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반도체 용어집 전력반도체 반도체 photolithography 반도체 공정 반도체 원리 반도체 종류
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"3 5족 트랜지스터" 검색결과 161-180 / 235건

  • 자료 표지
    옴의 법칙
    )의 법칙이라 한다. 반면에 반도체를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.[그림 1]IV족 원소인 ... 되어 아주 큰 저항을 갖고 있다. 이 결정에 III 족이나 V 족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 인(P)과 같이 5개의 원자가 전자를 갖는 V 족 원소가 미량 ... 게된다. 이와 같이 V 족 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 갖는 반도체를 n형 반도체라 한다. 반면에 갈륨(Ga)과 같이 3개의 원자가 전자를 갖는 III 족 원소를 IV족 원소
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.23
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  • 자료 표지
    반도체와 도핑된 반도체, 복사기의 원리, 트랜지스터 발표 자료
    물질.- 일반 적인 상태에서는 부도체와 비슷하지만 불순물의 첨가(Dope)나 열에 의해 전기전도도를 가지는 물질.모든 물질은 전도의 성질에 따라 3가지로 분류되는 데 그 구분 ... )도체절연체010-510-4107108Ω반도체분자 화합물과 달리 3차원 적으로 원자간의 결합이 연속적으로 이어지는 확장 된 결정 격자에서는 분자 화합물에서 보는 분자 궤도함수와 달리 ... 는 Band gap energy(Eg)라 한다. 절연체는 이 Eg가 큰 반면(약 3 eV이상) 반도체는 3.0eV이하의 Band gap를 갖는다.Conduction
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.11.26
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  • 자료 표지
    광전도 Cell (CdS Cell)
    Ⅳ족, Ⅲ-Ⅴ족, Ⅱ-Ⅵ족 등 다양한 종류가 있다. SiGe과 GaAs는 에너지갭이 ∼1eV, 1.4eV인데 비해 SiC와 GaN는 에너지 갭이 3.0∼3.3eV, 3.4eV ... 1.실험제목: 광전도 셀 (CDS)2.실험목적: (1) 광전도 셀의 원리를 이해한다.(2) 광전도 셀을 이용하여 빛의 세기에 따른 저항변화를 알아본다.3.실험이론 및 방법광전 ... 은 물질에서볼 수 있는데, 감도가 좋은 것으로서 CdS, CdSe, PbO, PbS, PbSe, PbTe, Sb2S3,Tl2S, Se, Si, Ge 등이 있으며, 촬상관 ? 복사측정
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.09
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  • 자료 표지
    [경영]sony
    의 트랜지스터 라디오 개발? 1958 Sony Corporation? 1960 트랜지스터 TV(세계최초), 미국 지사 설립? 1968 고선명 컬러 TV 브라운관? 1972 미국 ... ? 1992 미국 샌 안토니오에 반도체 공장 가동? 2005.3 미국인 CEO 하워드 스트링거 선임 발표소니사는 1946년 1월 故 Ibuka Masaru와 Morita Akio가 동경 ... 통신 공업 주식회사를 창립하였다. 소니사 제품들에 간략히 소개 하자면, 전기밥통은 소니의 설립자들에 의한 최초의 아이디어 상품들 중 하나였다. 이후에도 세계최초의 트랜지스터 라디오
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    | 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.07
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  • 자료 표지
    [반도체]최신반도체기술 & 웨이퍼생산
    Compound Semiconductor)- 3족에 속하는 Ga와 5족에 속하는 Asdnjs자를 합성해 만든 화합물 반도체- 전자 이동도가 Si과 비교해 약 5~6배 빠르다.- 고온 ... 에서 동작이 가능- 장점 ① 동작속도가 Si에 비해 5배이상 빠르다② 출력 및 소모 전력의 성능이 Si 대비 5~6배 효율적③ 고주파 특성을 갖는 소자의 제조 공정이 실리콘 집 ... 으로 기대됨- 산화물과 금속박막을 최대한 얇게 쌓을 수 있다는 특징? 게이트 산화막 기술 (Gate Oxide Formation)- 실리콘 기술이 발전함에 따라 MOS 트랜지스터
