"캐패시터"의 검색결과 입니다.

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축전기 전자회로 rc회로 RLC회로 감쇠진동 rlc 인덕턴스 축전기의 충방전 평행판 축전기 RLC 직렬회로 전파정류회로

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"캐패시터" 검색결과 941-960 / 8,493건

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A++ 일반물리실험 클롱법칙 결과보고서

.(2)이제 축전자에 대하여 알아보자.축전지가 대전되면 극판들은 크기가 같고 부호가 반대인 +q, -q의 전하를 갖게 된다. 이 때 축전기의 전하는 극판에서의 절대 값인 q를 뜻 ... 한다. 각각의 극판들은 도체이기 때문에 등퍼텐셜면을 유지한다. 그러나 두 극판사이에는 퍼텐셜 차가 존재한다. 축전기의 전하 q와 퍼텐셜 차 V는 서로 비례한다. 즉 다음과 같다.q ... = CV극판의 기하학적인 모양에 따라 결정되는 비례상수 C는 전기용량이라 부른다. 만약 축전기가 평행 판이라면 전기용량은이다. 실험 장치에서 고정되어 있는 위쪽 평행 판에 있는 전하

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2025.01.16

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RC 회로의 충전과 방전

실험보고서실험일자: 10/18/화요일실험목적저항과 축전기로 이루어진 RC 회로에서 시간에 따른 축전기 전압의 변화를 측정하여 충전과 방전 과정을 이해한다.이론(1) 키르히호프 ... -)부호이다. 고리가 저항기나 축전기를 통과할 때 전류는 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐르므로 고리의 방향이 전류의 방향과 같으면 전위가 감소해 (-)부호이고, 전류와 반대방향이 ... 면 전위가 증가해 (+)부호이다.(2) RC 회로의 충전과 방전① RC 회로의 충전 과정스위치가 닫히면, 회로에 전류가 흐르고 축전기에 전하가 쌓이기 시작한다. 저항과 축전기 양단

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.08.15

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일반물리2 전기용량 실험 결과보고서

전기용량(Capacitance) 실험 결과보고서학부/학과학번이름실험일실험조1. 실험 목적평행반 축전기에서, 도체판 거리에 따른 전기용량 변화에 대해 알아보고, 도체판 사이에 유전 ... 면 평행한 축전기의 전기용량 C은 거리 d가 증가함에 따라 줄어드는 반비례 형태를 가진다. 또한 평행판 축전기 전위차 V는 d가 증가함에 따라 증가하는 비례 형태를 알 수 있

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.11.07

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전기용량 실험 결과레포트

오차 분석 축전기를 병렬로 연결할 때 축전기를 직렬로 연결한 후, 회로를 이용하여 병렬로 연결하는 방법과, 빵판에 축전기를 병렬로 연결하는 방법이 있다. 오차율이 22.11%로 비교적 크게 나타난 세 번째 실험에서는 회로를 이용하여 축전기를 병렬로 연결하였고, 오차율이 비교적 적게 나타난 4,5번째 실험에서는 축전기를 빵판에 병렬로 연결하였다. 이를 통해서 회로를 이용하여 병렬 연결 시켰을 때가 축전기를 직접 병렬로 연결시켰을 때보다 오차가 크게 나타나며, 회로로 연결시킨 것이 오차의 원인이 되었음을 알 수 있다. 고찰 사항1. 축전기 사용시 주의할 점은 무엇인가? 또한 축전기의 용도는 무엇인가? 주로 어떤 곳에서 축전기를 쓰는가? 조사한 내용을 논해보자. (1) 축전기 사용시 주의할 점: 전해질 축전기는 같은 극성끼리 연결해야 한다. 즉, +쪽은 +단자가 있어야 하고 -쪽은 -단자가 있어야 한다.

