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"채널 파라미터" 검색결과 121-140 / 541건

  • ERP개념 및 시스템 구성
    시스템과의 연동 가능④ 파라미터 지정에 의한 개발⑤ 확장 및 연계성⑥ 글로벌 대응이 가능⑦ 의사결정을 위한 다양한 정보 제공* 필자가 다니는 회사가 ERP 구축 시고려했던 내용 ... - 전사적 자원 관리 가능국내사례* Cjmall[도입배경]이전프로그램 : 엑셀/ 수기이용오프라인 채널 테스트 차원에서 매출 및 재고관리 시스템이 필요하여 도입[도입효과]기존
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.04.22
  • AB급 푸시풀 - 결과
    트랜지스터 - 2N3906 PNP 실리콘 트랜지스터- 0-15V 직류전원장치- 신호발생기- 2채널 오실로스코프- 브레드보드 DMM 또는 VOM2. 실험 결과실험[ 그림 1 ] 회로구성도 ... [ 그림 2 ] 브레드 보드 결선회로 (R2,R3 - 1kΩ)[ 그림 3 ] 오실로스코프 측정 파형[ 표 1 ] 교차 일그러짐이 없는 전압 분배바이어스파라미터측정된 값VBE10.35 ... ] 교차 일그러짐이 없는 다이오드 바이어스파라미터측정된 값VB10.468 [V]VB20.466 [V]VE4.03 [V]실험[ 그림 6 ] 브레드 보드 결선회로 (R3 - 다이오드, R
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.13
  • 판매자 표지 자료 표지
    제3장 신호공급기와 오실로스코프
    /진폭의 설정1) 파형발생기의 채널2의 주파수는 노브를 사용하여 3kHz로 설정하고, 진폭은 키패드를 사용하여 250mV로 설정한다.파라미터최대한계값측정값예시값주파수20MHz20 ... 제3장 신호공급기와 오실로스코프-결과보고서-실험 1 ? 신호발생기1) 신호발생기의 메인출력 단자에 오실로스코프의 채널 1단자와 DMM을 병렬 연결하라.- 신호발생기의 주파수 ... 의 위치와 색깔을 확인하라.5) 채널1 파형의 정보를 측정한다.- 연동식커서를 이용하여 측정하라.- 자동측정하라.주기측정첨두간값커서 이용자동측정커서 이용자동측정측정값1.01ms1
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.02.10
  • 판매자 표지 자료 표지
    4세대 이동통신 LTE기술 기초정리
    )ㅇ UTRAN(WCDMA)의 무선접속망(UTRAN)에서 RNC의 제어를 받으며 이동단말과의 물리적인무선접속(무선물리채널 설정,채널코딩,변복조 등)을 담당하는 기지국16. [E ... )40. 하향링크 L1/L2 제어 시그널링ㅇ 하향 및 상향 링크의 전송채널들의 전송에 필요한 하향링크 제어 시그널링ㅇ 주요 구성- 무선단말이 1개의 부반송파 상의 DL-SCH를 수신 ... ). LTE에서 가장 기본적인 하향링크 기준 신호. 각 셀 마다 1,2,4개의 CRS가 가능하며, 이는 각각 1,2,4개의 안테나 포트에 해당됨. `채널 추정` 및 `스케쥴
    리포트 | 43페이지 | 16,000원 | 등록일 2019.06.13 | 수정일 2022.03.24
  • [전자전기컴퓨터설계실험1] [전전설1] PSpice를 이용한 전기회로의 시뮬레이션 예비레포트
    DF(Dampling Factor):0의 파라미터를 이용한다.V2 =10 Sin (120πt)를 만들기 위해 VOFF: 0, VAMPL: 10m FREG: 60, TD:0, DF ... :0의 파라미터를 이용한다.Markers – Marc Voltage Differential를 클릭 한 후, R1 양단을 클릭.Setup Analysis 클릭 후 창이 뜨 ... 하고, PSpice를 이용하여 얻은 결과와 비교하시오. Oscilloscope의 두 채널을 이용하여 입력과 출력을 동시에 관찰하시오.Dependent Voltage SourcePSpice
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.16
  • [전자전기컴퓨터설계실험1] [전전설1] PSpice를 이용한 전기회로의 시뮬레이션 결과레포트
