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MOSFET 기본 특성 수위조절 555timer BJT 결과보고서 LabView 정류 회로 mosfet특성실험
EasyAI “가변문턱값” 관련 자료
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"가변문턱값" 검색결과 1-20 / 171건

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    다중 가변 문턱값을 이용한 복셀 칼라링 기법에 관한 연구 (A Study on the Voxel Coloring using Multi-variable Thresholding)
    한국정보통신학회 김효성, 이상욱, 남기곤
    논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.12 | 수정일 2025.03.28
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    실험적 교정상수를 사용한 가변문턱값에 기초한 영상 쌍에서의 강인한 이상 물체 검출 (Robust Outlier-Object Detection in Image Pairs Based on Variable Threshold Using Empirical Correction Constant)
    대한전자공학회 김동식
    논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.12 | 수정일 2025.03.28
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    물리 세특 - 플랑크 상수의 크기 구하기,빛의 종류와 형광 무늬의 관계
    의 진동수를 조사하여 표에 기록한다. 5. 주어진 값으로 플랑크 상수를 계산한다. LED가 빛을 내기 위해서는 문턱전압보다 높은 전압을 가하여야 한다. 문턱 전압보다 높은 전압이 가하 ... 였을 때, n형 반도체에 있던 전자들이 p형 반도체로 이동하여 양공과 결합하면서 빛이 방출된다. 따라서 아래의 수식에 근거하여 각각의 LED의 문턱전압과 c/λ값을 구한 뒤 이 둘 ... 의 기울기를 구하게 되면 플랑크 상수(근삿값)를 구할 수 있다. 구한 플랑크 상수 값은 위의 자료에 나타나있다. (6.06E-34) hf = Eg = eV0 (V0 = 문턱 전압
    리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.08.21 | 수정일 2024.08.26
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    울산대학교 전자실험결과레포트 3장 반파 및 전파 정류회로
    을 인가하게 되면 다이오드는 도통되고, 흐르는 전압은 문턱전압0.59V이다. 반면에 역방향 다이오드를 반대로 하였기 때문에 양의 값을 가지는 전압을 도통시킨다. 그리고 출력전압은 저항 ... 으로 보면 완벽한 반파정류의 모습을 보였고 다이오드를 출력전압으로 보았을 때는 다이오드의 문턱전압이 포함된 반파정류의 모습을 볼 수 있었다. 실험에서 이론값과 측정값에서 오차가 발생 ... 하는 것을 확인할 수 있는데 이상적인 다이오드 소자와 실제 다이오드 소자간의 문턱전압이 다르기 때문에 결과적인 전압 값이 차이가 났고, 따라서 오차가 발생하였다. 또한 부하효과로 인해 측정하였던
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.11.14 | 수정일 2023.11.17
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    실험16_전자회로실험_결과보고서_전류원 및 전류거울
    전압의 출력 값이 움직이도록 하였다.검토 및 평가- 고찰사항전류 거울에서 전류 오차가 생기는 원인을 분석하시오.-MOSFET의 문턱 전압, 이동도 등 과 같은 제조 공정의 편차 ... 제목- 전류원 및 전류거울실험 결과- 회로 사진 및 결과 사진[실험회로1]전압측정값의 전압전압측정값의 전압* 로 측정하였기 때문에 (-) 부호가 나왔음전압측정값의 전압* 로 측정 ... 하였기 때문에 (-) 부호가 나왔음전압측정값의 전압* 로 측정하였기 때문에 (-) 부호가 나왔음전압측정값의 전압* 로 측정하였기 때문에 (-) 부호가 나왔음기존 책에 기재 되어있
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    BJT I-V Characteristics결과보고서[인하대 기초실험2 전자과]
