"낸드플래시"의 검색결과 입니다.

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EasyAI “낸드플래시” 관련 자료

+D램과 낸드플래시 반도체의 공통점과 ..등록일 2023.02.14 | 총 993자 | 5페이지 | 3,900원
+반도체 D램, 낸드플래시 등의 발전 ..등록일 2024.01.14 | 총 2,259자 | 6페이지 | 2,500원

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"낸드플래시" 검색결과 1-20 / 789건

낸드 플래시 기대 수명을 고려한 쓰기 조절 기법 (Write Throttling for Expected NAND Flash Memory Lifetime)

본 논문에서는 낸드 플래시 메모리의 제한적인 수명을 고려하여 스마트 디바이스에서의 메모리 회수 시 과도하게 발생하는 저장 장치에 대한 쓰기를 감소시키는 방법을 제안한다. 기존 ... 임계 값을 조정하여 낸드 플래시로 유발되는 쓰기 양을 감소시킨다. 이 결과 같은 워크로드에 대해 전체 쓰기 양이 기존에 비해 43% 감소하였다. In this paper, we ... propose a NAND flash write throttling technique in memory reclamation. This technique controls the

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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낸드 플래시 메모리를 위한 적응형 가비지 컬렉션 정책 (An Adaptive Garbage Collection Policy for NAND Flash Memory)

한국정보과학회 한규태, 김성조

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.04 | 수정일 2025.03.06

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낸드플래시 메모리의 효율적인 ECC 패리티 저장 방법 (Efficient Policy for ECC Parity Storing of NAND Flash Memory)

본 논문은 ECC(error correcting code)의 오버헤드를 고려한 패리티의 저장 정책 및 그에 따른 낸드 플래시 메모리 컨트롤러의 구조를 제안한다. 일반적인 낸드 ... 플래시 메모리의 용법은 데이터 영역과 스페어 영역을 분리하는 것이다. ECC 패리티는 낸드 플래시 메모리에 데이터가 입력될 때 생성된다. 일반적으로 ECC의 메시지 길이는 낸드 ... 하는 분산형 정책을 사용하였다. 제안된 분산형 정책과 기존의 수집형 정책의 오버헤드를 설계적인 측면과 타이밍 측면으로 분석하고, 그에 맞는 낸드 플래시 메모리 컨트롤러의 구조를 제시

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.15 | 수정일 2025.07.20

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낸드 플래시 메모리를 위한 자기-서술 파일 시스템 (A Self-Description File System for NAND Flash Memory)

한국정보과학회 한준영, 박상오, 김성조

논문 | 16페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.02 | 수정일 2025.03.06

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낸드 플래시 메모리 기반의 비대칭 행렬 전치 기법 (An Asymmetry Matrix Transposition Scheme based on NAND Flash Memory)

대한임베디드공학회 김성철, 최규상, 박웅규, 온병원, 이인규

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.16 | 수정일 2025.05.22

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멀티 레벨 셀 낸드 플래시 메모리용 적응적 양자화기 설계 (Adaptive Quantization Scheme for Multi-Level Cell NAND Flash Memory)

본 논문에서는 멀티 레벨 셀 낸드 플래시 메모리에서 연판정 에러 정정을 위한 적응적 비균일 양자화기를 제안한다. 기존의 최대 상호 정보(maximum mutual ... proposed for soft-decision error correction in NAND flash memory. Even though the conventional

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.24 | 수정일 2025.05.27

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실시간 시스템용 낸드 플래시 메모리를 위한 로그 버퍼 관리 기법 (Log Buffer Management Scheme for NAND Flash Memory in Real-Time Systems)

플래시 메모리는 일관된 성능, 저전력 및 내구성 등의 특징으로 인해 실시간 시스템에 적합한 저장장치로 주목 받고 있다. 하지만 플래시 메모리는 무효화된 페이지의 가비지 컬렉션 ... 수행을 위한 정체 시간(blocking time)을 필요로 하는데, 기존의 플래시 메모리 관리 기법에서는 가비지 컬렉션을 위한 최대 정체 시간(worst case blocking ... time)과 최소 정체 시간(best case blocking time)의 차가 크다는 문제점이 있다. 본 논문에서는 KAST라 불리는 FTL(Flash Translation

