"금속저항소자"의 검색결과 입니다.

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초전도체 alpha step 계측공학 열 센서 그래핀 투광성 알루미나 반도체 공정 Reram 방열판 설계 mosfet 광운대 센서공학

"금속저항소자" 검색결과 1,941-1,960 / 2,797건

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실리콘웨이퍼의 전기적특성 변화

금속원소.원소기호 Si , 원자번호 14 , 원자량 28.0855 , 녹는점 1414℃ 끓는점 2335℃ ,비중 2.33(18℃)2) Si wafer집적회로를 만드는 토대가 되 ... 세이다. 현재는 소자 제조용으로는8 inch silicon wafer가 주종을 이루는 가운데 12 inch가 개발되고 있는 추세이다.제품으로는, 2 inch, 3 inch, 4 ... .(e) 증류수로 5분간 세척한다.(f) N2 gun 으로 건조시킨다.5) Hall effect, 저항, 비저항, 전도도 측정6) SEM을 통한 표면 관찰4. 결과예상1) 열처리

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.13 | 수정일 2021.11.24

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변압기, 열전효과(Seebeck 효과 ,Peltier 효과 )

변환을 실용화하기 위해서는 Seebeck 계수가 크고 전기비저항과 열전도도가 작은재료가 필요하다는 것이 밝혀졌습니다.그러나 금속은 종류에 관계없이 Wiedemann-Franz ... 의 법칙에 의해 전기비저항과 열전도도의 곱이일정하기 때문에 전기 비저항과 열전도도를 동시에 낮추는 것은 불가능합니다.또한 금속은 Seebeck 계수가 매우 적기 때문에 금속재료의 접합대 ... 다.V₁ * I₁ = V₂ * I₂ , ?I₂ = I₁ * (V₁ / V₂)*다이오드전자현상을 이용하는 2단자 소자를 말한다. 반도체 다이오드는 주로 점접촉 다이오드를 의미

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.22

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전기변색소자(electrochromic) 물질 합성 및 색 변화 관찰

1. 실험 제목 : 전기변색소자(electrochromic) 물질 합성 및 색 변화 관찰2. 실험 요약전기증착법(electrodeposition)을 이용하여 산화텅스텐(WO3 ... )박막을 합성하고, 순환전압전류법(Cyclic Voltammetry)을 통하여 합성된 박막의 전기적 특성을 파악하여 전기변색소자 장치(electrochromic device)의 원리 ... ------------1) 전기도금전기분해의 원리를 이용하여 물체의 표면을 다른 금속의 얇은 막으로 덮어 씌우는 방법이다. 오늘날 일반적으로 도금이라고 하면, 전기도금을 말

리포트 | 6페이지 | 15,000원 | 등록일 2007.12.12

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자동제어 부품실험

하는 방로세서제어용으로 많이 사용하고 있으나 가격이 다소 비싼 것이 흠이다.나. 서미스터금속산화물을 소결하여 만들며 온도에따라 저항치가 변하는 특성을 이용한 것으로 부특성(NTC ... 는 주로 온도감지, 온도보상, 액위/풍속/진공검출, 돌입전류방지, 지연소자등으로 사용되고 있으며 PTC 서미스터는 모터기동, 자기소거, 정온발열, 과전류보호용으로 사용된다. 최근 ... 에는 기술개발의 진보로 극저온, 저온, 고온용의 서미스터들이 개발되어 사용중에 있으며 응용범위도 폭넓게 확대되고 있다.다. 열전대 (Thermocouple)두종류 금속선의 접합점양단

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.03.13

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[자연과학]전위계차에 의한 기전력 측정

저항선을 감아 붙인 것으로, 접점에는 귀금속 재료가 사용② 도전성 플라스틱형(CPP)형: 열경화 플라스틱 속에 탄소 입자를 혼합시킨 저항 소자③ 하이브리드형: 하이브리드형의 저항 ... 하게 측 정하기 위한 준비가 된 것이다.한편, 저항소자에 무엇을 사용하는가에 따라 전위차 계는 다음과 같이 분류된다.① 권선형 저항기: 심선 위에 Ni-Cr계, Cu-Ni계의 합금 ... 차계에서는 측정되는 대상에서 전혀 전류를 취하지 않는다는 점이다.전위차계의 원리를 보면 A-B 간의 저 항이 전위차계의 주요부이다. 이 저항은 온도 등으로 값이 변하지 않고, 또한