    을 고려하면 해당 범위 내에서 값을 알맞게 구했음을 알 수 있다.★ 그래프를 그리고 이를 BJT의 동작 특성과 연계하여 설명• 예상 실험 결과: 가 문턱 전압을 넘은 이후부터 는 식 ... 에 따라 지수적으로 증가할 것이다.• 실제 실험 결과: 예상대로 가 문턱 전압(약 0.6V)를 넘긴 이후부터 가 지수적으로 증가함을 확인하였다.★ 정리한 표에서 측정한 값들의 동작 ... voltage = -0.0556V이다.실험 결과 두 경우 모두 가 문턱 전압을 넘어선 이후, 가 특정 값에 도달하기 전까지 가 급격히 증가하다가 가 더 증가하면 기울기가 감소한 일차 함수
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.08.28
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    [A+보고서] 전자회로 실험-다이오드 (다이오드의 특성 분석)
    ’를 선택하라.3. 순방향에서의 최대 전류를 세팅한 뒤 [런]을 누르고 I-V 커브를 얻는다.4. 순방향 바이어스에서의 접선을 최대 전류 값으로 맞추어 문턱전압을 구한다.5. 같은 실험 ... 곡선다른 LED다이오드도 전류가 급증하는 전압(문턱전압)에 차이가 있었지만 전체적인 개형은 실리콘 다이오드와 유사했습니다.다이오드들의 문턱전압을 구할 때는 마지막 두 측정값을 사용 ... 에서 마지막 두 측정값만을 추출한 데이터입니다. 이 두 측정값을 연결하는 직선의 x절편을 구함으로써 다이오드의 문턱전압의 근사값을 얻을 수 있었습니다.멀티미터로 측정한 문턱전압(V)특성곡선
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.06.28
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    기초전자회로실험 (전체리포트)
    가 잘 흐르지 않는다.[실험 3]위 실습 2의 가변저항을 최대로 하면 트랜지스터가 활성영역 모드로 작동이 되지 않는지 확인하시오.저항은 100ΩIbIeIcVbeVcb측정값0.69ma4 ... mA6.7mA7.1mA0.65v0.15v결과: 이미터 저항을 줄임으로써 입력저항이 작아져 전류값이 올라가고 전압이득 이 증가함.[실험 6]가변저항을 최소로 하고 다음과 같은 회로 ... ]V3의 전압을 0~12v 사이로 변화시키면서 Vgs와 Id를 측정하여 그래프를 그리고 그래프로부터 문턱전압을 구하시오.V30v1v2v3v4v5v6v7v8vVgs0v1.02v2.11
    리포트 | 67페이지 | 6,000원 | 등록일 2024.07.17
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    전기공학실험1 9장 다이오드 클리퍼와 클램퍼 결과
    을 더나타나게 된다.반대로 S2만 닫게 되면 -파형일때는 3V와 문턱전압을 더한 값이 되면 그대로 유지되고 +파형은 입력파형 그대로 나타나게 되는데 실험에서 나온 파형을 보면 문턱전압 ... 각각 문턱전압과 3V를 합친 값에서 파형이 잘려진 값을 나타나게 되는데 실험에서 3V를 인가하지 않았기 때문에 값이 제대로 나오지 않았다. 직류 값을 점점 증가하였을 때는 잘려지 ... 어 다이오드를 통과하므로 다이오드의 문턱전압을 제외한 나머지 전압이 R에 걸리게 된다. 실험에서 Vp-p가 3.5V로 나온 것으로 보아 문턱전압이 0.5V인 것을 알 수 있다.반대
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.12.02
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    전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 9 MOSFET 기본 특성)
    로 [그림 9-20]에I _{D} -V _{GS} 그래프를 그리시오. 또한 그래프로부터 문턱 전압(V _{th})을 구하시오.[그림 9-20] 측정고찰 : 그래프의 초반 양상이 동일 ... _SI 전압이 증가할수록 드레인 전류 I_D가 감소하는 경향을 확인할 수 있었다. 이는 PMOS 트랜지스터의 특성상 V_SG가 클수록 트랜지스터의 문턱 전압을 넘어서게 되면 채널이 좁 ... 되는 지점인 0.7V 부근이 문턱 전압임을 알수 있다.3 고찰 사항(1) NMOS의 문턱 전압이 양수이고 PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명하고, 이를 바탕으로 일반
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
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    다이오드 특성곡선 실험