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.28
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  • 자료 표지
    나노 기술의 2003년 이후의 각 국의 최근 동향
    ◆ 서 론◆ 본 론1. 나노기술이란?2. 나노기술의 특징과 특성3. 나노기술의 역사4. 나노기술의 분류5. 나노기술의 응용분야6. 각국의 나노기술 동향7. 국내외 주요 연구동향8 ... 공학ㆍ내열, 내마모성을 갖는 나노코팅(5) 각국의 나노 기술 동향1) 미국의 경우나노기술이 최근 2~3년 사이에 세인의 이목을 끌게 된 것은 1999년 미국에서 발표된 나노기술 연구 ... 다고도 알려져 있는데 이런 자성 입자는 크기가 수 nm로 주로 코발트나 코발트와 백금의 합금형태로 이뤄진다.(2) 나노기술의 역사(3) 나노기술의 분류일반적으로 나노기술은 크게 나노소자
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.13
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  • 자료 표지
    다이오드에 대하여
    저항을 매우 커지게도 할 수 있다.(3) 반도체가 빛을 받으면 저항이 작아지거나 전기를 일으키는데 이를 광전효과라 한다.반도체는 위처럼 여러 가지 특징들을 가지고 있기 때문 ... 에 이것들을 이용하여 특별한 성능을 가진 부품을 만들 수 있습니다. 반도체의 종류에는 다이오드, 트랜지스터, 직접회로(IC: Integrated Circuit)등 여러 가지가 있지만 제 ... 한 반도체 물질에는 주기율표 4족의 규소(Si)나 게르마늄(Ge)이 있습니다. 이 순수한 반도체 물질을 진성반도체라고 하는데, 진성반도체에 불순물을 첨가하면 저항이 감소되도록 조절할 수
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    | 리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2006.11.17
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    [일반물리] 전기 저항
    를 이용한 다이오드나 트랜지스터의 경우에는 옴의 법칙이 성립되지 않고 전기저항이 걸린 전압의 방향이나 크기에 따라 달라진다.{[그림 1]IV족 원소인 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge ... 다. 이 결정에 III 족이나 V 족의 불순물이 들어가면 일반적으로 전기저항이 감소한다. 인(P)과 같이 5개의 원자가 전자를 갖는 V 족 원소가 미량 첨가되면, 이 V 족 원소 ... 불순물을 첨가하여 자유로운 전자를 갖는 반도체를 n형 반도체라 한다. 반면에 갈륨(Ga)과 같이 3개의 원자가 전자를 갖는 III 족 원소를 IV족 원소 결정에 미량 첨가
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.28
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  • 자료 표지
    정보화사회와컴퓨터
    컴퓨터의 발달과정을 몇개의 세대(世代)로 나누어 보면, 제1세대는 진공관을 주요 소자(素子)로 하는 컴퓨터로 1950년부터 56~7년까지, 제2세대는 트랜지스터와 다이오드 등 ... 것이다.특히 오늘날의 컴퓨터는 인간만이 할 수 있는 ‘생각’의 영역에까지 연구되고 있으며, 이러한 제5세다 컴퓨터의 출현은 컴퓨터를 단순히 계산하는 기계로만 생각하던 우리의 의식 ... 다. 그것이 좋은 쪽이든 나쁜 쪽이든 오늘날 제3의 산업혁명시대, 즉 정보화 사회를 탄생시캤으며, 이러한 시대에 살고 있는 우리로서는 컴퓨터가 인간과 조직에 어떠한 영향을 주
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.10
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    전도성 폴리아닐린의 유화합성
    방법항온 진탕조에서 반응 먼저 약 20 mL의 DI water를 60oC로 조절된 반응기에 자석 교반기와 함께 넣는다. 다음 정량가능한 파이펫으로 10.6 (or 5.3) mL ... 다. 응용분야 ; 투명 전도체, 전자파 차폐용 박막, 이차전지, 전기변색소자, 발광다이오드, 레이저, 초고속 스위치, 비선형 광학 소자, 감광 재료, 광 기록 소재, 트랜지스터, 화학 ... , aniline의 전기화학적 산화, FeCl3에 의한 산화에 관한 논문이 발표되었다. 그 중 특히 중요한 것으로 emeraldine form의 전도도에 대한 산의 효과, 기본적인 전기화학
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    | 리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.20
