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"금속과 기판의 상호작용" 검색결과 101-120 / 372건

  • 서울대학교 물리학실험2 쿨롱의 법칙 결과 레포트
    물리실험리포트실험2-1. 전하와 전하사이(쿨롱의 법칙)1. 실험목적정전기적으로 하전된 물질들이 서로 상호 작용하는 정전기력은 물체들의 전하량 크기와 그등 사이의 거리에 의존 ... 를 밀어낸다. 인력이든 척력이든 두 힘들은 크기가 같고 방향은 반대이다. 더불어 축전기판들 사이에 유전체를 삽입한다면 유전체가 판들 사이의 전기장을 변화시키기 때문에 전기용량은 상당히 ... 수 있는 금속의 극판에 전원 장치를 연결한다. 이런 상태에서 전압을 공급하면 콘덴서 판의 기하학적 구조에 의하여 양 극판에는 다음의 두 식을 만족하는 크기가 같고 부호가 반대인
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.05.06
  • [무기화학실험] Synthesis and Characterization of Trs(8-hydroxyquinoline)aluminum
    들 캐리어는 전자는 음극에서 전도대로, 정공은 양극에서 가전대로 주입됨.(3)주입된 전자와 정공이 발광층 내에서 전자-격자 상호작용으로 음성 및 양성 폴라론을 생성하고 이 생성 ... 다명기물의 다층 박막과 Mg-Ag 합금의 음극을 순차적으로 형성한 구조이다. 다층 박막은 양극 쪽에서부터 Co와 Ga의 금속착염을 함유한 정공주입층, 정공수송층, 발광층, AL ... 이 불필요하고 발광층이 잉크젯프린팅 방법에 의해 기판에 만들어 질 수 있어 유연하고 싸게 만들 수 있으며, 열적 안정성이 높고 기계적 강도가 우수하며, 자연색과 같은 색감을 지니
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.06.12
  • 무기재료 실험 정리
    차전자 (secondary electron)를 이용해 영상을 출력한다. SEM 이미지에서 한 점의 밝기(brightness)는 전자빔과 시편의 상호작용에 의해서 시편의 해당 부위 ... 에서 무기나노섬유로 확장됨에 따라 전기방사에 의한 나노 섬유 제조 기술은 고분자, 세라믹, 금속을 포함하여 전소재분야로 급속히 확장되고 있는 추세이다. 고분자 내 에 금속전구체 ... 나 금속산화물 전구체를 포함시켜 방사하고 이를 후열처리 하여 원하는 금속금속산화물을 제조할 수 있다. 특히 전기방사에 의해 제조된 금속산화물 나노구조체는 3차원적으로 네트워크
    시험자료 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.12.10
  • 전자재료 실험 결과 보고서
    대 및 가전자대를 분리시킴)전자가 존재할 수 없는 금지대(forbidden band)에너지 밴드 생성 이유결정내 원자가 가까이 근접하여 밀접한 원자들이 상호작용하며 결합하면서, 최 ... 기판2 Si-Wafer 표면에는 Carbon계 유기물, 무기물에 의한 이온성, 금속오염, 산화막 등의 반응부산물이 생길 수 있으므로 정확성을 위해서 Cleaning을 실시한다.3 ... 층의 carrier가 주파수를 따라가지 못하므로 capacitance가 증가하지 못하고 일정하게 된다.그림93. 실험 과정1 Si?Wafer 기판을 준비한다.그림10. Si-Wafer
    리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.11
  • display engineering
    를 이용해서 낮은 온도로 폴리실리콘 형성을 촉진시키는 MIC(Metal Induced Crystallization) 방식을 개발하였다. MIC 방식은 유리 기판에 Ni 등의 금속 ... 처리를 통해 하나 이상의 계면간 상호작용을 조절한다.2. RGB 증착기술A. FMM (Fine Metal Mask)FMM 방식은 주로 저분자 재료를 적용하여 고진공하에서 아래 ... 그림에서 보는 바와 같이 박막의 금속 mask를 기판에 밀착시켜서 원하는 위치에만 OLED 재료를 증착하여 화소를 형성하는 방법이다.[그림 7] FMM 공정방식Full Color