리포트 | 3페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.11.20

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전자부품의 종류

항공기에 사용되는 전자부품의 종류.1.캐패시터(Capacitor)캐패시터는 일반적으로 콘덴서(Condenser)라고 불리는 축전기를 말한다.2장의 얇은 금속도체와 그 사이에 있는 절연체로 구성되며, 전하를 축적할 목적으로 만들어진 소자이다. 두 도체사이의 공간에 전기장(Electric Field)를 모으는 역할을 한다.Capacitance of capacitor캐패시터에 충전된 전하의 양은 정전용량과 정격전압에 비례한다.Electrostatic Capacity정전용량의 단위는 패럿으로 나타낸다. C=εA/?Charge & Discharge교류의 경우 전류는 계속해서 흐르나 직류의 경우는 콘덴서 전압이 일정하게 된 뒤에는 흐르지 않는다. 주파수가 높을수록 많은 전류가 흐르고, 전류는 전압의 변화, 정전용량이 클수록 많이 흐른다.Connected in Series캐패시터의 직렬접속은 정전 용량을 감소시킨다.캐패시터 각각의 정전용량과 관계없이 똑같은 양의 전하가 각 콘덴서에 충전된다.Connected in Parallel여러 개의 캐패시터를 병렬로 접속하면 전극판의 면적을 증가시키는 것과 동일하다.총정전용량은 각 캐패시터 용량의 합과 동일하다.Types of capacitor서미스터(Thermistor)전자부품으로 사용하기 쉬운 저항값과 온도 특성을 가진 반도체 디바이스, 원료로 크롬, 코발트, 망간, 니켈, 티탄 등의 산화물을 혼합하여 소결한 것이며, 일반 금속과는 반대로 온도가 오르면 저항값이 감소한다.①NTC(Negative Temperature coefficient) : 온도가 오르면 저항값 감소②PTC(Positive Temperature coefficient) : 온도가 오르면 저항값 증가③CTR(Critical Temperature coefficient) : 일정 온도를 넘으면 급격하게 저항값 감소다이오드(Diode)P-N Junction으로 한쪽 방향으로만 전류를 흐르게 하고, 역방향으로 흐르지 못하게 하는 특징을 가진 반도체 소자이다. 띠가 있는 부증폭하거나 스위치 역할을 하는 반도체 소자이다. 외부 회로와 연결할 수 있는 최소 3개 단자를 가지고 반도체 재료로 구성되어있다. 전압 또는 전류가 한 쌍의 트랜지스터 단자에 인가가 되면 다른 한 쌍의 단자를 통해 전류를 제어한다. 출력된 전력은 입력된 전력보다 높일 수 있기 때문에 트랜지스터는 신호를 증폭하는 것이 가능하다.트랜지스터는 크게 전기장 효과를 이용한 전계 효과 트랜지스터(Field Effects Transistor: FET)와 접합형 트랜지스터(Bipolar Junction Transistor: BJT)로 구분이 된다.동작 원리트랜지스터의 본질적인 유용성은 한 쌍의 단자에서 입력되는 신호가 다른 한 쌍의 단자에서 훨씬 큰 신호로 출력되는 능력에서 비롯된다. 더 약한 입력 신호에 비례하는 큰 출력 신호는 전압 또는 전류를 생성할 수 있다. 즉 증폭기로 작동할 수 있다. 또한, 트랜지스터는 전류의 흐름을 키우고 끌 수 있는 전기적으로 제어되는 스위치로 사용이 가능하다.스위치 작용트랜지스터는 디지털 회로에서 전원 공급 장치와 같은 고전력 애플리케이션이나 논리 게이트와 같은 저전력 애플리케이션 모두에 대해 온 또는 오프 상태가 가능한 전자 스위치로 사용된다. 이 애플리케이션의 중요한 파라미터에는 전류 스위치, 전압 처리 및 상승 및 하강 시간을 특징으로 하는 스위칭 속도가 포함된다.증폭기 역할공통 이미터 증폭기는 전압(Vin)의 작은 변화가 트랜지스터의 베이스를 통과하는 작은 전류를 변화 시키도록 설계되었다. 트랜지스터의 전류 증폭은 회로의 특성과 결합하여 Vin에서의 작은 스윙은 출력 전압 Vout에서 큰 변화를 일으킨다. 단일 트랜지스터 증폭기의 다양한 구성이 가능하며, 일부는 전류 이득, 전압 이득을 제공한다. 휴대 전화에서 텔레비전에 이르기까지 방대한 수의 제품에는 사운드 재생, 라디오 전송 및 신호 처리를 위한 증폭기가 포함된다. 최초의 이산형 트랜지스터 오디오 앰프는 겨우 수백 밀리와트를 공급하였지만, 더 나은 트랜지스터가 출시되고 증폭기 아순방향 전류가 흐르는 방향에 차이가 있다. npn형의 경우에 전류는 이미터 쪽으로 들어가는 방향으로 흐르고 pnp형의 경우에는 이미터에서 나가는 방향으로 전류가 흐르게 된다.전계효과 트랜지스터 (Field effect transistor)드레인-소스 전류는 소스영영과 트레인 영역을 연결하는 전도된 채널을 통해 흐른다. 전도성은 게이트 단자와 소스 단자 사이에 전압이 가해질 때 생성되는 전계에 의해 변한다. 따라서 드레인과 소스 사이에 흐르는 전류는 게이트와 소스 사이에 인가되는 전압에 의해 제어 된다.트랜지스터의 장단점장점 ①수명이 길고 내부 전력 손실이 적다.②소형이고 경량이다.③기계적으로 강하다.④예열하지 않고 작동한다.⑤내부 전압 강하가 매우 적다.단점 ①온도 특성이 나쁘다(적정 온도 이상에서 파괴).② 과대 전류,전압에 파손되기 쉽다.