"Atomic layer deposition p-type ZnO"의 검색결과 입니다.

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"Atomic layer deposition p-type ZnO" 검색결과 101-120 / 204건

유기삼중적층태양전지(Triple Tandem Organic Solar Cell)

-Small Molecule Triple-Tandem cell 1.51 3.02 47.7 2.18 ZnO /PEDOT MDMO-PPV/PCBM Al/MoO3 P3HT/PCBM Al ... /MoO3 P3HT/PCBM CuPc /C 60Bottom cell - ( P3HT:PCBM(70nm )) D ouble-tandem cell - (P3HT:PCBM(70nm )/Al ... (1nm)/MoO3(15nm)/P3HT:PCBM(100nm )) Top cell - ( CuPc (7.5nm )/CuPc:C60(12.5:12.5nm)/C60(27.5nm

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.10.21

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ZnO CNT 소자 제작 LED 리소그래피 실험

을 보이고 있다. 순수한 ZnO 박막은 성장 직후 n-type 전도성을 갖는 직접 천이형 반도체로서, 완전한 구조에 도핑되지 않을 경우 비교정 저항이 높다. )4.1.2 ZnO ... nano-wire4.1 ZnO 특성4.1.1 ZnO의 구조4.1.2 ZnO의 전기적 특성4.2 ZnO nanowire4.2.1 nanowire4.2.2 ZnO nanowire ... 에는 DI water를 이용하여 충분히 씻는다.(NMP는 물에 잘 녹지만 비교적 점도가 높아서 충분한 rinsing이 필요하다.)제 4 장 ZnO nano-wire4.1 ZnO 특성4.1

리포트 | 32페이지 | 4,000원 | 등록일 2010.04.03

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CVD 결과보고서

) P-type, Furnance,MFC(mass flow controller)5. 실험 목적① Nanowires의 기본 개념 정리② ZnO nanowires의 성질과 장단점에 대해 ... 하여 tube와 boat 2개 씻는다.2. Boat1은 Si(100) P-type인 wafer를 3개 나란히 일정 간격을두고 올려놓는다.3. Boat2는 powder를 넣고 잘 섞어준다 ... 와 시드가 생성이 되었다. ZnO 와이어가 생성된 사진을 찾아보았는데 다음과 같다.n- type 실리콘 기판위에 잘 정렬된 나노 와이어의 SEM 사진우리 조의 실험결과와 확연히

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.07.29

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반도체 공정 파이널 레포트

는 ?압력이 너무 높게 되면 입자의 밀도가 높아 mean free path가 짧아진다. 그러면 이온과 전자의 재결합이 쉽게 일어나 플라즈마 생성이 어렵게 된다.29. n-type 실리콘 ... 반도체의 오믹접합에 있어서z) 이상적인 오믹접합을 위한 최적의 금속이 존재하지 않는 원인을 밴드구조로 설명하라.n-type의 ohmic 특성을 위해서는 ΦmΦs일 때 얻을 수 있 ... 링 전류가 흐르기 때문에 reverse bias일 때도 작은 전류가 흐르게 된다.f) p+-n junction의 p+에 접촉한 금속-반도체 접합에서 junction spike

리포트 | 41페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.11.11

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반도체 공정 프로젝트

omment what kind of method.1)substrate-Make p-type Si wafer by doping-Wafer cleaning-Buried SiO2 using ... mask & epitaxial SiO2-LPCVD-Si3N4 deposition-PR coating2)Active Area Photography-Active area is ... defined-dry etching: Si3N43)Field oxidation-using LOCOS process-PR strip-Field oxidation4)P-well

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.06.23

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XPS (x-ray photoelectron spectroscopy)

ollector's efficiency.Photo-voltaic CollectorConductive Oxide- SnO2p-type a-SiCa-SiSolar EnergySnO2 ... =hv-BE- Following this process, the atom will release energy by the emission of an Auger Electron.X ... Energies versus Atomic Number (Z)Instruments of XPS [2]Schematic of X-ray MonochromatorSampleX-ray

리포트 | 19페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.09

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ZnO의 성장 및 열처리 조건이 물질 특성에 미치는 영향

를 가지고 있기 때문에 GaN의 대체 물질로 연구가 활발히 진행되어 왔다. 그러나 p-type으로 의 공정이 아직은 힘들기 때문에 앞으로의 연구가 더 기대되는 이유이기도 한다. 최근 들 ... 보고서 제출일자 : 2010. 12. 7제출자 :공동연구원 :지도조교 :지도교수 :- 목차-I. 서론II. 이론 및 선행 조사1. ZnO의 기본 물성과 응용2. ZnO 박막 성장 ... 반도체소자 및 실습 Project 보고서ZnO의 성장 및 열처리 조건이물질 특성에 미치는 영향2010. 12. 7제출자 :동국대학교제 출 문이 보고서를 반도체소자 및 실습