    에 따른 다이오드에 흐르는 전류 값을 그래프로 그릴 수 있다. 그래프는 다음과 같다.그래프2이 그래프를 통해 알 수 있듯 문턱전압은 0.4V이고 그 후로 계속 전압이 증가함에 따라 전류 ... 에서 문턱전압은 0.4V으로 나타난다. 그 후로는 계속해서 전류가 증가하게 된다.Pspice 그래프1실제 실험실험장비 및 부품: 브래드보드, 저항, 다이오드, 멀티미터, 파워서플라이 ... 수 있는 데 이것을 문턱 전압 이라고 하고 반도체에서는 존재한다는 것을 알았습니다. 하지만 역방향으로 전압을 걸어주었을 때는 전자가 이동하려는 방향과 이온이 움직이려는 방향이 반대
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.09.25
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    서강대학교 일반대학원 시스템반도체공학과 연구계획서
    , 온전류 변화의 신뢰성 향상 열 공동 설계 관련 연구, Vertical-stacked Si0.2Ge0. 70 mV/dec 평균 문턱값 이하 스윙을 갖는 8 나노시트 터널 FET ... 분야 중에서 많은 관심을 가지고 있는 쪽은 음성 및 텍스트 기반 모션 생성 및 매칭 시스템 관련 연구, 에너지 효율적인 AI 계산을 위한 가변 비트 정밀도 MAC 마이크로아키텍처
    자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2023.05.24
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  • 자료 표지
    [경희대 A+] 실험 3. 직렬 및 병렬 다이오드 구조 예비결과보고서
    }를 계산하라. 2.(7)의 결과와 비교하라.(9) 그림 3-5 회로를 구성하라. 저항R값을 측정하고 기록하라.(10) 순서 1에서 측정한 Si과 Ge 다이오드의 문턱전압을 이용 ... 의 문턱전압을 이용하여V _{O}와V _{R}의 이론적인 값을 계산하라.(3) 전압V _{O}와V _{R}을 측정하고 순서 3.ⓑ의 결과와 비교하라.(4) 그림 3-7의 회로를 구성 ... 하라. 저항값들을 측정하고 기록하라.(5) 순서 1에서 측정한 Si 다이오드의 문턱전압을 이용하여V _{O},V _{R1},I _{D}의 이론적인 값을 계산하라.(6) 전압V _{O
    리포트 | 32페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.01.08
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    전자회로실험 과탑 A+ 결과 보고서 (실험 16 전류원 및 전류 거울)
    을 최대한 높이는 설계가 중요하다.(3) MOSFET 소자 선택에 따라서 전류원의 전류값의 편차가 발생하는 원인을 분석하시오.MOSFET 전류 거울에서 전류 편차는 주로 문턱 전압 ... 는 문턱 전압이다. 이 식을 통해 MOSFET의 게이트에 인가된 전압에 따라 드레인 전류가 결정된다.2. 전류 거울 (Current Mirror)전류 거울은 하나의 기준 전류 ... }가 가변이므로R _{REF} 값을 조정하면서 [표 16-1]에 기록하고, 원하는V _{pbias}전압과I _{REF}가 생성되도록 한다. 예비 보고 사항 에서 미리 정한 값 부근
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.12.19
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  • 판매자 표지 자료 표지
    경희대학교 기계공학과 기계공학실험 (기공실) A+ 보고서_LED제어(LAB VIEW 응용)
    해 LED(light emitting diode)를 켜본다.③ LED를 이용해 교차로 신호등을 꾸미고 LabVIEW로 코딩하여 교차로 상황을 재현한다.3. 실습 과정(a) 문턱전압 ... Analyzer 의 OUT+ 와 OUT- 의 단자에 각각 뽑는다.3a-2) NI ELVISmx Instrument Launcher 의 DMM기능을 실행하고 문턱전압을 확인한다.이때 다이오드 ... 를 관찰하게 되면, 한 쪽은 길고 한 쪽은 짧은 것을 관찰 할 수 있는데, 멀티미터를 연결할 때 긴쪽에 빨간색을, 짧은 쪽에 검정색을 연결해 주어야 문턱전압 관측이 가능하고, 반대
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.05.07
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  • 자료 표지
    EF 센서기반 손동작 신호 감지 및 자동 프레임 추출 (EF Sensor-Based Hand Motion Detection and Automatic Frame Extraction)