사이리스터(Thyristor)사이리스터(Thyristor)란, 제어단자(G)로부터 음극(K)에 전류를 흘리는 것으로, 양극(A)과 음극(K) 사이를 도통(導通)시킬 수 있는 3단자의 반도체 소자이다. 실리콘제어정류기(Silicon Controlled Rectifier,SCR)라고도 불린다.PNPN의 4중 구조를 하고 있다. P형 반도체로부터 게이트 단자를 꺼내고 있는 것을 P게이트, N형 반도체로부터 게이트 단자를 꺼내고 있는 것을 N게이트라고 부른다. 원리는 그림과 같이 PNP 트랜지스터와 NPN 트랜지스터를 조합한 복합 회로와 등가이다.게이트에 일정한 전류를 통과시키면 양극과 음극간이 도통(導通, turn on)한다. 도통을 정지(턴 오프)하기 위해서는, 양극과 음극간의 전류를 일정치 이하로 할 필요가 있다.이 특징을 살려 한 번 도통시키면 통과전류가 0이 될 때까지 도통 상태를 유지해야 하는 곳에 사용된다(카메라의 strobe 제어 등). 특히 대전력을 제어할 경우 전류 0의 타이밍에 OFF가 되기 때문에 서지 방지가 뛰어나다.쌍방향 사이리스터(Triac)쌍방향 사이리스터는, 2개의 사이리스터를 역병렬로 접속하여 쌍방항기에서 소모되는 전력V = 저항기 양단에 걸린 전압I = 저항기를 통해 흐르는 전류R = 저항기의 저항저항기에 따라 최대 허용전력이 다른 이유는, 저항기에서 소모되는 전력이 열 에너지로 전환되기 때문이다. 이 열 에너지 때문에 저항기의 온도가 상승하게 되는데, 저항기의 허용 온도를 초과하는 경우 저항기가 타버리게 된다.저항값 읽는법저항의 종류-고정저항탄소피막저항 (일반 저항)카본 저항기(Carbon Film Resister)라고 하며, 세라믹에 탄소를 열분해시켜 표면에 피막을 만들어 단자를 붙이고 일정 저항값이 되도록 표면에 나선형으로 홈을파고 외부에 절연 처리를 한 저항기이다. 안정성은 보통이나 잡음 특성은 조금 나쁘지만 가격이 매우 저렴해서 많이 사용하고 있다.솔리드 저항탄소체 저항기(Carbon Composition Resister)라고도 한다. 구조는 탄소분말, 무기질 재료, 수지 등을 적당한 비율로 혼합해서 몰드로 외부를 씌워 단자를 붙인 것이다. 양산에 적합하고 값이 저렴하며 소형이하는 장점을 갖는다. 저항값의 정밀도가 나쁘고 저항 잡음이 크며 탄소피막 저항보다 성능이 떨어진다.권선 저항Wire Wound Resister라고 한다. 니켈-크로뮴계, 구리-니켈계, 구리-망가니즈계의 합금으로 가는 선을 만들어 세라믹 또는 합성수지에 감은 저항기로 큰 전류가 흐르는 부분에 사용한다. 다른 저항기에 비해 낮은 잡음, 작은 온도 계수, 높은 정밀도를 얻는 장점이 있으나, 높은 저항값으로 제작 불가능하며, 고주파 회로의 용도로는 적합하지 않은 단점이 있다. 주로 정밀계기용으로 사용한다.금속피막 저항Metallic Film Resistor라고 한다. 오차범위 1%정도의 고정밀도 저항기이다. 알루미나계의 세라믹 기판에 니켈-크로뮴 합금 등을 증착시켜 만든 금속피막을 저항체로 사용한다. 성능은 권선 저항기에 기낍고 그보다 높은 저항값으로 만들 수 있다. 탄소피막 저항기보다 고가이다.어레이 저항기집합 저항기(Array Resister)라고 한다. 동일한 값의 저항이드선으로 구성되며, 저항에 걸리는 전압을 분압 또는 전류를 분류하는데 사용하는 소자이가. 원형 타입과 슬라이드 타입이 있으며, 음량 조절 등에 사용된다.반고정 저항Semi-Variable Resister 또는 Trimmer Potentiometer 라고 한다. 가변 저항기와 동일하나 회전축에 + 또는 - 드라이버를 사용하여 회전각을 변화시켜 저항값을 변경한다. 카본 타입에 3개의 리드선으로 구성되었으며 값이 저렴하여 널리 이용된다. 가변 저항기처럼 저항값을 변화시킬수 있으나 조정한 값을 변화시키지 않는 곳에 사용한다.릴레이(Relay)1835년 미국 물리학자 죠세프 헨리가 발명하였으며, 계전기라고 한다. 동작 스위치, 물리량, 전력기기 등의 상태에 따라 제어 또는 전원용 전력으로 출력하는 전력기기이다. 유선 전신의 전송로의 전기저항에 의해 약해진 신호를 중계하기 위한 것으로, 소전력을 입력해서 대전력 on/off를 제어할 수 있다. 감전 방지 등의 안전성, 설치의 자유도, 원격조작 등의 조작성, 조작의 확실성으로 광범위하게 사용된다.전자기 릴레이일반적인 전기 기계식 릴레이로 반응속도가 느리며, 노이즈가 발생하는 단점이 있습니다.반도체 릴레이 ( SSR : 솔리드 스테이트 릴레이 : 무접점 릴레이)반도체 소자를 이용하여 소형, 경량화 시켜 전자기 릴레이의 단점을 보완한 릴레이 입니다.전기 기계식 릴레이보다 반응속도가 빠르며 전기적 노이즈가 적습니다.무한으로 깔끔하게 동작시킬 수 있으며 소음이 적습니다.하지만 닫혔을때 임피던스가 높고, 열렸을 때 역으로 새는 전류가 존재하며?가격이 비싸다는 단점이 있습니다.환류 다이오드덕터 충전전류로 인한 기기의 손상을 방지하기 위해 부하와 병렬로 연결된 다이오드를 이야기 한다.스위치가 ON되어 일정시간동안 도통되면 부하를 통해 흐르는 전류는 일정 값에 흐르게 되고 유도성부하(인덕터)에 저장되게 된다. 이때, 스위치를 개방하게 되면 인덕터에 저장된 전류가 방출되어야 하는데 회로 개방시 스위치 부분의 스파크가 나타나게 된다. 이때 킨다.