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.05.04

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첨단세라믹 종류및 응용분야/ 세라믹 소결방법

게 되고, 이것은 윤활류의 수명을 증가시키게 된다. 또한 강 베어링에 비하여 낮은 등급의 윤활 레벨이 사용된다. 한편 세라믹 재료는 금속 합금에 비하여 내 부식 저항성이 우수하기 때문 ... 한 시간간의 차이로부터 결정한다.최근, 장치의 자동화 및 복잡한 장치에 대한 수요가 급증함에 따라서 압전 소자에 대한 적용이 증가하고 있다. 압전 소자는 자동차, 컴퓨터, 의료 ... bonitride, silicon carbide-silicon nitride의 합금)이 고려되고 있는데, 이 재료는 금속 유기 전구체로부터 제조하는 것이 가능하다. 이러한 세라믹 MEMS

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.05.15

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TTL IC와 CMOS IC

해 왔다. 논리계열이란 함께 사용될 수 있는 소자들의 그룹을 말한다. 같은 계열의 IC는 서로 호환성이 있으며 다른 것과 쉽게 연결하여 사용할 수 있다. 논리계열들 중에서 한 그룹 ... 은 바이폴라 기술을 사용하고 있으며,바이폴라란 칩 설계시 정공과 전자를 동시에 사용하는 것이다. 이러한 계열의 IC들은 바이폴러 트랜지스터, 다이오드, 저항을 사용하고, NPN ... 형 트랜지스터를 중심으로 만들어 졌다.모든 TTL 소자는 정격 전압으로 5V의 직류 전원을 이용하며, 양의 전원(Vcc)과 음의 전원(GND)은 각각 IC의 14핀과 7핀에 연결

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.14

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가속도계

게이지*금속 저항선은 외력에 의해 신축, 길이가 변화함으로써 전기저항이 변함.*감도는 별로 높지 않다.*전용 앰프가 필요하며, 가격이 비싸다가속도: 0.2~1000G주파수: 0 ... 에서 사용하는 것은 압전소자의 역학적 성질을 전기적 성질로 변환시키는 효과를 이용한 것이다.? 압전소자의 극성방향에 대해 힘을 가하면 양쪽 면에 전하가 발생하며 이에 의하여 전위차 ... 방식 모두를 사용하여 가속도계를 제작하나 그 용도에 차이를 가진다.압축형 가속도계의 원리진동체에 측정하고자 하는 방향으로 가속도계를 부착하게 되면 가속도계 내의 관성 질량이 압전소자

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.12.26

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FET특성 및 증폭기

는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 흐르는 전자류(電子流)를 게이트(gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다. 즉, 채널의 저항 ... 를 바이패스 했을 때): RS를 바이패스하지 않았을 때의 전압이득: 공통소스증폭기의 Q점: 자기 바이어스된 JFET 전류: 입력 저항(자기 바이어스): 입력 저항(전압분배 바이어 ... 이 매우 적어 저잡음 TR로부르기도 한다. 초소형화 되어 Memory 소자에 사용 되고 마이크로 프로세서에도 사용된다.FET는 전압 제어형이고 공핍층(공간전하 영역)의 변화가 주

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.06.23

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탄소나노튜브에관하여

는 흑연 면(Graphite sheet)이 나노 크기의 직경으로 둥글게 말린 상태이며, 이 흑연 면이 말리는 각도 및 구조에 따라서 금속 또는 반도체의 특성을 보인다. 또한 벽 ... 의 PTC/NTC 특성-positive temperature coefficient(PTC) 현상특히 정온도에서 급격히 전기저항이 상승하는 현상으로, 일반적으로 결정성 고분자에 전도 ... 성 충전제 혼합물의 온도가 증가하여 결정 용융 부근에 도달하면 고분자의 부피가 팽창하며 전도성 충전제의 전자터널 밀도가 낮아져 전기저항이 커지고 전기 전도성이 감소한다. 또한 온도