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  • 자료 표지
    [경영]실리콘 밸리에 대하여
    '인벤션팀(Invention Team)'으로 불리는 트랜지스터 3인방, 즉 존 바르딘, 월터 브라튼 그리고 윌리엄 쇽클리에 의해 발명된 트랜지스터의 출현이며, 이들은 거대한 메인 ... 프레임의 진공관을 대체시킬 신소재 장치의 기본 메커니즘을 개발, 1956년 노벨 물리학상을 수상하는 영광을 누리게 된다.트랜지스터 3인방의 팀장이었던 윌리엄 쇽클리는 영국 런던 ... . Davisson)과 함께 연구할 수 있는 기회를 제안하지만, 그는 머빈 켈리의 진공관 연구소로 방향을 바꿔, '인벤션 팀' 3인방의 일원으로 트랜지스터를 개발하게 된다. 물론
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.12.20
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    소니의 경영전략
    -2003 전자업계 fortune 3위(삼성 5위)1.sony의 기업소개총 매상고별 영업수익 5.7%, 소니 생명보험, 소니 파이낸스 인터내셔널, 소니 손해보험금융총 매상고별 영업수익 ... 해 경영의 투명성을 높인다는 계획2.sony의 미국 진출1.미국 내수시장의 특장 -민간 소비자지출이 GDP의 2/3를 상회하는 5조 9,997억불을 점하고 있는 소비대국 -소비자의 대 ... 엔(30억5천만달러) 비용절감 효과3.현재의 sony●디지털 인프라 구축-소니는 가정에 있는 모든 종류의 전자 제품을 PC, TV 또는 게임기를 중심으로 연결 계획 추진 * Video
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    | 리포트 | 26페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.01.22
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    [화학실험] Nanocrystal
    은 ll-Vl족 반도체의 하나인 카드뮴셀레나이드(CdSe)나노입자를 콜로이드 용액법으로 합성하는 것이다. 이를 통해 나노 입자가 어떠한 메커니즘으로 형성이 되며 그 특성을 발휘하기 위 ... (diode)라고 하며 이것이 반도체 소자의 기본이 된다. 반도체는 다이오드와 트랜지스터 등으로 이루어진 집적회로소자 이외에도 열전자방출소자, 전자식 카메라의 전하결합소자(CCD; c ... 를 가져다 주기 때문에 반도체를 ‘마법의 돌’이라 부르기도 한다.3. Experiment procedure & Analysis process 9)3.1 Experiment
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.21
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  • 자료 표지
    [전자물성]화합물반도체란
    ㎝ 범위에 있는 물질이며, 어떤 온도 이상으로 온도가 높아질수록 저항률이 떨어지는 것이다.여기에는 원소 주기율표 3-5족의 비소화갈륨 GaAs·인화갈륨 GaP, 2-6족의 황화카드뮴 ... 《피지컬리뷰》에서 3족과 5족 원소를 조합시키면 4족과 같은 반도체 결정이 될 것이라고 지적하였다.실제로 반도체 성질이 있다는 사실을 알게 된 것은 독일 지멘스회사 H. 벨커 ... 다이오드·반도체레이저·수광다이오드이다.발광다이오드는 3-5족 화합물반도체인 비소화갈륨(적외선)·인화갈륨(적·녹)·비소화인화갈륨 GaAsP(황), 4-4족의 탄화규소(청), 광전변환
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.18
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  • 자료 표지
    반도체 용어 정리
    며, PECVD등도 있다.* MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의 응용분야MOCVD로 증착시킨 Ⅲ-Ⅴ족 GaN의 응용분야에 대한 글입니다.GaN는 3.39eV의 직접천이형 밴드갭 ... )의 개발이 보고된 이후 세계적으로 활발하게 연구 되고 있는 유용한 물질이다GaN는 상온에서 a=3.189Å c=5.185Å의 격자상수를 가지며, 질소의 전기 음성도가 커서 안정상태 ... tacked) waveguide들을 생성함으로써 그들은 일반적인 마이크로 제조 기술들의 사용을 통해 3차원에서 복잡한 광학 회로들을 만들 수 있는 가능성을 보인다.3
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.23
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    반도체 제조 공정