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| 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.12.02

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정류회로 (캡스톤 실험)

에서 축전기의 역할과 전파 정류와 반파 정류의 차이를 이해한다.Ⅱ. 이론 (Theory)전류는 직류(DC, Direct Current)와 교류(AC, Alternating Current ... 어주는 전기 회로이다. 정류회로에서 다이오드는 정류 소자로서, 전류를 한 방향으로만 흐르게 한다. 축전기는 정류 회로가 일정한 전류량을 유지할 수 있도록 양이 바뀌는 전압의 전하 ... 를 축전기에 저장하여 전압이 줄어들 때, 공급함으로써 전류량을 일정하게 유지시켜주는 역할을 한다.다이오드는 전압을 일정 방향으로 걸어주었을 때만 전류가 흐르는 정류작용을 하는 2단자

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.10.27

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전기용량

전기용량1. 전기용량2. 축전기 대전시키기3. 평행판축전기의 전기용량 계산4. 원통형 축전기5. 구형 축전기6. 축전기의 병렬 연결7. 축전기의 직렬 연결8. 전기장에 저장 ... 된 에너지9. 축전기의 에너지 밀도10. 유전체를 넣은 축전기11. 원자의 관점에서 바라본 유전체12. 유전체와 Gauss의 법칙1. 전기용량축전기가 대전 될 때 크기는 같고 부호가 반 ... 에는 분명 퍼텐셜 차이가 존재한다. 이때 퍼텐셜 차이의 절대값을 V라고 하면 축전기의 전하 q와 퍼텐셜 차이의 절대값(V)는 비례한다.q``=`CV````ㆍㆍㆍi)이때i)식에서 비례상수C

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| 리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.09.01

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RC회로 실험

RC 회로 실험1. 실험 제목: RC회로 실험2. 실험 목적: 축전기(C)와 전기저항(R)을 직렬로 연결한 회로(RC 회로)의 충전 및 방전 특성을 실험을 통해서 이해한다.3 ... 라 하면 회로에 흐르는 전류는 다음과 같이 표현 가능하다.I = V R {\displaystyle I={\frac {V}{R}}}축전기(콘덴서) 양단에 걸린 전압을 V, 축전기 ... 의 전기용량을 C라고 하면 축전기에 저장되는 전하량 Q는 다음과 같이 표현 가능하다.Q = C V {\displaystyle Q=CV}저항과 축전기가 연결된 경우 (RC 회로

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| 리포트 | 5페이지 | 3,500원 | 등록일 2020.12.21

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정보공학실험 기말고사 (회로실험)

고 캐패시터의 충전, 방전 이론을 이용하여 주기 및 주파수를 구하라. (15점)τ = RC = 0.2ms(5점), 한 주기 = 5τ, T = 10τ = 2ms(5점), f = 1/T ... =500Hz(5점)5. 다음 내용이 맞으면 O, 틀리면 X로 답하라.(각 1점)(1) 직렬 RC회로에서 Capacitor의 capacitance값이 작아지면 Capacitor

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| 시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.06.17

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MOSFET 공통 소스 증폭기 실험 레포트(예비,결과)

결과 레포트- 실험 결과 및 고찰이번 실험에서는 MOS Capacitor의 주파수에 따른 C-V 특성을 알아보는 실험을 진행하였다. 실험은 8개의 주파수로 나눠서 진행을 했 ... 확실하게 알게 되는 계기가 되었다. 앞으로 MOSFET Capacitor를 활용을 하면서 어떻게 하여야 그 효율을 더 높일 수 있는지 새롭게 알게 되었다.예비 레포트- 실험날짜 ... 의 직류전압을 유지시켜주고, 큰 저항으로 인해 교류 신호 입력에 의해 발생되는 저항에서 전압이 강하되는 것을 억제시켜준다. 캐패시터 C2는 바이패스(bypass) 캐패시터로 소스