    리포트 | 23페이지 | 2,500원 | 등록일 2011.12.21
  • 판매자 표지 자료 표지
    Graphene그래핀, CNT조사 (성질, 합성, 제조, 응용분야, 대체 가능성)
    의 경우 균일한 단일 층 그래핀(SLG; Single Layer Graphene)을 형성하는 경향이 있다.방법은 기판위에 촉매층인 니켈/구리 같은 얇은 금속 층을 만들고 고온 천도 ... 는 나노벽CNT(MWNT) 등으로 나눠볼 수 있는데 이중벽 탄소 나노튜브는 약한 반데르발스 상호작용에 의해서 결합된 두 개의 단일벽 탄소 나노튜브로 구성된다.삼중벽 탄소 나노튜브는 단일 ... 벽 탄소 나노튜브 주위를 감싸는 이중벽 탄소 나노튜브로 구성되어 있는데외부 튜브가 주위 환경과 상호작용하면서 내부 튜브를 보호하여 뛰어난 전기적 및 기계적 성질을 가진다.두 개
    리포트 | 16페이지 | 2,000원 | 등록일 2015.05.29 | 수정일 2017.01.09
  • 스퍼터링
    으며 이렇게 구성된 입자들의 상호작용에 의해서 독특한 빛을 방출하며 입자들의 활발한 운동 때문에 높은 반응성을 갖게 되는데 이러한 상태를 흔히 이온화한 기체 또는 플라즈마라고 부른다. ... 구성된 입자들의 상호작용에 의해서 독특한 빛을 방출하며 입자들의 활발한 운동 때문에 높은 반응성을 갖게 되는데 이러한 상태를 흔히 이온화한 기체 또는 플라즈마라고 부른다.이 때 ... 한 박막제조 방법이다. 즉, 증착을 원하는 타겟 물질을 이온으로 때려서 떨구어 내고 반대편에 기판을 놓아 박막을 형성한다. 고전압으로 가속된 전자들이 가스와 충돌하여 이온 생성
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.11.16
  • 산화물 반도체 나노구조의 성장 및 광전소자 응용
    (VLS)와 액상 성장법(VS)가 있다. 현재 반도체 나노 와이어 성장법은 주로 VLS를 이용한 방법이 많다. 기판 표면에 촉매금속(금, 철, 니켈 등)을 부착시켜 가열하면 금속 ... , 증발시켜 얻어진 물질을 캐러어 가스와 함께 촉매금속을 부착시킨 기판에 공급하여 나노 와이어를 회수하는 방법이다. 이 같은 VLS 법은 성장온도가 촉매가 필요하며 성장 후에 메탈 ... 영향을 미치게 되며, 이를 잘 활용하면 다양한 광전 소자를 제작하거나 그 성능을 개선하는 것이 가능하다고 한다. 전자기 방사선과 반도체 나노와이어 간의 상호작용을 완벽히 이해
    리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.10.12
  • 유비쿼터스비즈니스 연습문제 1
    에 주목하는 개념이고, (지능성)이란 초연결성을 지닌 인터넷과 경제사회 시스템 간의 상호작용 관계가 한층 심화되는 네트워킹의 수직적 확장에 비중을 두는 개념이다.6. BcN은 기존 망 ... 은? ④①항공우주②자동차③가전④나노9. 화학전지는 화학에너지와 전기에너지 간의 상호변황이 가역적이어서 충전과 방전을 반복할 수 있는데, 다음 중 소형 2차전지가 전원으로 사용되는 것이 아닌 것 ... 의 차이점을 비교 설명하시오.● 집적회로와의 차이점은 MEMS 기술은 다품종을 소량 생산을 하며 웨이퍼의 크기는 3~6인치로 집적회로의 6~12인치 보다 작다. 기판재질에서도 실리콘
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.12.07
  • RF sputtering
    ③ 이웃한 표면 원자의 변이④ 기판 원자의 sputter 현상⑤ 증착된 원자의 재 sputter⑥ working gas entrapment- 이들 상호 작용은 에너지 조사량에 따라 ... athodetarget은 깨끗한 금속표면으로 유지(화합물의 형성은 기판과 chamber벽에 국한)sub-stoichiometric 막의 형성과 target의 오염을 피하기 위해 공정 ... 원자에 대한 이온의 상대적 질량비에 영향을 받는다.(2) 성장하는 막에 이온이 충돌을 하는 동안 일어나는 이온-고체 상호 작용① 흡수된 불순물 방출② adatom의 이동도 증가
    리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • 기초회로 실험. 2장 부품_납땜연습(예비+결과)