    ) ? HSiSiH3 + H2(g) (1.5)위의 기상 반응들은 정반응(forward reaction)과 역반응(backward reaction) 속도를 각각 가지는 반응들로서 이 ... 화합물 반도체(예: GaAs) 에피택시에 있어서의 가역 할라이드 환원반응 계는 그 V족 원료로 염소화합물(예: AsCl3)이 사용되는 경우와 수소화합물(예: AsH3)이 사용 ... IC칩이 완성되는 것이다.본 장에서는 이러한 여러 가지 반도체 공정 중 특히 반응공학을 기초로 한 반도체 공정에 대해 살펴보기로 한다. 초기 트랜지스터(transistor
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 15페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.05.01
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  • 자료 표지
    수소센서
    나 영향을 받지 않아야 한다.2) 응답 속도가 빠르고 반복 측정을 할 수 있어야 한다.3) 분위기, 습도, 온도 등의 변화에 영향을 받지 않고 경시적으로 안정된 감도를 나타내어야 한다 ... 재료검출 가스반도체 가스센서전 기저항식표 면 제어형SnO2, ZnO, In2O3, WO3, V2O4,귀금속증감제, 유기반도체, 금속프탈로시아닌, 아트라센가연성가스, CCL2F2 ... , CO, NO2벌 크 제어형γ-Fe2O3, α-Fe2O3, CO3O4, SrS, SnO2 CoO, CoO-MgO, MnO가연성가스O(2공연비)비전기저항식다이오드 정류작용Pd/Cds
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    | 리포트 | 69페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.06.10
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    [마이크로 일렉트로닉스] 마이크로 일렉트로닉 개요
    와 반대로 중간영역의 에너지 준위가 바깥 영역인 n형 영역에 비하여 높게 된다.11.3.5 n-p-n형 트랜지스터에 미치는 바이어스의 영향이미터-베이스간의 접합이 순방향 바이어스되 ... 스된 경우 전압을 가함에 따라 전류가 급격히 증가하나, 역방향으로 바이어스가 걸릴 경우 비전도성을 나타낸다.11.3.3 트랜지스터트랜지스터는 전기적 신호를 증폭, 제어 또는 생성 ... 트랜지스터 형태가 가능하다. 반도성 샌드위치의 중간지역을 베이스라 하며 나머지 두 영역을 각각 이미터(emitter) 및 콜렉터(collector)라 한다.11.3.4 접합 트랜지스터
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.07.02
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    [취업/면접] 우리나라 최고기업 면접시험때 나온 질문과 그 모범 답변 및 준비사항
    )의 전압-전류 특성과 유사하며 그것과 같은 용도에 쓰인다.소재로서는 갈륨인[燐化갈륨:GaP) ·갈륨비소 등의 3족~5족 간의 화합물 반도체가 쓰이며, 이것들에 알루미늄 등을 첨가 ... TransistorBipolar - 양극의, 두개의Junction - 접합Transistor - 트랜지스터즉, 양쪽 극을 접합시킨 트랜지스터를 의미합니다.....FET : Field Effect ... TransistorField - 영역, 공간Effect - 효과Transistor - 트랜지스터즉, 전계효과 트랜지스터를 의미합니다.......사진은 구하질 못했네여....그럼 도움이 되
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    | 리포트 | 38페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.01.13
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  • 자료 표지
    [일반물리학실험]반도체 정류회로
    형 반도체는 4가 원소인 규소(Si), 게르마늄(Ge)에 5가 원소인 인(P), 안티몬(Sb), 비소(As)를 소량 첨가해서 만든다. p형 반도체는 4족 원소인 규소(Si), 게르마늄 ... (Ge)에 3족 원소인 붕소(B), 알루미늄(Al)을 소량 첨가해서 만든다. 반도체 다이오드는 이러한 n형과 p형 반도체를 접합시켜 만든 것이다. 그리고 전류를 한쪽방향으로만 흘려 ... 에 대하여 매우 낮은 저항값을 나타내므로 2차 전압의 대부분이 부하저항 R_L 양단에 나타난다. 순방향 바이어스된 다이오드는 대표적으로 실리콘의 경우 0.5V에서 1.0V
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.11.24
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2025년 12월 08일 월요일
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