    (DC전압): 0, VAMPL(AC 진폭): 5, FREG(주파수): 60, TD(Sine Wave의 시작 시간):0 DF(Dampling Factor):0의 파라미터를 이용 ... 한다.V2 =10 Sin (120πt)를 만들기 위해 VOFF: 0, VAMPL: 10m FREG: 60, TD:0, DF:0의 파라미터를 이용한다.Markers – Marc ... 에 Function Generator의 출력을 인가하여 출력 v0의 파형을 관찰하고, PSpice를 이용하여 얻은 결과와 비교하시오. Oscilloscope의 두 채널을 이용
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.11.16
  • 판매자 표지 자료 표지
    항공우주학개론 6장 탐구과제 연습문제 레포트
    의 폭발적 증가로 인해 실제 사용되는 채널의 부족 문제가 있다. 그러나 데이터 통신방식을 이용하면 실질적인 채널 확대가 가능해지고 조종사의 업무 경감 및 안전성 확보까지 이룰 수 있 ... 으로 감싸, 충격에서 보호하기 시작하였다. 현재는 반도체 기억 소자로 발전하면서 700여 개가 넘는 비행 파라미터를 수록할 수 있게 되었다. 비행 기록 장치의 종류에는 비행 기록 장치
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.03 | 수정일 2020.04.18
  • [전자회로실험] 5장 다이오드 정류회로 레포트
    을 넣어라. 오실로스코프의 CH 1을 직류결합에 놓고 1kOMEGA 저항에 연결하라. 여기에서는 오실로스코프의 두 채널을 동시에 사용하여 파형을 관찰할 수 없다. 어떤 이유인가?7 ... 2를 IC7805의 3번 핀에 연결하고, CH 1의 파형과 비교하라. 오실로스코프의 파형으로 안정된 전압을 확인할 수 있는가?? 실험 결과측정 파라미터반파 정류기브리지 전파 정류 ... 기V _{p(sec)}16.4 V16.4 VV _{p(out)}15.8 V15 VV _{DC}4.96 V9.2 V파라미터실험 순서 11실험 순서 13저항 양단의 피크 전압V _{p
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.10.19
  • [Ispice] JFET 바이어싱
    으로 결정되어야 한다. 아래의 그림은 n채널과 p채널 JFET의 바이어스 예이다.그림에서 dc 공급전압 VDD는 저항 RD를 통해서 JFET에 드레인 전류를 공급한다. 그리고 또 다른 ... bias)라고 한다. 위 그림의 출력 단자에서 키르히호프 전압법칙을 적용하면,+VDD= IDRD+ VDS(양) → VDS= VDD-IDRD (n-채널)-VDD= -IDRD+ VDS(음 ... ) → VDS= -VDD+ IDRD (p-채널)이러한 수식을 사용할 때 VDS의 정확한 부호를 얻기 위해서는 VDD를 양의 값으로 사용하여아 한다. n-채널 JFET에서 VDS
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.05.02
  • [제어공학실험] 제어대상의 계단응답, 임계이득 및 주기 측정
    . 【실험순서 및 결과】…(4~10p)1. 【실험목적】2차 지연요소를 제어대상으로 하여 계단 입력에 대한 응답특성을 관측한다. 또한 제어기의 설계 파라미터들을 설정하기 위한 임계이득 ... 】그림 14,5 2차 지연시스템의 계단응답 측정회로그림 14.6 임계이득 측정회로4. 【사용기기 및 재료】(1) 2채널 오실로스코프(5) OP AMPuA741(2) 함수발생기(6 ... _{c} =1.25ms[5.8] 실험결과 검토 및 고찰실험 5.1 ~ 5.2)1차 지연요소의 결합을 통한 2차 지연요소의 전달함수에서 중요한 점은 1차 시스템에서는 파라미터가 변하
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.04.07
  • 캡스톤디자인 SiC 최종설계보고서