리포트 | 48페이지 | 2,500원 | 등록일 2010.12.18

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화합물 태양전지

(glass 로 부터 확산) 를 포함 최대 6원계 화합물복잡한 제조 공정CuInSe2 의 구조Buffer layer (CdS) p-type CuInSe2 와 n-type ZnO 사이 ... 의 각각의 평형 에너지 밴드를 나타내고 있다. 접합 후- p-와 n-type의 Ef 는 일정하게 유지 되고 Ec와 Ev 가 휘고 depletion layer가 형성  내부 전계가 발생 ... 높은 격자 상수 차이 양호한 접합을 위한 layer 2.42 eV 밴드갭Window layer (ZnO ; n-type) 3.3 eV 밴드갭 투명 전극의 역할 높은 광투과율 (80

리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.08.25

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MOS diode 설계

에서만 작은 전하가 존재하게 된다.·dc biasing condition or 유한한 저항값을 가질 경우케리어의 수송이 전혀 없다.기판이 p-type n-type일 경우 energy ... inverson layer를 형성한다 (1~10nm)·위의 내용을 다음과 같이 정리할수있다▶ 일반적인 MOS diode의 공정과정1. cleaningp-type (100) wafer ... +dHF)2. water doping ( Diffusion or Ion implant) - Implnat시 n-type= p, As P-type= B3. Gate ozide

리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.08.09

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반도체 제조공정

하기 위한 것 이다 . 예를 들어 p-type 의 웨이퍼 표면위에 n-type 의 층을 형성하는걸 말 한다 .6. Oxidation Layering 산화막은 표면위에 있는 얇은 일산 ... pollishing Wafer Epitaxial processing Oxidation Layering Photoresist coating Stepper exposure Pattern ... implant Metal deposition Copper deposition Chemical Vapor deposition 반도체 공정1. Poly silicon Creation

리포트 | 22페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.05.02

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PVD와 CVD

) 전기 원소들을 가속시킨다 Atomic Layer Deposition (ALD) 개별 원자를 여러 층에 걸쳐 증착하는 기술로 막의 박층화 및 미세구조화에 따라 최근에 각광을 받고 있 ... 전달과정과는 별도로 기판에서의 종착조건을 제어함으로써 박막의 성질 및 구조 등을 변화시키는 기술 Energetic beam assistance Atomic layer ... deposition (ALD)에피텍시 기술 : 반도체를 기판과 동일한 결정구조로 성장시켜 소자의 특성을 향상시 키는 기술PVD (Physical Vapor Deposition) 정의 -물리적인

리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.27

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[반도체공학설계] 이상적인 MOS diode 설계

므로이다.이상적인 조건에 의해 메탈과 반도체의 일함수는 같아야 하므로4.1~4.2의 일함수를 갖는 금속은 일산화탄소 Co -> 4.18eV 이다.② p-type 사용시의 메탈이므로.이다.이상적인 조건에 의해 메탈과 반도체의 일함수는 같아야 하므로 ... 에 NMOSFET을 구현하고 PMOSFET을 구현하기 위해 n-웰(n-well)을 형성하는 n-웰 공정을 예로 설명하기로 한다. 공정에 따라 n형 기판에 p-웰(p-well)을 형성하는 p ... -웰 공정을 사용하기도 하며 최근에는 낮은 농도로 도핑된 기판에 n-웰과 p-웰을 모두 형성하는 트윈-웰(twin-well)도 널리 사용되고 있다. 트윈-웰 공정을 사용

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.07.14

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판매자 표지

박막형 태양전지의 성장성 (태양전지의 기술, 차세대 친환경 에너지)

) 으로 코팅된 유리기판 위에 p-type 반도체인 CIS층을 증착하고 그 위에 n-type CdS를 주로 화학적 용액성장법 (chemical bath deposition, CBD 또는 ... ) 형태의 재료로 나뉘며 기본적으로 p-n 동종접합 (homojunction)으로서 태양전지에 사용된다.단결정은 순도가 높고 결정결함 밀도가 낮은 고품위의 재료로서 당연히 높은 효율 ... CuInSe2전지는 p-n이종접합 구조를 기본으로 하며 약 1eV의 밴드갭을 가지고 있고 보통 0.5V이하의 open-circuit voltage(Voc)를 나타낸다. 몰리브덴(Mo