리포트 | 14페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.18

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초음파센서 제어

메모리가 enable될 때 사용되는 address latch enable포트A(PA7~PA0)44~51포트 A는 반이중 I/O 포트로 내부 풀업저항이 있다. 8비트 양방향성 I/O ... 포트, 외부 메모리를 둘 경우 주소(A7~A0)/데이터 버스(D7~D0)로 멀티플렉스 됨포트B(PB7~PB0)10~17포트 B는 반이중 I/O 포트로 내부 풀업저항이 있다. 8비트 ... 양방향성 I/O포트 등 별도의 기능을 가짐포트C(PC7~PC0)35~42포트 C는 반이중 I/O 포트로 내부 풀업저항이 있다. 8비트 양방향성 I/O포트, 외부 메모리를 둘 경우

리포트 | 36페이지 | 3,000원 | 등록일 2007.12.11

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다이오드

로, 스위칭 회로에서 핵심 부품이다.BJT와 달리 FET는 단극성 소자이다. 즉 전도과정이 주로 1가지의 전하 운반자에 의해서 이루어진다. FET의 종류로는 금속-산화물-반도체 ... Ohm. 2W 가변저항1M Ohm 저항4.7k Ohm 저항실험방법 : 반도체 다이오드를 포함하는 것이 보여진다. 이 회로에서 전압과 전류를 측정. 기록하고 그래프를 그려라.x10 ... 이나 x100 스케일에서 거의 0인 저항계를 구해라. material list에서 하나의 다이오드를 가져오라. 다이오드 한쪽에서 저항계를 읽으면 높은가, 낮은가?스위치로 원래 위치

리포트 | 20페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.08

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[서울대학교 물리실험 레포트] 실험6. 전기회로

빈도에 반비례)한다. 이러한 모형에 의하면 저항은 금속 도체의 온도가 높아짐에 따라서 증가할 것이다.따라서, 옴의 법칙은 그렇게 완전한 법칙이 아니고, 다만 도선 속에서 비교적 잘 ... 와 부도체의 차이는 원자를 이루는 전자에 의해 결정이 된다. 금속은 전자들이 자유롭게 이동하기 쉽기 때문에 도체이고, 나무토막같은 부도체에도 전자가 있지만 쉽게 이동하기 어렵 ... 다. 이렇듯 도체와 부도체의 차이는 전자의 이동성이다.Q.전기회로가 무엇인지 정의하시오-단순히 회로라고도 한다. 회로에는 전류 ·전압의 분포에 영향을 미치는 요소(회로소자 또는 회로부품

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.28

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고체산화물 연료전지(SOFC)에 대해 일목요연하게 정리하였습니다.

공정상의 한계를 극복할 수 있는 기반기술로서 최근 그 수요가 급증하고 있는 휴대용 정보통신기기나 마이크로 소자 등에 필요한 고출력, 고성능 소형 전원장치는 물론 각종 고상 전기화학 ... 장치(battery, solar cell, electro- and photo-chromic window, gas sensor 등), 바이오 칩, 광소자 구성에도 활용할 수 있을 것 ... 의 열로 기존 YSZ 전해질층의 두께를 줄이고 새로운 첨가물을 추가하여 전해질 저항손실을 최소화하기 위한 연구를 수행하고 있으며 아울러 Gd3+, Sm3+ 등의 란탄족 이온이 첨가

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.12 | 수정일 2021.11.21

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[반도체공정] 금속배선

?알루미늄이나 금 혹은 텅스텐 등의 금속은 소자에 전도층을 형성하는데 사용됩니다. 일반적으로 금속은 이베포레이션(Evaporation:증류)과 스퍼터링(Sputtering)등의 두 ... 가지의 다른 방법으로 주입되는데, 이것들은 박막 증착법의 범주에 속하는 것입니다.박막 증착법: 외부로 부터 소자 구조를 연결시키기 위해서는 금속층의 증착과 패터닝이 요구 ... 으로 부터 회로나 소자를 보호하기 위해 증착되게 됩니다.이베포레이션(Evaporation): 이베포레이션은 금속재료를 증착시키기 위해 고진공(5x10-5 ~ 1x10-7torr)에서 전자빔

