Memory)

한국콘텐츠학회 최원정, 이제훈, 성원기

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.13 | 수정일 2025.05.18

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낸드 플래시 메모리 상에서 쓰기 패턴 변환을 통한 효율적인 B-트리 관리 (Efficiently Managing the B-tree using Write Pattern Conversion on NAND Flash Memory)

이 기존의 기법보다 플래시 메모리 I/O 비용 측면에서 우수하다는 것을 보인다. Flash memory has physical characteristics different from ... 플래시 메모리는 하드디스크와 다른 물리적 특성을 가진다. 대표적으로 읽기연산과 쓰기연산의 비용이 다르고, 덮어쓰기(overwrite)가 불가능하여 소거연산(erase)이 선행 ... 되어야 한다. 이러한 물리적 제약을 소프트웨어적으로 보완해주기 위해서, 플래시 메모리를 사용하는 시스템은 대부분 플래시 변환 계층(Flash Translation Layer)을 사용

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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낸드 플래시 메모리 시스템에서 마모도 평준화를 위한 비트 에러율 기반 콜드 데이터 판별 기법 (Cold Data Identification using Raw Bit Error Rate in Wear Leveling for NAND Flash Memory)

Wear leveling techniques have been studied to prolong the lifetime of NAND flash memory. Most of s ... prolong the lifetime of NAND flash memory. Most of studies have used Program/Erase(P/E) cycles as

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.19 | 수정일 2025.06.27

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Bit-line 인가 전압 보정에 의한 다중 셀 낸드 플래시 메모리 CCI 에러 보정 (CCI Error Correction to Correct Bit-line Applied Voltage for MLC NAND Flash Memories)

본 논문은 CCI에 의한 다중 셀 NAND 플래시 메모리의 정보 왜곡을 보정하기 위한 새로운 방법으로 비트 라인에 인가되는 전압을 조정하는 방법을 제안하였다. 제안한 방법의 검증 ... 을 위하여, 먼저 20nm 디자인 룰과 64셀 스트링 게이트 구조를 갖는 다중 셀 NAND 플래시 메모리의 주변 가해자 3셀에 의한 피해자 셀의 문턱 전압 변화량을 분석하였고, 셀 ... this paper, we propose a new method which corrects the MLC NAND flash memory data error caused from

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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낸드 플래시 기대 수명을 고려한 쓰기 조절 기법 (Write Throttling for Expected NAND Flash Memory Lifetime)

본 논문에서는 낸드 플래시 메모리의 제한적인 수명을 고려하여 스마트 디바이스에서의 메모리 회수 시 과도하게 발생하는 저장 장치에 대한 쓰기를 감소시키는 방법을 제안한다. 기존 ... write traffic on NAND flash memory considering the expected NAND flash memory lifetime. During the ... 임계 값을 조정하여 낸드 플래시로 유발되는 쓰기 양을 감소시킨다. 이 결과 같은 워크로드에 대해 전체 쓰기 양이 기존에 비해 43% 감소하였다. In this paper, we

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 커플링 제거기의 윈도우 크기에 따른 성능 비교 (Performance of the Coupling Canceller with the Various Window Size on the Multi-Level Cell NAND Flash Memory Channel)

멀티레벨셀 낸드 플래시 메모리는 한 셀에 2비트 이상의 데이터를 저장 할 수 있는 기술이다. 현재 2비트를 한셀에 저장하는 기술만 상용화 되었다. 이는 3비트 이상을 저장하게 되 ... 하여 성능을 비교하였다. 플래시 메모리에서 데이터를 읽는 가장 기본 방법인 문턱 전압 비교 방법을 구현하여 제안한 방법과 성능을 비교 하였다. Multi-level cell NAND ... flash is a flash memory technology using mulitple levels per cell to allow more bits to be stored

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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경사하강법을 이용한 낸드 플래시 메모리기반 저장 장치의 고효율 수명 예측 및 예외처리 방법 (High Efficiency Life Prediction and Exception Processing Method of NAND Flash Memory-based Storage using Gradient Descent Method.)

중소기업융합학회 이현섭

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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3차원 SONOS 낸드 플래쉬 메모리 셀 적용을 위한 String 형태의 폴리실리콘 박막형 트랜지스터의 특성 연구 (A Study on Poly-Si TFT characteristics with string structure for 3D SONOS NAND Flash Memory Cell)

성 항목인 bake 결과가 개선됨을 확인하였다. In this paper, we have studied the characteristics of NAND Flash memory in ... 본 논문은 3차원 낸드 플래쉬 기억 소자에 적용을 위해 소노스(SONOS) 형태로 기억 저장 절연막을 채용하고채널로 폴리실리콘을 사용한 박막형 트랜지스터에 대해 연구하였다. 셀

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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다중셀 낸드 플래시 메모리의 3셀 CCI 모델과 이를 이용한 에러 정정 알고리듬 (A 3-cell CCI(Cell-to-Cell Interference) model and error correction algorithm for Multi-level cell NAND Flash Memories)

MLC NAND flash memory에서 cell간의 기생 커패시턴스 커플링으로 인해 발생하는 CCI에 의한 data error를 개선하기 위한 알고리듬을 제안하였다. 종래 ... 30nm와 20nm급 공정의 MLC NAND flash memory의 data분포를 분석하여, 주변 cell의 data pattern에 의한 victim cell의 Vth s ... 3-adjacent-cell model to 20nm-class 2-bit MLC NAND flash memories. 대한전자공학회 전자공학회논문지 - SD 정진호, 김시호

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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16레벨셀 낸드 플래시 메모리에서 트렐리스 정답 추정 기법을 이용한 최대 유사도 검출기의 성능 (Performance of the Maximum-Likelihood Detector by Estimation of the Trellis Targets on the Sixteen-Level Cell NAND Flash Memory)

본 논문에서는 16레벨셀 낸드 플래시 메모리 채널에 최대 유사도 검출 방법을 이용하여 데이터를 검출하기 위해 트렐리스의 정답 값을 추정하는 기법에 대해 연구 하였다. 이 기법 ... 은 최대유사도 검출기를 사용할 수 있게 되어 성능향상에 도움을 준다. 플래시 메모리는 커플링 효과 때문에 메모리가 있는 채널 모델링이므로, 이미 알고 있는 데이터 열을 훈련 과정 ... targets on the 16-level cell NAND flash memory. This mechanism has a performance gain by using a

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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SSD 신뢰성 향상을 위한 3D 낸드 플래시 메모리 오류율에 따른 K-means 클러스터링 분석 및 차별화된 보호 정책 (K-means clustering analysis and differential protection policy according to 3D NAND flash memory error rate to improve SSD reliability)

한국컴퓨터정보학회 손승우, 김재호

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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