"고온플라즈마"의 검색결과 입니다.

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cvd 플라즈마 원리 원자 흡수 분광계 안과 수술 icp-oes ICP 레포트 진공증착 탄소나노튜브 토카막

"고온플라즈마" 검색결과 81-100 / 1,373건

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ICP 분석법을 이용한 멸치, 우유, 칼슘 첨가 우유의 무기원소 정량

된 무기질을 분석하기 위해서는 시료의 전처리를 통하여 유기질을 분해-제거한 후 무기질만이 잔존하는 시료를 조제해야 한다. 무기질의 분석을 위한 전처리법은 크게 고온(550℃~600 ... ℃)에서무기원소 함량을 분석하고자 한다.실험도구 및 시약1) 실험재료: 35% HCl, 25% HCl, 3차 증류수, calcium plasma emission standard ... , phosphorus plasma emission standard, iron plasma emission standard, 회분도가니, 회화로, 유리막대, hot plate, 여과지(NO

리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.16

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숭실대학교 신소재공학실험2 Oxidation 공정 예비보고서

종류먼저 습식 산화는 공급 기체로 고온의 수증기를 사용하여 이를 실리콘 웨이퍼와 반응시키는 방법이다. 매우 빠른 속도로 산화막을 성장시키기에 형성된 산화막의 균일성과 밀도 등 ... 이 떨어진다는 단점이 있다. 또한 부산물인H _{2}가 생성되는 등 특성 조절이 쉽지 않다.건식 산화는 공급 기체로 고온의 산소를 실리콘 웨이퍼에 직접 보내주는 방법이다. 물 분자 ... 하다.라디칼 산화는 위의 두 방식과는 조금 다르다. 산소 원자를 고온에서 수소 분자와 섞어주면 반응성이 높은 라디칼 기체로 바뀌는데, 이 라디칼을 실리콘 웨이퍼와 반응시킨다. 반응

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.08.26

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무기원소 정량(ICP 분석법)

, inductively coupled plasma-atomic emissionspectrometry)이 주로 이용된다. ICP-AES에서 분광기는 유도결합전류에 의해 형성된 고온(6,000K) 이상 ... 를 이용하는 방법에는 원자 흡수 분광법(AAS, atomic absorption spectrophotometry)과 유도결합 플라즈마 방출 분광법(ICP-AES ... 의 plasma emission standard, iron plasma emission standard.② 도구회분 도가니, 회화로, 유리 막대, hot plate, 여과지 (NO

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.16

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부산대학교 기계공작법실습 보고서 용접1

하지 않는다.⑤ 플라즈마 아크용접(PAW)플라즈마 아크용접에서 플라즈마란 기체를 수천도이상 가열하였을 때 그 속의 가스원자가 원자핵과 전자로 유리하여 양이온, 음이온 상태로 된 것 ... 을 의미한다. 플라즈마 아크용접에서는 용접헤드가 아르곤과 같은 가스를 고전압 기울기로 오리 피스를 통과할 수 있도록 설계되어져 있어 매우 이온화 된 가스흐름을 만들어낸다. 즉 아크 ... 반응을 시작하는데 필요한 약1200 CENTIGRADE 이상의 고온이 얻어진다. 이 고온에 의해 강렬한 발열을 일으키는 테르밋 반응으로 되어 약3000 CENTIGRADE

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.11.12

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ICP 분석법을 이용한 멸치와 우유, 칼슘 우유의 무기원소 정량

, 망 최근 이용도가 높은 원자분광법으로, 불꽃 대신 플라즈마를 이용한다(4). 플라즈마란 양이온과 전자가 유효한 농도로 존재하는 가스상 혼합물 상태로 온도가 8000~10000 K ... 정도로 매우 높아 시료의 원자화 및 원자를 들뜬상태로 전이시키는 데 매우 좋은 에너지원이다(4). 특히 원자를 고온에서 가열하면 원자들의 이온화로 분석에 문제를 일으킬 수 있 ... 는데, 플라즈마에는 이미 아르곤이 가스 상의 이온으로 존재하기 때문에 분석원자의 이온화를 방지할 수 있다(4).본 실험에서는 ICP 분석법을 이용하여 멸치와 우유, 칼슘 우유의 무기