    납땜할 부분에 세정작용을 한다.- 금속과 공기를 차단시키므로 금속이 산화되는 것을 방지한다.- 납의 표면 장력을 낮추어 납이 퍼지기 쉽게 하고 접합할 금속의 융합이 잘되어 완전 ... 과 부품 상호간의 전기적인 통로를 제공하는 중요한 것이다. 실험을 실시하면서 처음이라 많은 어려움이 있었다. 위 사진과 같이 기판이 타는 경우가 가장 많았고, 또한 땜의 모양 ... 을 습득한다.3. 관련 이론 : 1) 납땜의 중요성납땜은 전자기기의 조립이나 제작 시 필수적인 작업의 하나로서 매우 중요한작업이기도 하다.전기적으로 완전한 접속되어야 하는 금속
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.27
  • 통신의 역사
    자기파와의 존재와 이를 통해 원거리 무선 통신이 가능함을 실험을 통해 보였다. Maxwell이 전기와 자기가 상호작용하는 형태인 전자기파의 이론을 제시했다면, Hertz가 이 이론 ... 면 최초의 인류인 아담과 하와도, 창세 시절의 어떤 미생물도 상호간에 통신을 했다고 볼 수 있을 것이다.하지만 이는 단순히 소통(疏通)에 불과할 뿐, 인류가 진화하고 과학기술 ... , 몸짓만으로 상대방에게 본인의 정보를 전달했다. 이때에는 오직 육성을 듣거나 물리적 제스처를 보는 것만 가능했으므로 거리의 제약이라는 조건이 지배적 요소로 작용하였다.[1]이집트인
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.12.15 | 수정일 2015.10.04
  • 나노쟤료의 광학적 응용 사례
    개발에 많이 사용되고 있다. 금속 나노 입자의 표면 플라즈몬 흡수 특성과 주위 환경의 변화에 민감하게 반응하는 점을 이용하여 다른 생체 분자간 상호작용 및 DNA 배열 해독 ... 기화된 금속 원자가 차가운 기판 위에 응축되고 서서히 뭉치는 과정을 통해 금속 나노 입자를 형성하는 현상을 이용하는 것이다. 금속 이온 환원법의 경우 금속 이온을 환원제를 이용 ... 소자의 경우 화합물의 대량 생산의 용이성과 그 무한한 응용가능성으로 인해 화학 분야뿐만 아니라 물리 공학 분야에서도 점차 많은 관심을 가지고 있다. 금속 나노 구조를 이용한 소자
    리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2013.10.02
  • thin file공정
    ~수천 두께로 특정 기판 상에 올리는 일련의 과정을 지칭하며 이러한 방법으로는 Thermal evaporation, E-beam evaporation, Sputtering, CVD ... 으로부터 입자를 떼어내어 특정 기판상에 옮겨 붙이는 공정이다2) Evaporation : evaporation의 방법으로는 thermal evaporation과 e-beam ... 을 높은 온도로 가열한다.3) Source material이 증기상태로 된다.4) Evaporant 가 이동하여 기판의 표면에 충돌한다.5) Evaporant 가 표면에 달라붙어 기판
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.04
  • 기계공작법 9장 특수가공법 레포트
    다. 이 가공법의 특징은 공구에 의한 충격작용에서 연삭입자가 공작물을 미세하게 깨드리고 부수어 가공하므로 전기적 양도체 불량도체를 막론하고 경질, 연질의 금속 및 비금속의 드릴링 ... , 우레탄, 프린트 기판 등의 가공에 적합하다.②가공시 발열이 적어 발화, 폭발의 위험성이 있는 작업에 대하여 안전하다.③노즐 지름이 0.1~0.5mm로 작으므로 절단여유가 적어 특히 ... 에 다음 사항을 들 수 있다,① 금속의 절단이 가능 : 티탄, 인코넬, 철강재② 광물질의 절단이 가능: 콘크리트, 석재③ 복합체의 절단이 가능: 철근 콘크리트, 코팅 플레이트, 제진
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.06.25
  • [반도체공학설계] 이상적인 MOS diode 설계