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| 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2021.11.08

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[서울대학교 물리 실험]쿨롱법칙

기 위한 축전기의 특성을 나타내는 값으로, 전하량을 축전기 사이의 전압으로 나누어서 구한다. (C:전기용량, Q: 축전된 전하량, V:축전기 사이의 전압).(1)2.1. 평행판 축전 ... 기의 전기용량축전기 판의 크기가 무한이라고 가정하면 두 축전기 판 사이의 전기장은 가우스 법칙에 의해 ( : 축전기 판의 면 전하 밀도, :축전기 판 사이 유전체의 유전율)가 된다 ... . 축전기 판 사이의 거리를 d라고 하면, 축전기 판 사이의 전압은 에 따라 가 된다. 실제 평행판 축전기에서 평행판의 크기가 무한이라는 가정은 성립하지 않는다. 만약 평행판 축전

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| 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.23

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인하대학교 집적회로공정(전자공학과) DRAM레포트

면서 축전기 전자가 누전되면서 기억된 정보를 잃는다. 이는 메모리 리프래시가 필요한 이유이다. 이 리프패시를 위한 제어회로가 컴퓨터에 탑재 되어야 한다. 회성 구성이 복잡해지 ... 기를 행하는 것을 말한다. 이는 순차적 메모리 장치와 반대된다.각각의 DRAM 비트는 1개의 트랜지스터와 캐패시터로 만들어지고 커패시터에 담긴 전하량에 의해 기록한다. 시간이 지나 ... 는 bit line의 level을 증폭하여 정보를 읽고 이를 증폭시켜 다시 cell로 보낸다. 이 과정을 row refresh라고 한다.3. 공정과정(Trench Capacitor

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| 리포트 | 6페이지 | 4,900원 | 등록일 2021.09.26

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AC Circuit / Impedance(예비) - 실험물리학I A+ 레포트

(Capacitor) 유전체 축전기는 일반적으로 도체 전극 사이에 비전도체 물질을 포함하고 있는데, 이를 유전체라고 한다. 유전체를 삽입하면 전극의 사이가 진공일 때보다 더 크다. 유전 ... 분극 현상으로 보다 많은 전하들이 잡히면서 축전기의 용량이 증가하기 때문이다. 원래 축전기의 전기용량은 인데 유전체가 있을 경우에는 이다. 전하가 동일하고 전위차 가 보다 작 ... 어, 평행판 축전기에서 평행판의 넓이, 평행판 사이의 거리가 같다는 조건 하에 유전상수 는 결국 유전체에서의 유전율과 진공에서 유전율의 비율이다. 따라서 라고 표현할 수 있

리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2025.07.16

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Voltage Divider 회로 실험 결과 보고서

)만큼 상승한 것을 볼 수 있다.실험 4. Voltage divider using capacitor축전기의 전기용량 측정값 :1muF = 1.06mu F, 1.02mu F100nF ... )X _{C}는 축전기의 유도 리액턴스이고f는 회로에 입력된 교류의 진동수이며C는 축전기의 전기용량이다.2. 중첩의 원리(Voltage adder)그림 2 교류만그림 3 교류+직류 ... , 1K` ohm 저항 1개, 1muF축전기 2개, 47pF축전기 2개, 100nF축전기 1개4. 실험 방법실험 1. Voltage divider (DC)0. 그림 7 과 같은 회로