    메커니즘T트렌치 MOFSETTrench mosfet이 일반 mosfet 보다 주목받는 이유는 높은 채널 이동도에 있습니다. 높은 채널 이동도는 낮은 계면 상태 때문이라고 여져집니다 ... . 조사에 따르면 채널의 이동성은 빠른 인터페이스 트랩, 즉 Shallow trap에 의해 크게 영향을 받습니다.위 자료는 교수님 홈페이지-전력용반도체개론 자료를 가져온 것입니다.채널 ... 습니다. 전달 컨덕턴스의 값의 감소비율은 채널이동성이 높은 트렌치 MOSFET에서 특히 크게 나타나며 일반 전력용 MOSFET의 경우 측정시간에 따른 전달 컨던턱스의 변화는 작
    리포트 | 24페이지 | 10,000원 | 등록일 2019.06.24
  • JFET바이어스, 직류특성 예비보고서
    BJT와 마찬가지로 FET 역시 3단자 소자이다. BJT가 2개의 pn 접합을 가지고 있는 것과 달리 ,이것은 기본적으로 게이트와 드레인-소스 채널 사이에 하나의 pn 접합을 가지 ... 으며 gate 라고 부른다.주의해야 할 것은 p형 영역 사이의 공간이 좁다는 점인데 자유전자가 source로부터 drain으로 이동하기 위해서는 이런 좁은 채널을 통과하지 않으면 안 ... 된다는 점이다. 채널의 폭은 JFET의 전류흐름의 세기를 결정하기 때문에 아주 중요하다.P-channel JFET도 역시 N-channel JFET와 유사한 구조를 갖는다. P-c
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.01.26
  • 공통이미터 증폭기 결과 보고서7
    한 직류 이미터전압계산하고 교류이미터 저항r _{e}를 계산하고 에 기록한다.5. 직류전원장치를 제거하고 함수 발생기로 전원을 공급시켜준다.6. 오실로스코프 채널 2개를 Vin ... .2 측정값파라미터측정된 값계산된 값% 오차VB4.79V4.8V0.21VE4.12V4.1V0.49VC9.49V9.38V1.17 직류값R _{E} =R _{E1} +R _{E2}V ... _{E} =V _{C} -0.7V _{C} =V _{CC} -I _{C} R _{C}파라미터값IE, (계산된 값)1.44 mAr’e (계산된 값)17.36 Ω 교류 이미터저항I
    리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.09.24
  • [반도체 공정 A+] ITRS2005 정리 및 번역 레포트
    하고 적절한 문턱 전압을 설정하기 위해서는 채널 도핑을 바람직하지 않은 수준까지 증가시키는 것이 필요하다. 높은 채널 도핑은 전자와 정공의 이동도가 감소시키고 밴드에서 밴드 ... 로의 터널링 및 게이트에서 유발되는 드레인 누설로 인한 누설 전류를 증가시킨다. 고도로 스케일링 된 MOSFET은 채널에서 도펀트의 수가 적기 때문에 문턱 전압의 가변성을 증가 ... 과 같은 다중 게이트 구조의 MOSFET의 첨단 디바이스가 구현될 것으로 예상된다. 이러한 디바이스는 약하게 도핑된 채널을 갖고, 문턱 전압은 금속 게이트의 일 함수에 의해 제어
    리포트 | 8페이지 | 3,500원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2021.11.08
  • 통신을 위한 유무선 기술
    로 바꾸어 대기중이나 전선, 혹은 광섬유 등과 같은 채널을 통하여 전송하고 수신된 전기 신호로부터 원래의 정보 신호를 추출하는 것으로 아날로그 통신 시스템과 디지털 통신 시스템 ... 으로 나뉜다.1) 통신 시스템의 구성(1) 통신 시스템의 구성 요소 : 송신기, 채널(전송매체), 수신기[그림] 통신 시스템 구성도(2) 송신기 : 정보를 생성하여 보내는 장치? 신호 ... 의 변환 : 정보 신호를 채널에 적합한 전기적 신호로 변환? 변조 : 저주파 신호인 정보 신호를 주파수가 높은 고주파 대역 신호인 반송 파에 실어 보내는 방식(반송파 신호에 정보 신호
    리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.06 | 수정일 2019.09.05
  • 실험9. MOSFET의 특성 예비보고서