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.16

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[물리학과][진공 및 박막실험]Furnace를 이용한 산화막 증착 결과보고서

은 웨이퍼에 여러 가지 물질로 얇은 막을 증착하는 대표적인 방법으로, 고온(800~1,200℃)에서 산소나 수증기를 웨이퍼 표면에 뿌려 얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성 ... 되면 산화막을 형성하게 되는데 이는 철(Fe)이 대기 중에 노출되면 산화되어 녹이 스는 것과 같은 이치이다.보통 산화막 형성에는 열산화, 전기 화학적 양극 처리, 플라즈마 보강 ... 화학 기상 증착(PECVD) 등 여러 가지 방법이 있지만, 고온의 환경에서 웨이퍼에 산화막을 형성하는 열산화가 가장 보편적인 방법이다.열산화 방법은 건식(Dry)산화와 습식(Wet

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23

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포항공과대학교(포스텍) POSTECH 일반대학원 기계공학과 연구계획서

연구, 강체 프레임 구조의 3차원 동적 거동 분석 연구, 냉시동 조건에서 전기자동차의 2차 히트펌프를 활용한 배터리 열관리 전략 연구, Spark Plasma Sintering ... 슈퍼커패시터 전극용 탄소 나노소재 연구, 고온 고압 환경에서 인코넬 690 재료의 프레팅 마모 특성에 관한 실험적 연구 등을 하고 싶습니다. 저는 또한 자동차 에어컨을 위한 기계

자기소개서 | 2페이지 | 3,800원 | 등록일 2025.05.15

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[특성보고서,약어,멸균법] 수술실 실습 부서 특징

장단점사용물품의 종류고압증기 멸균법(Autoclave)- 병원에서 가장 많이 사용- 120℃의 고온 이용/ 135℃ 5분- 15lb psi의 압력에서 약 15~20분 정도 진행 ... - 고온의 수증기 이요하여 미생물, 포자 등을 가열처리하는 멸균 방법- 독성X, 습열 침투되어 병원균, 아포 제거- 방법1. 물을 끓이고 수증기를 발생시켜 고압멸균기 내부에 채워 넣 ... , 플라스틱건열 멸균(Dry hit sterilzation)- 고온으로 인한 파괴효과를 이용한 오븐형태의 멸균- 보통 120℃~140℃, 3시간- 160℃, 1~2시간- 건조 시 사멸균

리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.10.09

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[물리화학실험] 은 나노입자 합성 및 광특성 분석

에서의 SPR 현상과 구분 짓기 위해 Localized Surface Plasmon Resonance(LSPR)이라고 부른다.[3] 플라즈마(Plasma)1928년 미국의 물리학자 ... 수 있다. 플라즈마는 크게 온도에 따라 저온 플라즈마와 고온 플라즈마로 나뉜다.2. 시약 및 실험방법[1] 시약-시트르산삼나트륨(sodium citrate), Na3C6H5O7 ... , LSPR) 이라는 독특한 광학 특성을 나타낸다. 도체인 금속의 경우 수많은 자유 전자들이 존재하여 플라즈마 진동이 발생하며, 금속 나노입자의 크기가 빛의 파장보다 매우 작게 되

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.31

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[고분자재료]ITO scribing & cleaning-예비레포트(만점)

전극의 표면특성을 향상시키기 위해 plasma 처리를 하게 되는데 이 과정은 UV ozone cleaning과 마찬가지로 Ar 또는 산소 gas를 공급하면서 chamber내 진공 ... 을 2～3×10-1 torr로 유지하여 RF generator에 의해 plasma를 발생시키고 이 때 발생한 plasma는 ITO 표면을 식각하여 표면특성을 개선한다. 이 경우 역시 ... “ SPIE, Vol. 6722 (2007)1. 또 다른 기판 cleaning방법에 대해 조사한다.2. RF Plasma와 UVO Cleaner의 기판 세정 원리에 대해 알아본다