리포트 | 11페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.02.01

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[일반물리학실험]교류 회로

교류 회로1. 실험 목적가. 저항 및 축전기(capacitor)로 구성된 직렬 R-C회로에서 교류 전압과 교류 전류를 측정하여 저항 R(resistance), 전기용량(capacitance) C의 특성을 이해하고 직류 회로와의 차이점을 배운다.2. 실험 이론 및 원리가. 실험 배경빵판을 이용해 R , C , R ? C 직렬회로를 구성하고 직류 전원 공급기로 전원을 공급하여V _{R} =RI ,V _{C} = {1} over {omega C} ,Z```= {varepsilon _{m}} over {I}= sqrt {R ^{2} +( {1} over {omega C} ) ^{2}} 공식을 이용해 직류 실험, 교류 실험에서의I`,`Z의 이론값과 측정값의 차이를 확인한다.3. 실험 기구 및 장치가. 실험 재료1) 빵판 , 직류 전원 공급기, 함수 발생기, 커패시터, 저항, 멀티미터4. 실험 방법가. R 회로1) R 회로를 구성하기 위해 빵판에 저항을 연결 한 후, 같은 라인에 전선을 꼽는다.2) 전선에 각각 멀티미터, 직류 전원 공급기를 연결 하고 직류전원 공급기와 멀티미터를 연결한다.3) 직류 전원 공급기로 0,1,2,3,4,5V를 공급하면서I값을 멀티미터로 측정한다.V _{R} =RI4) 공식을 이용해I _{이론} 값을 계산한다.5) 같은 방식으로 직류 전원 공급기 대신 함수 발생기를 연결한다. 같은 진동수 일 때 측정하여야 하므로 100Hz로 고정시킨다. 하지만 함수발생기는 전압을 표시하지 않으므로 전압을 각각 측정해야한다. 따서 0,1,2,3,4,5V 를 각각 한번씩 멀티미터로 측정 한 뒤,I _{ac} 값을 측정하고, 그 다음V _{R} =RI 공식을 이용해I _{ac이론} 값을 계산한다.6) 이번엔 전압을 고정 시킨뒤, 진동수를 바꾸며 측정한다. 100Hz , 200Hz , 300Hz , 400Hz , 500Hz일때 측정을 한다. 마찬가지로I _{ac이론} 값은V _{R} =RI 공식을 이용하여 구하고,I _{ac} 값을 측정한다.나. (2) C 회로1) 하고 직류전원 공급기와 멀티미터를 연결한다.3) 직류 전원 공급기로 0,1,2,3,4,5V를 공급하면서 I값을 멀티미터로 측정한다.V _{c} = {I} over {wC}4) 공식을 이용해I _{이론} 값을 계산한다. (하지만 여기서 직류 전원은 진동수가 0이므로 값을 구할수 없게 된다), (여기서 ω=2πf)5) 같은 방식으로 직류 전원 공급기 대신 함수 발생기를 연결한다. 같은 진동수 일 때 측정하여야 하므로 100Hz로 고정시킨다. 하지만 함수발생기는 전압을 표시하지 않으므로 전압을 각각 측정해야한다. 따서 0,1,2,3,4,5V 를 각각 한번씩 멀티미터로 측정 한 뒤,I_ac 값을 측정하고, 그 다음V _{c} = {I} over {wC}공식을 이용해I _{ac이론} 값을 계산한다.6) 이번엔 전압을 고정 시킨뒤, 진동수를 바꾸며 측정한다. 100Hz , 200Hz , 300Hz , 400Hz , 500Hz일때 측정을 한다. 마찬가지로I _{ac이론} 값은V _{c} = {I} over {wC}공식을 이용하여 구하고,I _{ac} 값을 측정한다.다. R - C 회로1) R - C 회로를 구성하기 위해 빵판에 커패시터와 저항을 연결하고, 같은 라인에 전선을 꼽아주어 직렬 회로를 구성한다.2) 전선에 각각 멀티미터, 함수발생기를 연결 하고 함수발생기와 멀티미터를 연결한다.3) 함수발생기로 0,1,2,3,4,5V를 공급하면서 (함수발생기는 전압을 표시하지 않으므로 공급한 전압을 멀티미터로 측정한 뒤 해야한다.)I값을 멀티미터로 측정한다.Z4)= sqrt {R ^{2} +( {1} over {omega C} ) ^{2}} 공식을 이용해 임피던스 Z 값을 구하고,{varepsilon _{m}} over {I} =Z 를 이용해I _{ac이론} 값을 구한다.5) 전압을 고정시키고, 진동수를 바꿔 가면서 측정한다.Z _{이론}값은Z= sqrt {R ^{2} +( {1} over {omega C} ) ^{2}}를 이용해 계산하고,I _{ac이론}값은{varepsilon식에 측정한I _{ac}값을 대입해 계산한 값이다.5. 실험 결과가. 측정값1) R 회로① 직류 실험(표 1) : R = 1000±5%Ωε(v)I(mA)I _{이론}(mA)상대오차(%)00.0100.0011.0212.0022.0723.5033.0431.3344.0942.2555.1352.60② 교류 실험 (진동수 고정, 표2) : R = 1000±5%Ω, f = 100Hzvarepsilon _{ac}(v)I _{ac}(mA)I _{ac이론}(mA)상대오차(%)0000.0010.9515.002.011.9124.503.002.8535.004.033.8344.255.004.7455.20③ 교류 실험 (전압 고정, 표3) : R = 1000±5%Ω,varepsilon _{ac} = 5Vf(Hz)I _{ac}(mA)I _{ac이론}(mA)상대오차(%)1004.7455.202004.7555.003004.7455.204004.7455.205004.7455.202) C 회로① 직류 실험(표 4) : C = 1μFε(v)I(mA)I _{이론}(mA)상대오차(%)00*************040005000② 교류 실험(진동수 고정, 표 5) : C = 1μF, f = 100Hzvarepsilon _{ac}(v)I _{ac}(mA)I _{ac이론}(mA)상대오차(%)0.070.060.0450.01.020.640.640.002.021.271.260.793.011.891.890.004.032.512.530.795.013.153.140.31③ 교류 실험(전압 고정, (표 6) : C = 1μF,varepsilon _{ac} = 5.01Vf(Hz)I _{ac}(mA)I _{ac이론}(mA)상대오차(%)1003.153.140.312006.296.290.003009.389.440.6340012.312.592.3050015.315.732.733) R - C회로① 교류 실험(진동수 고정, 표 7) : R = 1000±5%Ω, C = 1μF, f = 100Hzvarepsilon _{ac}(v)I21.591.600.624.032.102.141.865.002.622.661.50Z = 1908,Z _{eqalign{이론#}} = 1879② 교류 실험(전압 고정, 표 8)f(Hz)I _{ac}(mA)Z(Ω)Z _{이론}(Ω)I _{ac이론}(mA)Z _{상대오차(%)}I _{상대오차(%)}1002.62190818792.661.541.502003.78132212773.913.523.323004.23118211324.414.414.084004.43112810764.644.834.525004.54110110494.764.954.62나. 결과 분석1) R 회로① 직류 실험(그림 1)기울기 : 0.978, 기울기가 의미하는 값은 저항이고, I의 단위가 mA 이므로 1000을 곱하면 978Ω이다.②2. 교류 실험(진동수 고정, 그림 2)기울기 : 1.054, 저항의 값 : 1054Ω③. 교류 실험(전압 고정, 그림 3)기울기 : 0, 이 그래프에서는 f에 따른 전류 I의 변화를 나타냈다. R회로에서는 진동수의 변화가 전류에 영향을 미치지 않는다.2) C 회로① 직류 실험(그림 4)C회로의 직류 실험에서는 전류가 흐르지 않아 그래프를 그릴 수 없었다.② 교류 실험(진동수 고정, 그림 5)기울기 : 1.601, 기울기가 의미하는 것은 용량성 리액턴스이다. 전류의 단위가 mA 이므로 그 값은 1601이다.③ 교류 실험(전압 고정, 그림 6)진동수에 따른 전류의 변화를 나타내었다. R 회로와는 다르게 C 회로에서는 진동수의 변화에 따라서 전류가 변화하는것을 알 수 있다. C회로에서 저항의 역할을 하는 용량성 리액턴스의 값은 w에 따라서 변화 하므로 타당한 결과임을 알 수 있다.3) R - C회로① 교류 실험(진동수 고정, 그림 7)기울기 : 1.916, 기울기가 의미하는것은 R-C회로에서 저항의 역할을 하는 임피던스이고, 그 값은 전류가 mA 단위 이므로 1916이다.② 교류 실험(전압 고정, 그림 8)진동수에 따른 전류의 변화를 나타내었다. 이론상 임피던스의 값과 전류의 전류를 측정 했을 때에 전류의 값 변화가 없는 것은 진동수는 저항에 아무런 영향을 주지 않기 때문인 것으로 생각된다. 또 C 회로에서 직류 전원을 공급했을 때에 전류가 흐르지 않고, 교류 전원을 공급했을 때에 전류가 흐르는 이유는 일단 커패시터는 두 도체가 떨어져있는 소자이고, 그 사이 공간은 절연체 혹은 빈 공간이므로 전류가 물리적으로 지나 갈 수 없으므로 전류가 흐르지 않았다고 볼 수 있다.직류 전원은 한 방향으로만 전류가 흐르기 때문에 전류가 흐를 수 없었고, 교류 전원은 잘 배우지는 않았지만 전류가 흐르는 방향이 시간에 따라 바뀌는 것으로 알고 있다. 이렇게 방향을 바뀌며 흐르면 커패시터처럼 회로가 끊어져있어도 전류가 흐를 수 있기 때문에 C 회로에 교류 전원을 넣었을 때에는 전류가 흐를 수 있었을 것이라고 생각된다.R회로에서의 실험을 그래프로 그린 그림 1과 그림 2에서의 기울기 0.978 와 1.054은 각각 저항 978Ω과 1054Ω을 나타낸다. 이 값은 실제 사용한 저항의 값 1000Ω과 각각 오차 2.2%, 5.4%를 나타 내고 있다. 그리고 C 회로에서의 실험을 그래프로 그린 그림 5에서의 기울기 1.601은 용량성 리액턴스의 값 1601Ω을 의미하고, 이는 이론상의 리액턴스 값 1591Ω과 오차 0.62%를 나타내고 있다. 또 R -C 회로에서의 실험을 그래프로 그린 그림 7에서의 기울기 1.916은 임피던스 = Z 값 1916Ω을 나타내고, 이는 이론상의 임피던스 값 1879와 오차 1.96%을 나타내고 있다.나. 결론먼저 R 회로에서의 진동수 변화가 왜 전류 값에 영향을 미치지 않는지와, C 회로에서 직류 전원을 공급했을 때 왜 전류가 흐르지 않는지에 대해서 한번 생각 하게 해주는 실험이었다. 일단 R 회로에서는 옴의 법칙인 V=IR 을 만족한다. 이 공식에서는 진동수는 전혀 신경 쓰지 않으므로 공식 자체로 판단해 보았을 때 진동수는 전압, 전류, 저항에 영향을 주지 않을 것이라는 것을 예측 할 수 있고 실험 결과 영향을 주지 않음을 명된다.