    의 관계식으로 표현된다.여기서 K는 다음과 같이 주어지는 소자 파라미터 이다.단 여기서 뮤n은 전자이동도 Cox는 게이트 몸체간 커패시터의 단위 면적당 커패시턴스 L은 채널 길이 그리고 ... W는 채널폭을 나타낸다 주어진 공정과정에 의해 1/2unCox의 값은 상수이므로 소자의 외형비 W/L이 소자의 도전율 파라미터 K를 결정하게 된다.만일 vDS가 충분히 작아서 위 ... 하여 디지털 논리 기능과 메모리 기능을 실현할 수 도 있다. 이런 이유로 현재의 대부분의 VLSI회로는 MOS기술로 만들어 지고 있다.전류 전도를 위한 채널의 형성NMOS트랜지스터
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.05.03
  • 제너다이오드와 레귤레이터 - 결과
    W) : 2개- 제너다이오드 1N753, 6.2V, 400 mW : 1개- 0-15V 직류전원장치- 신호발생기- DMM 또는 VOM : 2대- 2채널 오실로스코프- 브레드보드2 ... 다이오드 전부하 데이터 결선회로[ 그림 10 ] 제너다이오드 전부하 데이터 측정 회로[ 표 5 ] 제너다이오드 전부하 데이터 표파라미터측정된 값계산된 기댓값오차Is38.7 [mA]39 ... 다이오드 무부하 데이터 회로도[ 그림 12 ] 제너다이오드 무부하 데이터 결선회로[ 그림 13 ] 제너다이오드 무부하 데이터 측정값[ 표 6 ] 제너다이오드 무부하 데이터 표파라미터측정
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.11.13
  • mosfet을 이용한 2단증폭기설계 레포트201211602
    출력신호 잘릴 경우(클리핑) 실패●소자 : MOSFET (2N7000), R, C●파라미터 : 2N7000 파라미터.MODEL 2N7000 NMOS (LEVEL=3 RS=0.205 ... _{GS} -V _{th} 인 경우로 스위치가 켜지고, 채널이 형성되어 드레인과 소스 사이에 전류가 흐르는 것을 허용한다. 드레인 전압이 게이트 전압보다 높아서 채널중의 일부분이 없 ... 과 같은 형태이다.I _{D} = {mu _{n} C _{ox}} over {2} {W} over {L} LEFT ( V _{GS} -V _{th} RIGHT ) ^{2} 채널
    리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.17
  • [시험자료] 반도체공정및응용 중간고사 정리 (족보)
    다.? 다른 관계된 파라미터들; 온도, 습도, 그리고 압력이 요구에 따라 제어되는 방? 방진복을 입어야 한다. 이유: 사람에게서 나오는 미세한 먼지로 부터 반도체를 보호하기 위해6 ... VGS가 문턱전압보다 높은 전압이 걸리면 게이트 아래 쪽 실리콘 기판에 충분한 양의 전자가 유기되어 채널을 형성한다.? 컨덕션 : 드레인에 소스보다 높은 전압을 걸어주면 형성 ... 된 채널(반전층)을 통해 전자가 이동하여 전류가 흐른다12. FinFET과 MOSFET 구조의 차이점을 비교하여 설명하세요.? 핀펫(FinFET)은 Mosfet의 기존 평면(2D) 구조
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.20 | 수정일 2019.12.02
  • 제트의 유동장 측정실험 보고서
    에서 가장 유명한 무차원 파라미터이다. 이 변수들의 조합이 층류와 난류 유동을 구별하는 기준으로 사용될 수 있다는 것을 처음으로 제시한 영국의 공학자인 Osborne Reynolds ... 센서의 세로축(파란 선)(채널 25 ~ 채널 33)과 가로축(빨간 선)(채널 34 ~ 채널 41)에 작용하는 평균압력을 matlab을 이용하여 그래프로 나타낸 것이다. 4개의 그래프
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.06.16
  • EasyAI 무료체험
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2025년 10월 08일 수요일
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- 유아에게 적합한 문학작품의 기준과 특성
- 한국인의 가치관 중에서 정신적 가치관을 이루는 것들을 문화적 문법으로 정리하고, 현대한국사회에서 일어나는 사건과 사고를 비교하여 자신의 의견으로 기술하세요
- 작별인사 독후감