    라 부른다. 이후 고온 확산 공정을 통해 주입된 이온을 기판 표면 아래쪽으로 더 깊이 분포하게 하기도 한다.이제 소자 간의 연결 도체로 사용되는 폴리실리콘층과 그 위의 금속층을 격리 ... 률은 무한이다.⑵ 일반적인 MOS diode 의 제작 공정기본적인 CMOS 공정의 순서에 따른 MOSFET 단면의 변화를 그림 7에 나타내었다. 여기서는 p형 실리콘 기판 ... 에 NMOSFET을 구현하고 PMOSFET을 구현하기 위해 n-웰(n-well)을 형성하는 n-웰 공정을 예로 설명하기로 한다. 공정에 따라 n형 기판에 p-웰(p-well)을 형성하는 p
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.07.14
  • DC Magnetron sputtering
    athodetarget은 깨끗한 금속표면으로 유지(화합물의 형성은 기판과 chamber벽에 국한)sub-stoichiometric 막의 형성과 target의 오염을 피하기 위해 공정의 주 ... 에 대한 이온의 상대적 질량비에 영향을 받는다.(2) 성장하는 막에 이온이 충돌을 하는 동안 일어나는 이온-고체 상호 작용① 흡수된 불순물 방출② adatom의 이동도 증가③ 이웃한로 발전 ... puttering 압력③ 기판 온도 감소④ 산업적 규모의 공정으로 변환이 용이Unbalanced magnetron sputtering(1) 특징① 내부 자석과 외부 자석의 자장의 세기
    리포트 | 12페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.24 | 수정일 2013.11.17
  • 나노공정 정리
    ) 어레이 칩을 이용한 단백질 기능 분석 ( 나노기술에 의한 분리분석계 ) 장점 단백질끼리의 상호작용 단백질의 편재화 단백질의 활성 or 기능 분석 대량의 단백질을 한번에 분석 단점 ... 재자의 정보의 질적변화를 다수의 유전자에 대해서 총망라 적으로 검사하는 기술이다 .DNA 마이크로 어레이 DNA 마이크로 어레이는 슬라이드 그래스 등의 2 차원 평명 기판에 특정 ... 과정 ① 플라즈마 중합막 형성 플라즈마란 ? : 음전하를 가진 전자와 양전하를 띤 이온으로 분리된 기체 상태 모너머란 ? : 고분자를 만드는 바탕이 되는 간단한 분자 기판 박막 모
    시험자료 | 42페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.11.21
  • Sn-3.5Ag Solder 의 금속간 화합물의 성분과 열처리를 통한 성장 실험
    일정 ◆ 참고 문헌- 금속간 화합물은 솔더와 기판 사이의 상호 작용에 의해서 형성된다 . - 금속간 화합물 입자로 인하여 석출 강화되기 때문에 더욱 강하고 단단해 질 수 있다 . ... 형 반도체 안의 FR-4 기판실험 배경 실험 방법 실험 목적 실험 결과 실험 결론 실험 일정 참고문헌 Sn-3.5Ag 솔더의 금속간 화합물이 열처리를 통해 성장 할 것인가 ? 또 금속 ... 화합물이 열처리에 의해 성장함을 관찰 할 수 있었다 . 실험 배경 실험 방법 실험 목적 실험 결과 실험 결론 실험 일정 참고문헌 금속간 화합물을 통하여 솔더와 기판의 접착이 가능
    리포트 | 23페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.04.11
  • 삼성코닝
    의 기존 상호인식의 틀도 한계로 작용한다. 초기 미 코닝사는 삼성 SCP를 한국 시장 진출을 위한 교두보로 생각했고, 삼성 SCP는 미 코닝사는 제품부품공급업체로 생각하여 이 둘 ... , 대만 등 저가격 후발주자들이 등장했고, 플라스틱 기판 등 대체제의 등장으로 인하여 제품 Life-cycle이 단축되었다. 또한 기존 유리 기판에 비소, 안티늄 등 중금속이 검출 ... 에서 TFT-LCD용 유리 기판 수요 급성장하면서 1995년 효율적인 신 Fusion 유리 사업추진을 위한 별도의 합작법인 ‘삼성코닝정밀유리주식회사’를 설립하였다. 이후 2009년
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.30
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2025년 10월 14일 화요일
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