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[숭실대 전자회로실험] RC&Circuit Simulator 실험 보고서

RC & Circuit Simulator- 1 - 전자회로실험RC Circuit서론RC 회로는 저항기[Resistor], 축전기[Capacitor]가 직렬로 연결된 전자회로 ... 를 구성하는 핵심 기본 소자인 축전기, 교류 특성을 이해하고 전자회로 실험에 주로 활용되는 여러 기자재의 사용법을 익힌다.본론- 이론1. 축전기(Capacitor)그림 1 축전기 특정 ... 한 정전 용량(커패시턴스, Capacitance[기호:C, 단위:F(Farad, 패럿)])을 갖는 회로 소자를 축전기라 한다. 이것은 주로 두 개의 도체판으로 구성되어 있고, 사이

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[한양대] 일반물리학및실험2 실험12 결과레포트

실험 12. 축전기의 충방전-목차-1. 실험 제목2. 실험 목적3. 실험 결과4. 결과 분석5. 토의6. 참고문헌1. 실험 제목- 실험 12. 축전기의 충방전2. 실험 목적- 축전기(또는 콘덴서, 커패시터)의 충전, 방전이 이루어 질 때, 시간에 따른 전류, 전압의 변화를 그래프로 그려 분석하고, 저항값과 축전기의 용량값 변화에 따른 실험을 실시하고 그 때의 시간상수 변화에 대하여 알아본다.3. 실험 결과1. 전압에 따른 축전기 충·방전 실험R=100Ω, C=10000muF충전시5V4V3V측정최대 전압(V)4.986V3.978V2.970V최대 전류(A)0.047A0.041A0.029A시간 상수,tau=RC111측정시간 상수(RC)일 때 전압(V)3.136V2.409V1.821V시간 상수(RC)일 때 전류(A)0.018A0.015A0.011A이론계산시간 상수(RC)일 때 전압(V)3.141V2.506V1.871V시간 상수(RC)일 때 전류(A)0.018A0.014A0.011A오차전압(%)0.159%3.870%2.672%전류(%)0%7.143%0%R=100Ω, C=10000muF방전시5V4V3V측정최대 전압(V)4.986V3.978V2.970V최대 전류(A)-0.049A-0.036A-0.029A시간 상수,tau=RC111측정시간 상수(RC)일 때 전압(V)1.758V1.497V1.088V시간 상수(RC)일 때 전류(A)-0.014A-0.015A-0.011A이론계산시간 상수(RC)일 때 전압(V)1.844V1.471V1.099V시간 상수(RC)일 때 전류(A)-0.018A-0.015A-0.011A오차전압(%)4.663%1.520%1.001%전류(%)22.222%0%0%2. 저항의 변화에 따른 축전기 충·방전 실험5V, C=10000muF충전시47Ω100Ω150Ω측정최대 전압(V)4.986V4.988V4.932V최대 전류(A)0.098A0.047A0.032A시간 상수,tau=RC0.4711.5측정시간 상수(RC)일 때 전압(V)4.316V3.136V2.409V시간 상수(RC)일 때 전류(A)0.013A0.018A0.016A이론계산시간 상수(RC)일 때 전압(V)3.141V3.141V3.107V시간 상수(RC)일 때 전류(A)0.039A0.018A0.012A오차전압(%)37.408%0.159%22.465%전류(%)66.667%0%33.333%5V, C=10000muF방전시47Ω100Ω150Ω측정최대 전압(V)4.986V4.986V4.932V최대 전류(A)-0.098A-0.049A-0.032A시간 상수,tau=RC0.4711.5측정시간 상수(RC)일 때 전압(V)0.569V1.758V2.548V시간 상수(RC)일 때 전류(A)-0.014A-0.014A-0.017A이론계산시간 상수(RC)일 때 전압(V)0.569V1.844V1.825V시간 상수(RC)일 때 전류(A)-0.014A-0.018A-0.012A오차전압(%)0%4.663%39.616%전류(%)0%22.222%41.667%3. 축전기의 변화에 따른 축전기 충·방전 실험5V, 100Ω충전시10000muF15000muF측정최대 전압(V)4.986V4.902V최대 전류(A)0.047A0.046A시간 상수,tau=RC11.5측정시간 상수(RC)일 때 전압(V)3.136V2.510V시간 상수(RC)일 때 전류(A)0.018A0.024A이론계산시간 상수(RC)일 때 전압(V)3.141V3.088V시간 상수(RC)일 때 전류(A)0.018A0.012A오차전압(%)0.159%18.718%전류(%)0%100%5V, 100Ω방전시10000muF15000muF측정최대 전압(V)4.986V4.902V최대 전류(A)-0.049A-0.044A시간 상수,tau=RC11.5측정시간 상수(RC)일 때 전압(V)1.758V2.511V시간 상수(RC)일 때 전류(A)-0.014A-0.024A이론계산시간 상수(RC)일 때 전압(V)1.844V1.814V시간 상수(RC)일 때 전류(A)-0.018A-0.012A오차전압(%)4.663%38.423%전류(%)22.222%100%4. 결과 분석1. 전압에 따른 축전기 충·방전 실험- 이 실험에서는 저항을 100Ω, 정전용량을 10000muF으로 고정하고 전압의 크기를 5V, 4V, 3V로 줄여가면서 진행하였다. 일단 최대 전압, 최대 전류 모두 전압이 줄어듦에 따라 함께 줄어드는 경향을 충전시, 방전시에 모두 보였다. 시간 상수일 때 전압과 전류 또한 충전시, 방전시에 전압이 줄어듦에 따라 대체로 줄어들었다. 4V일 때 유일하게 ?0.015A로 5V일 때의 전압보다 크게 측정되었다. 1번 실험에서는 오차율도 방전시 5V 전류를 제외하곤 대부분 낮게 나왔다. 아무래도 방전시의 5V 전류의 측정때 큰 오차가 발생한 것 같다.2. 저항의 변화에 따른 축전기 충·방전 실험- 두 번째 실험에서는 전압과 정전용량을 각각 5V, 10000muF으로 고정하고, 저항을 47Ω, 100Ω, 150Ω으로 변화를 주면서 진행하였다. 두 번째 실험에서는 첫 번째 실험에서와는 달리 저항이 커짐에 따라 전압이나 전류의 값이 증가하거나 감소하는 규칙적인 모습이 보이지 않았다. 이러한 이유는 실험에 오차를 발생시키는 요인이 많이 작용하였는지, 오차율의 값들이 첫 번째 실험보다 훨씬 컸다. 아무래도 충전이나 방전을 끝까지 완벽하게 하지 않은 상태로 실험을 진행하고 기록을 해서 오차가 크게 발생한 것 같다.3. 축전기의 변화에 따른 축전기 충·방전 실험- 세 번째 실험에서는 전압과 저항을 각각 5V, 100Ω으로 고정하고, 정전용량을 기존의 10000muF와 15000muF로 바꾸어 가며 진행하였다. 세 번째 실험 또한 앞의 첫 번째, 두 번째 실험과 마찬가지로 전압과 전류의 규칙적인 변화가 보여지지 않았다. 위에 두 번째 실험결과 분석에서 말한 데로 실험을 빨리빨리 진행하다보니 충전과 방전을 끝까지 하지 않은 상태여서 전류가 남아 있는 상태로 전압과 전류를 측정하여서 오차율이 이번에도 높게 측정되었다.5. 토의1. 방전시 축전기의 전하가 처음의 반이 될 때의 시간을 측정하고 시간 상수의 몇 배가 되는지 알아본다.- 방전시 축전기의 전하를 구하는 공식은q=CEe ^{-t/RC}(t=처음의 시간)이다. 반면 축전기의 전하가 처음의 반이 될 때의 공식은q/2=CEe ^{-t _{1} /RC}(t _{1}=처음의 반이 될 때의 시간) q를 2로 나누고 t를 전하가 처음의 반이 될 시간인t _{1}을 변수로 취한식이 된다.이 둘을 연립하면{1} over {2} CEe ^{-t/RC} =CEe ^{-t _{1} /RC}가 된다. C와 E를 소거해주면{1} over {2} e ^{-t/RC} =e ^{-t _{1} /RC}가 된다. 이때 t=RC이므로 이를 대입하여 정리하면{1} over {2e} =e ^{-t _{1} /t}가 된다. 자연로그형태로 바꾸어주면{t _{1}} over {t} =ln2e이다.t _{1} =t TIMESln2e이므로t _{1}은 t에 대해서 약 1.69배가 된다. 우리가 진행했던 실험의 결과를 도출할 때 모두 t=RCㅊ으로 잡고 했으므로t _{1} =t TIMESln2e식이 모든 결과 값에 적용이 된다. 따라서 방전시 축전기의 전하가 처음의 반이 될 때의 시간은 시간 상수의 약 1.69배이다.2. 축전기에 저장된 전기에너지에 대하여 생각해 본다. 방전이 시작되고 시간이 t=r일 때 축전기에 저장된 에너지를 처음값과 비교하시오.

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.03.19

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인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