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.18

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PN 다이오드공정설계

line y loc = 0 spac = 0.02line y loc = 5 spac = 0.5# p-type subinit silicon c.boron=1.0e18 twostruc ... layer 농도 : phosphorepi-layer 농도: phosphorthick=3.5n 농도 : phosphorp 농도 : boronDoping Profile(n영역:좌 p영역:우 ... P-si 위에 n+ Buried Layer를 만들고 n-epi층을 형성하는 것이다. Trench Isolation을 통해서 PN 다이오드를 다른 소자와 완전히 절연시킴으로서 가능

리포트 | 10페이지 | 4,000원 | 등록일 2009.08.12 | 수정일 2015.07.13

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태양광전지

형 반도체로 window 층으로 사용되는 ZnO 박막이 P-N 접합을 형성한다. 하지만 두 물질은 격자상수와 에너지밴드갭의 차이가 크기 때문에 양호한 접합을 위해서는 밴드갭이 두 물질 ... )가, p형 반도체는 정공(hole)이 전달체 역할을 한다. 반도체 밴드갭 에너지보다 큰 에너지를 가지는 빛(photon)이 입사되면 p-n 접합 계면 근처에서 빛을 흡수하여 전자-정공 ... 쌍을 생성하고, 내부 전지장 (built-in electric field)에 의해 정공은 p형 반도체 쪽으로, 전자는 n형 반도체 전극으로 이동하여 합선회로 전류(short

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.21

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Reactive magnetron sputtering을 이용한 ZnO박막증착

학사학위논문Reactive Magnetron Sputtering에 의한ZnO 박막증착Deposition of ZnO thin film by reactive magnetron s ... putteringK대학교화학공학부 화학공학전공아 무 개?홍 길 동2009. 2.학사학위논문Reactive Magnetron Sputtering에 의한ZnO 박막증착Deposition ... ].2.1.2. 구조적 특성ZnO는 육방정계의 Wurtzite 구조[15]인 Ⅱ-VI족 화합물 반도체로 결정 구조적 이방성, 비 화학양론적 결함구조, 넓은 밴드갭, 가시광선 영역

리포트 | 57페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.12.06

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태양전지-차세대 태양전지로써의 박막형 태양전지의 성장성(태양전지의 작동원리 등)

. 몰리브덴(Mo) 으로 코팅된 유리기판 위에 p-type 반도체인 CIS층을 증착하고 그 위에 n-type CdS를 주로 화학적 용액성장법 (chemical bath ... deposition, CBD 또는 "Dip-Coating") 으로 입히고 투명전극 층인 ZnO를 스퍼터링법으로 증착한 후 금속전극을 입힌다. 이미 4ft2 모듈(module)에서 11%의 효율 ... ) 형태의 재료로 나뉘며 기본적으로 p-n 동종접합 (homojunction)으로서 태양전지에 사용된다.단결정은 순도가 높고 결정결함 밀도가 낮은 고품위의 재료로서 당연히 높은 효율

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.05.10

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Si wafer의 Oxidation

과 비교해 본다.실험이론1.SiO2 의 용도· Surface passivation-오염으로부터 반도체를 보호한다.1) 빽빽하고 단단한 SiO2 layer가 물리적으로 스크래치로부터 표면 ... /V=P/kT 이므로(3)② oxide 통한 oxidant 확산(4)③ oxide-Si interface에서 Si의 oxidant 반응(5)· stead state에서,,(6 ... 가 상승하면 확산계수의 증가로 인해 oxide 성장속도가 증가.②압력-furnace의 압력이 높으면 oxide 성장속도가 증가한다.③Wafer Type(결정방향의 영향)-조밀 층

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.21

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산화물반도체,Oxide Semiconductor

dopant를 어떻게 효과적으로 doping 하여 p-type material을 만들 것인가에 중점을 두고 연구가 진행 중이며, 현재까지는 n-type material을 이용한 ... oncentration을 control하고자 하는 의도로 연구가 진행되어져 왔으며, n-type material로써 ZnO 기반의 IZO, ZTO와, In2O3 기반의 IZO, IGO ... )에 대한 연구도 활발히 진행되고 있는데, ZnO에 3족원소인 Ga, Al을 첨가하여 carrier concentration을 control하여N-type semiconductor

리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2009.10.18

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박막제조기술

energy statesDifferent crystal structureDifferent inter-atomic distancePhysical vapor ... putteringThermal CVDPlasma enhanced CVDMetal-organic CVDMolecular beam epitaxyLow pressure CVD박막의 특성High s ... depositionEvaporationEvaporationSputterDC sputterRF sputtertarget---+---+-substrate + chamber+++-+++-+TimeMagnetron s

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.03.25

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