논문 | 13페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.01 | 수정일 2025.06.05

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낸드 플래시 메모리를 위한 CLOCK 알고리즘 기반의 효율적인 버퍼 교체 전략 (An Efficient Buffer Replacement Policy based on CLOCK Algorithm for NAND Flash Memory)

한국정보처리학회 김종선, 손진현, 이동호

논문 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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낸드 플래시 메모리 상에서 효율적인 MR-트리 동작을 위한지연 연산 기법 (Delay Operation Techniques for Efficient MR-Tree on Nand Flash Memory)

한국정보과학회 이현승, 송하윤, 김경창

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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IPSiNS: 낸드 플래시 메모리 기반 저장 장치를 위한 입출력 성능 시뮬레이션 도구 (IPSiNS: I/O Performance Simulation Tool for NAND Flash Memory-based Storage System)

한국정보과학회 윤경훈, 정호영, 박성민, 심효기, 차재혁, 강수용

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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플래시 저장장치 컨트롤러 시스템을 위한동적 낸드 오퍼레이션 스케줄링 (Dynamic NAND Operation Scheduling forFlash Storage Controller Systems)

대한전자공학회 정재형, 송용호

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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온칩 마이크로컨트롤러를 사용하는 낸드 플래시 메모리의제조 후 어레이 동작 수정 (Post-manufacturing Array Operation Repair for NAND Flash Memories with On-Chip Microcontrollers)

본 논문에서는 온칩 마이크로컨트롤러(MCU)와 명령어(instruction) ROM을 사용하는 NAND 플래시 메모리에서 제조 이후 잘못된 셀(cell) 어레이 구동 명령어 ... 수행한다. 패치 명령어들과 PC 대체를 위한 데이터는 특정 낸드 셀 영역에 저장되고, 전원이 켜질 때 전기적 퓨즈(fuse) 정보와 함께 로드된다. 제안하는 방법은 소수의 명령어패치 ... 만 지원하기 때문에 면적 증가는 무시할 수 있을 만큼 매우 작다. This paper proposes a scheme for NAND flash memories equipped

논문 | 4페이지 | 무료 | 등록일 2025.07.12 | 수정일 2025.07.19

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MLC 낸드 플래시 메모리 오류정정을 위한 고속 병렬 BCH 복호기 설계 (Design of High-performance Parallel BCH Decoder for Error Collection in MLC Flash Memory)

한국콘텐츠학회 최원정, 이제훈, 성원기

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.13 | 수정일 2025.05.18

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낸드 플래시 메모리 상에서 쓰기 패턴 변환을 통한 효율적인 B-트리 관리 (Efficiently Managing the B-tree using Write Pattern Conversion on NAND Flash Memory)

되어야 한다. 이러한 물리적 제약을 소프트웨어적으로 보완해주기 위해서, 플래시 메모리를 사용하는 시스템은 대부분 플래시 변환 계층(Flash Translation Layer)을 사용 ... 이 기존의 기법보다 플래시 메모리 I/O 비용 측면에서 우수하다는 것을 보인다. Flash memory has physical characteristics different from ... 플래시 메모리는 하드디스크와 다른 물리적 특성을 가진다. 대표적으로 읽기연산과 쓰기연산의 비용이 다르고, 덮어쓰기(overwrite)가 불가능하여 소거연산(erase)이 선행

논문 | 11페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.02 | 수정일 2025.06.06

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MLC 낸드 플래시 기반 저장장치의 쓰기 성능 개선을 위한 계층 교차적 최적화 기법 (A Cross Layer Optimization Technique for Improving Performance of MLC NAND Flash-Based Storages)