    (Motion Average) 필터를 통한 입력신호가 특정 문턱 전압값을 넘을 경우 감지되는데 감지시점 센서상의 정전하상태가 가변적이므로 주기적으로 offset 값을 계산 ... 강건하게 동작신호를 감지하여 검출할 수 있는 동적문턱치 방법(dynamic thresholding method)을 제안한다. 동작발생감지여부는 10Hz low-pass 필터와 MA ... 하여 새로운 문턱치를 동적으로 적용하는 방법이다. 이러한 방법으로 동작신호 감지율을 98% 이상으로 향상 시킬 수 있었다. 또한 일단 동작이 감지되면 정문턱치(positive
    논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.27 | 수정일 2025.06.04
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  • 판매자 표지 자료 표지
    MOSFET I-V 특성 결과보고서(기초실험2)
    수 없었으며, 저항의 값을 1K으로 변경해 실험을 진행했을 때 특성을 확인할 수 있었다. 실험을 통해 확인한 MOSFET의 문턱전압은 2V인 것을 알 수 있었으며 이를 기점 ... 에 인가하는 전압을 고정하고, GATE에 인가하는 전압을 변화시키며 DRAIN에 흐르는 전류와 DRAIN과 SOURCE사이 전압과의 관계를 확인하고 문턱 전압을 추정할 수 있 ... , MOSFET의 문턱전압이라고 추정할 수 있다. Vth보다 VGS가 작을 때 동작 영역을 CUTOFF, 그 이후를 SATURATION 영역이라고 할 수 있다. MOSFET은 ID
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.11.19 | 수정일 2023.11.29
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  • 자료 표지
    Exp3 연산증폭기 Operational Amplifier
    Vout을 측정한다. 다음 가변 저항을 출력 전압이 앞의 두 전압 값의 문턱 전압 이 되도록 맞추고 그 때의 VREF를 측정한다. 그림 3의 회로에 적분기 회로를 추가하여 그림 ... . Rin과 Rf에 흐르는 전류는 같고 방향이 반대가 되므로 이 된다. 증폭률을 구해보면 이 된다. 증폭률이 음의 값을 가지는 증폭기이므로 반전 증폭기라고 부른다. 비교기 비교기 ... 까지 적분하면 의 식을 얻게 된다. V0(t0)는 t0에서의 출력전압의 값이고 이므로 Cf의 초기전압과 같다. 적분시작전 커패시터에 어느 전류도 저장되어 있지 않으면 의 식을 가진다
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.03
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    전자공학응용실험 - MOSFET기본특성 / MOSFET바이어스회로 결과레포트
    정확한 문턱 전압을 알 수 없었다.이처럼 9-1,2,3 실험에서 오차가 발생한 이유는 먼저 예비 보고서에서 시뮬레이션으로 진행했던 실험과 VDD, VSIG 값을 다르게 세팅하고 실험 ... , 측정 장비의 내부 저항 등이 측정 값에 영향을 미쳐 오차가 발생 하였다.4. 고찰사항:실험 9:1) NMOS의 문턱 전압이 양수이고, PMOS의 문턱 전압이 음수인 이유를 설명 ... mASaturation3) 실험회로1 VDD=6V, RD=0Ω 일 때, VSIG를 0~6V까지 0.5mV씩 변할 때 IDVth(문턱전압)는 약 2.5v[표 9-4]VSIG 전압VGS
    리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.12.20
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  • 자료 표지
    [경희대 A+] 물리학및실험 기초회로실험 레포트
    V, 0.5V, 0.7V, 1V, 2V, 3V, 4V, 5V로 바꿔가며 위 과정 2)를 반복하여 문턱전압V _{th} `를 찾는다.4) 다이오드의 역방향으로 전압 V를 1V, 2V ... -V _{1} -V _{2} =0위의 세 가지 방정식을 풀고, V=IR의 Ohm’s law를 이용하여 각 저항의 전류와 전압의 크기를 구할 수 있다.분석 및 토의- 문턱전압 존재 ... 이유우선, 문턱전압이란 트랜지스터가 전류를 흘릴 수 있게 되는 채널을 형성하기 위한 최소 전압입니다. 따라서 채널을 형성하기 위해서는 양단 전위차가 문턱 전압보다 높아야 합니다.
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.07.05
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2025년 08월 06일 수요일
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