리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2022.01.21

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비철재료 학습내용 자료정리

에서 플라즈마 아크 토치를 이용해 용융. near net shape 만들 수 있고, VAR과 함께 진행하면 defect 제거에 용이함.7. Ti 분말야금법①BE 법Kroll process ... um크기의 분말이 만들어지고, 탈수소화 해서 저온 압축 > 진공 고온 압착 > 수소 제거. 하거나 HIP와 최종 연마로 수소가 함유된 분말을 만듬.③Plasma Rotating ... Electrode Process(PREP)회전하는 bar에 가스 플라즈마를 주사, 녹은 금속이 떨어져나가고 냉각되서 수집됨. 구형의 100~300um 분말이 형성. 고품질임.④Gas

시험자료 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.09.07

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감염관리( 소독과 멸균,격리,직원감염예방)

치마 , 장갑 등 ) 기구 개방 후 소독제에 충분히 잠기도록구역 구분멸균방법멸균의 종류 및 방법 열을 이용한 방법 1) 고압증기 멸균 (Steam sterilization) 고온 ... 하등 ) 기구 개방 후 소독제에 충분히 잠기도록구역 구분멸균방법멸균의 종류 및 방법 열을 이용한 방법 1) 고압증기 멸균 (Steam sterilization) 고온 , 증기 ... ℃ 8-12 시간 ) 2) 과산화수소수 가스플라즈마 시스템 ( Sterrad ) 플라즈마내에서 생성된 자유기가 효소나 핵산과 상호작용 , 미생물 대사방해 능력 37~44 도

리포트 | 37페이지 | 3,900원 | 등록일 2024.07.09 | 수정일 2024.07.22

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Evaporator_Sputter 레포트

상태에서 소스를 원하는 고온까지 가열하면 소스는 기체화 되어 증발하면서 챔버 내로 분산되어 날아가게 된다. 이렇게 증발된 기체 원자 및 분자들은 기판까지 날아가고, 기판은 기체 ... 화 시킨다. 따라서 Ar이 excite 상태가 되면서 전자를 방출하면 에너지가 방출되는데, 이 때 Glow Discharge가 발생하여 이온과 전자가 공존하는 보라색의 플라즈마를 띠 ... 게 된다. 플라즈마 내의 이온은 큰 전위차에 의해서 Cathode쪽인 타켓 쪽으로 가속이 되어서 표면에 충돌하게 된다. 다음 그림5가 그 과정을 나타낸다.그림 SEQ 그림

리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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2025년상반기 SK하이닉스 대졸신입공채 면접예상문제(총60문제)및해답

하는 패턴을 정확하게 형성 가능.선택비 향상 방법:식각 가스 조성 및 플라즈마 조건 최적화식각 방지막(Hard mask) 사용웨이퍼 온도 제어식각 장비 내부 압력 조절ALD ... 장비 내부 플라즈마 제어 최적화최근 반도체 업계에서 주목받고 있는 GAA(Gate-All-Around) 트랜지스터의 구조와 장점을 설명하시오.해답:GAA 구조: 게이트가 채널 ... 강도 고온 환경에서의 장기 신뢰성 평가불량 유형: 균열, 박리, 변형패키지 설계에서 신호 무결성(Signal Integrity)이 중요한 이유를 설명하고, 신호 무결성을 확보하기

자기소개서 | 17페이지 | 4,000원 | 등록일 2025.04.30

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2020 경북대학교 기계공학실험 마이크로표면측정 A+ 레포트

다. 플라즈마 표면 개질은 크리닝, 표면 개질, 에칭, 증착으로 나눌 수 있는데, 표면 개질의 경우 저온 플라즈마를 사용하여 이루어진다.?Plasma 발생원리와 예: 물질 중 가장 ... 한다(9) Si, PDMS, TFR도 같은 방식으로 측정한다.(10) PDMS는 장치를 이용해 플라즈마 표면처리를 한다.4. 실험결과?Liquid : DI water ... 이나 적혈구·백혈구의 세포 수 측정이 가능하게 해주는 micro fluidic device의 기술이 적용된 예이다.5) Plasma에 대하여 간략하게 조사하시오.?Plasma란?: 플라스마