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.29

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[전자재료]텅스텐(W)과 구리(Cu)의 비저항 및 MEMS

☞ W(텅스텐)과 Cu(구리)의 비저항텅스텐 = 3.5×10?? Ω?m at 20℃구리 = 1.72×10?? Ω?m텅스텐과 구리의 경우 다른 금속들보다 비저항값이 매우 낮아 전기 ... 로 인한 단선이 줄어들게 된다.결과적으로 수명이나 효율적인 측면에서 봤을 때 W과 Cu를 많이 사용한다. 이 외에도 비저항값이 낮은 금속들( ex)Au,Ag )이 있지만, 비용상 W ... 그대로 전자기계 소자를 육안으로는 보이지 않을 정도로 작은 마이크로 규모로 제작하는 기술을 일컫는다. MEMS 기술은 개략적으로 정의하면 아주 작은 기계 구조물을 제작하는 모든 분야

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.09.14

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초전도체

Onnes  라이덴에서 헬륨의 액화 성공 1911년 : Hg저항이 액체헬름온도에서 저항 사라짐 발견 1933년 마이스너,옥션펠드 : 초전도현상이 완전 반자성체임을 발 견 ... 도접합의 터널현상 발견 1986년 IBM의 베드노르츠와 뮐러에 의해La-Ba-Ca-O초전도체의 역사(2)초전도체의 정의정의  매우 낮은 온도에서 전기저항이 0에 가까워지는 초전 ... 도 현상이 나타나는 도체. 특징  초전도체는 직류 전류에 대해 저항이 전혀 없는 완전도체.  초전도체로 된 고리에 전류를 흘려 주면, 초전도체를 따라 흐르는 초전류는 감쇠하지 않

리포트 | 23페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.05.30

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트랜지스터 제조법

- Semiconductor)형으로 나누어진다. 바로 이런 트랜지스터, 저항, 캐패시터가 웨이퍼 위에 만들어지며 서로 연결되어 반도체로서의 기능을 발휘하게 된다.제조에서 검사까지1. 웨이퍼 ... . 전자방출 재료1. 열전자 방출2. 전기장 방출3. 2차 전자 방출4. 광전자 방출반도체 재료1. 열전자 방출전자방출 재료금속 가열 전자 탈출 W=kT[J] (k:볼츠만 상수 ... 』. 서울:사이텍미디어. 김광호,김용상,송정근,이용재,정항근,최혁환.2003. 『반도체 물성과 소자』.서울:한국맥그로힐 박창엽.2004.『전기물성공학』.서울:ITC. 한국 반도체

리포트 | 26페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20

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재료공학실험 (MOS 전계효과 트랜지스터)

을 이용하는 것은 접합형 전계효과 트랜지스터(junction FET : JFET), 금속-반도체 구조의 쇼트키 접촉을 이용한 쇼트키 장벽 전계효과 트랜지스터(Schottky ... barrier FET : SBFET 또는 metal semiconductor FET : MESFET), 금속(metal)-절연체(insular)-반도체(semiconductor)의 구조 ... 의 채널영역은 저항체와 같이 ID-VD 특성은 직선 관계를 나타낸다. VD 가 증가하면 게이트와 n형 반전층 사이의 평균적인 전위차가 적게 되어 절연층에 걸리는 전계가 약해지

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.01

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옴의 법칙

.com■ 실험 목적- 간단한 여러 회로에서 오옴의 법칙을 적용하는 것을 목적으로 한다.- 주어진 금속도체를 지나는 전위차 함수로서의 전류의 변화를 측정- 전위차가 일정할 때 저항 ... 33장. Ohm의 법칙과 저항http://newton.hanyang.ac.kr/~mskimhttp://myhome.hanyang.ac.kr/jacobminjuliese@empal ... 의 함수로서의 전류변화를 측정■ 중요내용 및 보강할 내용ⓐ 오옴의 법칙이란?- 전류의 크기는 전압의 세기에 비례하고 저항의 크기에 반비례한다.※ 전자회로에서 다루는 전류나 전압

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.10.27

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