MOS Capacitor 설계 및 분석과목명분반담당 교수님제출일2023학과학번성명목차(Table of Contents)I. MOS Capacitor 동작 원리- Gate Material- Metal Gate Material 고려사항 및 선택- Oxide Material- Oxide Thickness/Charge/Traps- Subthreshold Swing (SS)- Semiconductor material- Semiconductor material 선택- Si Doping Concentration 선택- Body Effect(NMOSFET 기준)- MOS Capacitor 동작 원리(NMOS)- Flat Band- Accumulation (Strong/Weak)- Depletion- Threshold- Inversion (Strong/Weak)II. High-k 물질 도입에 대한 배경- Moore의 법칙과 Device Scaling Down- High-k material 선택 및 조건- Reasonable K value- Thermodynamic stability- Kinetic Stability- Band Offset- Interface Quality- Defects- Oxide 물질과 Si substrate 접합 interface의 quality와 Interfacial Layer(IL)의 필요성- Scattering에 의한 Carrier Mobility Degradation- Remote Coulomb Scattering (RCS)- Remote Phonon Scattering (RPS)- Remote Surface Roughness Scattering (RSRS)- HKMG Fabrication Process Method- Gate-First Integration Scheme- Gate-Last Integration SchemeIII. High-k 물질을 포함한 MOS Capacitor 설계 과정- 서론- Body Substrate Doping Conc 적절한 VT window가 필요하다고 생각됩니다. 또한, device scaling down에 따라 여러 short channel effect(SCE) 중 punch through에 대한 solution인 Halo/Pocket doping을 고려하거나, Drain Induced Barrier Lowering(DIBL)에 대한 solution으로도 doping concentration을 전체적으로 높이면서 TOX를 같이 줄이는 점 또는 retrograde body doping과 같은 scheme이 채택되는 점을 고려하면 body concentration을 적절히 높여야 합니다. 하지만 body substrate의 concentration이 증가하면 impurity scattering 또한 증가하기에 mobility가 감소하는 degradation은 감수해야 합니다. 이런 점들을 고려해야 한다는 근거를 기준으로 설계 과정에서 doping concentration을 변경해가면서 최종 설계할 body substrate의 doping concentration을 선택하겠습니다.Figure SEQ Figure \* ARABIC 7 Halo/Pocket Doping [21]Body Effect(NMOSFET 기준)Body Effect는 MOS Capacitor보다 MOSFET device에서 더 깊이 고려해야 하는 사항이지만 MOS Capacitor에서도 매우 중요한 개념이라 기술하겠습니다.먼저 Body Effect는 결국 oxide capacitance(COX)와 depletion oxide(Cdep)사이의 inversion layer region에 대한 장악력을 나타냅니다.1) VSB가 0V가 아닌 경우Body에 인가되는 전압은 주로 negative bias가 인가됩니다. 왜냐하면, positive bias가 인가될 경우 VT가 낮아지는 점도 있지만 NMOSFET device의 구조를 생각해 보면 Source와 Drain 그리고 p-type Si의 Body가 npn i려오는 상황입니다.RCS를 유도하는 charge들은 Gate 영역에 존재하는 defect density에 비례합니다.RCS 효과는 최적의 deposition과 annealing 조건을 알아내어 defect density를 줄이는 것과 같이 fabrication process의 최적화를 solution으로 볼 수 있습니다. 또한, effective field가 증가함에 따라 inversion charge density의 엄청난 증가로 screening effect를 통해 RCS효과를 줄일 수 있습니다.Remote Phonon Scattering (RPS)High-k material들은 주로 Metal과 Oxide, 즉 M-O결합으로 구성됩니다. 이러한 High-k material의 ionicity와 polarization은 low-frequency phonon vibration mode를 가능하게 합니다.이에 따라, 같은 frequency operation이더라도 이는 SiO2를 막질로 사용할 때와 비교하면 동일 frequency 기준 phonon scattering rate이 더 크게 되기에 SiO2를 사용할 때보다 carrier mobility degradation이 커지게 됩니다.RPS는 RCS와 다르게 fabrication process 최적화로 해결할 수 없는 intrinsic한 scattering mechanism입니다. 하지만, Metal Gate를 도입하면서 RPS effect를 줄일 수 있었습니다.Remote Surface Roughness Scattering (RSRS)RSRS는 material간의 접합면의 roughness 때문에 발생하는 scattering mechanism으로 IL/High-k와 Metal/High-k 접합면에서 발생합니다.RSRS는 effective filed의 크기가 증가함에 따라 channel내의 carrier들이 surface로 더 가까이 올수록 dominant한 mechanism이 됩니다. 반대로, effectiviN/HfO2/SiO2/p-type Si의 경우에서 Si으로부터 SiO2방향으로 0.25nm 떨어진 곳에 +0.0001C/cm2 oxide charge가 생성된 경우를 먼저 실험해 보았더니,VFB는 -22.331V, VT는 -21.320V를 얻을 수 있었습니다.-0.0001C/cm2 oxide charge가 같은 위치에 삽입된 경우 VFB는 21.107V, VT는 22.117V로 나타났습니다.2) TiN/SiO2/HfO2/p-type Si의 경우에서 동일하게 진행해보겠습니다.동일 위치에(Si-substrate로부터 HfO2방향으로 0.25nm 떨어진 지점)에 +0.0001C/cm2 oxide charge가 삽입된 경우 VFB는 -28.441V, VT는 -27.431V였으며 -0.0001C/cm2 oxide charge가 삽입된 경우는 VFB가 27.217V, VT는 28.228V로 나타났습니다.위 두경우와 기존 oxide charge가 없는 경우를 표로 확인해 보겠습니다.Table SEQ Table \* ARABIC 5 300K기준 각 TiN/HfO2/SiO2/p-Si과 TiN/SiO2/HfO2/p-Si stack별 +0.0001C/cm2와 -0.00001C/cm2의 내부 oxide charge에 대한 VT(V), VFB(V)변화이에 따라 해당 program에서는 동일한 EOT를 가지면 interface property를 지원하지는 않고 여러 capacitance값들은 동일하게 나타나지만 oxide layer들의 stacking 순서에 따라 다른 효과를 나타냄을 확인할 수 있었습니다. 위 표에서 각각의 positive/negative oxide charge가 oxide trap으로 작용할 때 VT와 VFB의 변화는 모두 HfO2가 p-type Si과 맞닿아 있을 때 그 폭이 더 큽니다. 이는 각 material의 결합구조의 차이에 따라 inversion layer에 미치는 영향이 다르다는 점은 program에서 지원하기 때문에 달라진다고 생각됩니다.이어서 oxolution은 오직 Punch Through 현상만을 위한 solution이 아닌 DIBL과 VT Roll Off에 모두 해당됩니다. 비록 MOSFET은 아니지만 이를 고려해 MOS Capacitor를 설계하자면, Halo Doping같은 경우는 Band Diagram Program에서 지원하지 않기에 전체적으로 doping concentration을 높이는 방법을 생각해서 설계하였습니다. 또한 고려해야 하는 점은 doping concentration이 증가하면 mobility가 감소하고 junction capacitance가 증가하여 frequency response가 나빠지게 됩니다. 또한, S,D의 junction depth를 얇게 fabricate하여 channel 인근의 depletion region의 width를 감소시키는 shallow junction depth profile도 solution으로 제시됩니다.Figure SEQ Figure \* ARABIC 40 Doping Concentration에 따른 Punch through 영향 [21]Figure SEQ Figure \* ARABIC 41 Punch through [21]Hot Carrier Injection (HCI) (Based on Luck Electron Model)HCI는 Drain에 의한 lateral electric field에 의해서 source region에서 넘어오던 electron이 drain-body의 depletion region 부근에 존재하는 강한 electric field(Short channel일수록 더 강한 field)에 의해 매우 높은 에너지를 가진 electron이 됩니다. 이 과정에서 electron은 drain 방향으로 이동하면서 impact ionization을 일으키게 되고 이 과정에서 hot carrier들이 생성되게 됩니다.이렇게 Hot carrier가 electron-hole-pair(EHP)로 생성되게 되는데 hole은 상대적으로 낮은 vS2

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