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.01.08

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박물관학 요점정리4_박물관학

을 고주파유도 플라즈마에 도입하여 고온(6,000~10,000℃)에서 각 원소의 발광강도를 측정하는 분석법X선 회절분석법(X-ray Diffraction Sepctroscopy ... 법수소 Plasma 환원장치탈염처리 후 탈알칼리 및 잔류약품 제거◼부식억제처리: 청동, 금동 등 구리 소재가사용된 금속 유물의 표면에 안정한 불황성 Cu-BTA 막을 형성하는 것4 ... 을 시료상에 주사시켜 Sample과의 상호작용에 의해 발생하는 2차 전자 및 반사 전자를 이용하여 표면을 관찰하는 법고주파유도결합 플라즈마 발광분석법(ICP-AES) : 시료 용액

시험자료 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.06.01

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ALD 예비보고서

는 물질(타겟)을 막을 입힐 기판에 증착되게 하였을 때, 그 사이에 제4의 물질 상태인 플라즈마를 일으켜 비활성 기체인 아르곤 이온이 (-)극과 연결된 타겟 원자 쪽으로 이동 ... 한다. PVD와 달리 반응하려는 기체의 화학적 반응을 이용하여 기판에 증착시키는 CVD는 좋은 피복성을 가지지만 상대적으로 고온의 상태에서 공정을 해야하고 장비가 복잡 ... ), plasma-enhanced CVD(PECVD), photochemical CVD, laser-induced CVD, electron-beam assisted CVD로 분류

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.16 | 수정일 2021.04.08

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photolithography 및 etching 공정 레포트

어주면 증착시작된다.- 플라즈마가 튀면 셔터를 닫고 Pre-sputtering 진행 (10m)- 10분지나고 셔터열고 5분간 기다린다.- 전원공급 꺼주고 settling value ... - 높은 온도에서 일정 기간 동안 가열한 다음 서서히 냉각시키는 과정이다.- 고온에서 금속이나 반도체를 가열하면 결정 구조가 재정렬고 이로 인해 결정의 크기와 방향이 조절 ... 액체에 웨이퍼를 담그는 방식- 모든방향으로 식각하기 때문에 등방성을 가져 정확성 낮다.b) 건식식각- 플라즈마, 기체 또는 두 방법을 같이 사용하는 방식- 플라즈마+기체식각은 비

리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.10.27 | 수정일 2024.11.08

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최종보고서 건설환경플랜트 종합설계_광명 지하 생활폐기물 소각시설

슬러리월 (지하연속벽) 공법144.3.1 슬러리월 공법 설계154.4 지하굴착 종합16제 5 장 플라즈마 소각 방식 175.1 플라즈마 소각 방식의 필요성175.1.1 오염물질 배출 ... 현황175.1.2 플라즈마 소각로 개요185.2 기존의 소각시설과의 차이점195.3 플라즈마 소각로 적용시의 경제성 분석205.4 플라즈마 소각로 적용시의 용량 산정21제6 장 굴 ... 후처리 시설 필요?스토카의 경우 소각재20%,소각잔재 매립 비용 발생단순한 후처리 설비로도배기가스 환경규제충족가능다이옥신과 NOx 발생 최소화플라즈마의 경우 소각잔재(바닥재,비산재

리포트 | 35페이지 | 5,000원 | 등록일 2020.12.04 | 수정일 2020.12.08

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용접의 이해와 심화 그리고 검사 및 시험 방법

용접(4) plasma arc 용접(plasma arc welding) 기체를 고온으로 가열하면 기체원자는 격심한 운동을 하며, 마침내는 전자와 ion으로 분리된다. 이 때 기체 ... 는 도전성(導電性)을 띠며, 이와 같이 전자와 ion이 혼합되어 도전성을 띤 gas체를 plasma 라 한다. plasma 용접에는그림(a)와 같이 tungsten 전극과 모재

리포트 | 55페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.09.19

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