하나의 메모리 셀에 여러 비트의 정보를 저장하는 다치화 기법은 공정 미세화와 함께 낸드 플래시 메모리의 집적도를 크게 향상시켰지만, 그 반대급부로 MLC 낸드 플래시 메모리 ... 의 평균 쓰기 성능은 SLC 낸드 플래시 메모리 대비 두 배 이상 하락하였다. 본 논문에서는 MLC 낸드 플래시 기반 저장장치의 성능 향상을 위해 제안되었던 기존의 계층 교차적 최적 ... 화 기법들을 소개하고, 두 기법의 상호 보완성을 분석하여 해당 기법들의 한계점을 극복하는 새로운 통합 기법을 제안한다. MLC 낸드 플래시 디바이스에 존재하는 성능 비대칭성을 플래시

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.03 | 수정일 2025.06.06

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낸드 플래시 메모리 시스템에서 마모도 평준화를 위한 비트 에러율 기반 콜드 데이터 판별 기법 (Cold Data Identification using Raw Bit Error Rate in Wear Leveling for NAND Flash Memory)

Wear leveling techniques have been studied to prolong the lifetime of NAND flash memory. Most of s ... could not predict the real lifetime of NAND flash blocks. Therefore, these algorithms have the ... prolong the lifetime of NAND flash memory. Most of studies have used Program/Erase(P/E) cycles as

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.06.19 | 수정일 2025.06.27

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Bit-line 인가 전압 보정에 의한 다중 셀 낸드 플래시 메모리 CCI 에러 보정 (CCI Error Correction to Correct Bit-line Applied Voltage for MLC NAND Flash Memories)

본 논문은 CCI에 의한 다중 셀 NAND 플래시 메모리의 정보 왜곡을 보정하기 위한 새로운 방법으로 비트 라인에 인가되는 전압을 조정하는 방법을 제안하였다. 제안한 방법의 검증 ... 을 위하여, 먼저 20nm 디자인 룰과 64셀 스트링 게이트 구조를 갖는 다중 셀 NAND 플래시 메모리의 주변 가해자 3셀에 의한 피해자 셀의 문턱 전압 변화량을 분석하였고, 셀 ... this paper, we propose a new method which corrects the MLC NAND flash memory data error caused from

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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3차원 낸드 플레쉬에서 타원형 GAA SONOS 셀의 프로그램과 삭제 특성 연구 (Study of Program and Erase Characteristics for the Elliptic GAA SONOS Cell in 3D NAND Flash Memory)

본 논문은 소노스(SONOS) 형태의 타원형 게이트 올 어라운드(GAA) 구조를 갖는 플레쉬 셀의 프로그램과 삭제 특성을 채널의 이심률 변화에 대해 연구 하였다. 타원형 GAA

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.25 | 수정일 2025.05.27

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바이트 접근성을 가지는 비휘발성 메모리 소자를 이용한 낸드 플래시 파일 시스템의 부팅시간 개선 기법 (Boosting up the Mount Latency of NAND Flash File System using Byte-addressable NVRAM)

한국정보과학회 전병길, 김은기, 신형종, 한석희, 원유집

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.01 | 수정일 2025.03.06

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D램과 낸드플래시 반도체의 공통점과 차이점

REPORTD램과 낸드플래시 반도체의 공통점과 차이점? 학과 :? 학번 :? 성명 :? 담당교수 :? 제출일자 :목 차Ⅰ. 서론Ⅱ. 본론1. 차이는 전원을 껐을 때 나타나2 ... . 데이터 처리 속도도 달라Ⅲ. 결론Ⅳ. 참고 자료Ⅰ. 서론메모리 반도체 대표 선수로는 D램과 낸드플래시가 있다. 두 제품 모두 '메모리'라는 품목명에 맞게 정보를 저장하는 역할을 한다 ... 물가가 5% 넘게 오르며 3개월 만에 전월보다 상승 폭이 확대됐다. 특히 전기·가스·수도 물가가 20%이상 치솟으며 상승에 큰 영향을 미쳤다.그럼 지금부터 D램과 낸드플래시 반도체

리포트 | 5페이지 | 3,900원 | 등록일 2023.02.14

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