"박막형"의 검색결과 입니다.

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"박막형" 검색결과 701-720 / 8,285건

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Si 및 SrTiO3 기판 위에 증착된 Bi4Ti3O12 박막의 결정구조 및 배향에 따른 강유전 특성 (Ferroelectric Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Deposited on Si and SrTiO3 Substrates According to Crystal Structure and Orientation)

Ferroelectric Bi4Ti3O12 films were deposited on SrTiO3(100) and Si(100) substrate by using conductive SrRuO3 films as underlayer, and their ferroelect..

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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대향 타겟형 스퍼터링 시스템으로 제작한 Al-Co(Al-N)/AlN-Co 다층 박막의 구조 및 전기적 특성 (Structural and Electrical Properties of Al-Co(Al-N)/AlN-Co Multilayer Films Prepared by Two-Facing-Target Type Sputtering System)

High-frequency soft magnetic Ni, Fe, and Co-based thin films have been developed, typically as nanocrystals and amorphous alloys. These Ni, Fe, and Co..

논문 | 9페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.17 | 수정일 2025.03.28

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플라즈마 산화방법을 이용한 질소가 첨가된 실리콘 산화막의 제조와 산화막 내의 질소가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 영향 (Low-Temperature Growth of N-doped SiO2 Layer Using Inductively-Coupled Plasma Oxidation and Its Effect on the Characteristics of Thin Film Transistors)

Silicon dioxide as gate dielectrics was grown at 400℃ on a polycrystalline Si substrate by inductively coupled plasma oxidation using a mixture of O2 ..

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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DC, RF 마그네트론 코스퍼터링법으로 증착한 ZTO/GZO 투명전도성막의 열처리 조건이 박막의 물성에 미치는 영향 (Effect of Annealing on the Electrical Property and Water Permeability of ZTO/GZO Double-layered TCO Films Deposited by DC, RF Magnetron Co-sputtering)

ZTO/GZO double layered films were prepared on unheated non-alkali glass substrates. ZTO films were deposited by RF/DC hybrid magnetron co-sputtering u..

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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966nm 근적외선 레이저를 이용한 고저항성 바나듐 이산화물 박막 기반 2단자 평면형 소자에서의 양방향 전류 트리거링 (Bidirectional Current Triggering in Two-Terminal Planar Device Based on Highly Resistive Vanadium Dioxide Thin Film Using 966nm Near Infrared Laser)

By incorporating a 966nm near infrared laser, we demonstrated bidirectional current triggering of between 0 and 10mA in a two-terminal planar device b..

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.26 | 수정일 2025.05.14

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미스트 화학기상증착법을 이용한 c면, a면, m면, r면 사파이어 기판 위의 산화갈륨 박막 성장 연구 (Growth of Gallium Oxide Thin Film on c-, a-, m-, r-Plane Sapphire Substrates Using Mist Chemical Vapor Deposition System)

Gallium oxide (Ga2O3) thin films were grown on c-, a-, m-, r-plane sapphire substrates using a mist chemical vapor deposition system. Various growth t..

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.29 | 수정일 2025.05.15

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홀 효과의 온도 및 자기장 의존성과 제벡 효과의 온도 의존성 측정을 이용한 바나듐 이산화물 박막의 수송 특성에 관한 연구 (Study on Transport Property of VO2 thin Film Observed by Temperature and Magnetic Field Dependence of Hall Effect and Temperature Dependence of Seebeck Effect)

Here, we investigated the temperature and magnetic-field-dependent Hall effect and temperature-dependent Seebeck effect in VO2 thin films by using phy..

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.05.10 | 수정일 2025.05.18

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화학용액 증착법으로 제조된 희토류 금속으로 치환한 Bi(Fe0.975Cu0.025)O3-δ 박막의 전기적 특성 (Electrical Properties of Rare Earth Substituted Bi(Fe0.975Cu0.025)O3-δ Thin Films Prepared by Using Chemical Solution Deposition)

순수한 BiFeO_3(BFO) 박막과 BiFeO_3의 Bi^(3+)이온 일부를Dy^(3+)또는 Eu^(3+)이온으로 치환하고 Fe^(3+)이온일부를Cu^(2+) 이온으로 동시 ... _(3-δ)(BEFC)박막을 Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100) 기판 위에 화학 용액 증착법으로성장시켰다. 성장시킨 박막들은 550℃의 질소 분위기에서 통상적인방법으로 열처리 ... 하였으며 치환에 따른 박막의 미세구조와 전기적 특성변화를 측정, 비교 분석 하였다. BDFC와 BEFC 박막의 전기적 특성이순수한 BFO 박막에 비해 크게 향상되었는데 외부 전기

논문 | 7페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.24 | 수정일 2025.05.14

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수직자기이방성을 갖는 [Pd/Co]5/X/FeMn 다층박막에서 삽입층 물질과 두께에 따른 교환바이어스와 보자력의 의존성 (Dependence of Coercivity and Exchange Bias by Thickness and Materials of Inserted Layer in [Pd/Co]5/FeMn Multilayer with Out-of-plane Magnetic Anisotropy)

수직자기이방성을 갖는 [Pd(0.6 nm)/Co(0.2)]5/FeMn(10) 다층박막 구조를 이용하여 삽입층 물질과 각 물질의 두께 증가에 따른 보자력(coercivity, Hc ... 에 NiFe를 삽입하였을 때 0.78 nm와 1.28 nm에서 360 Oe의 교환바이어스를 얻었다. [Pd(0.6 nm)/Co(0.2)]5/FeMn(10) 다층박막 구조에서 Co/FeMn

논문 | 5페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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[물리학과][진공 및 박막실험]산업용 Polycrystal Silicon Solar cell의 1-5 특성 곡선 측정 결과보고서

상업용 Polycrystal Silicon Solar cell의 I-V 특성 곡선 측정1. 실험 목적산업용 Polycrystal Silicon Solar cell의 전류 - 전압 특성 곡선을 측정한다.실험을 통하여 Solar Cell의 작동 원리와 특성을 이해한다.2...

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.09.23 | 수정일 2022.01.18

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단일층 PtRhOy 전극-장벽 위에 성막한 강유전성 Pb(Zr1-xTix)O3 박막 캐패시터 특성의 성분 의존성 (Compositional Dependence of the Ferroelectric Properties ofPb(Zr1-xTix)O3 Thin-Film Capacitors Deposited on Single-layered PtRhOy Electrode-Barriers)

$\sim$ 0.8) 박막캐패시터의 특성에 대한 성분 의존성을 조사하였다. 전극-장벽 제작 시 기판 온도(50$^\circ$C에서 650 $^\circ$C)는 PtRhO$_y$ 박막 ... 의 결정성 및 화학적 결합 상태에영향을 미치며, 대부분의 PZT 박막 캐패시터는 잘 포화된 분극-전기장(P-E) 이력특성을 나타내었다. 그러나 잔류 분극과 항전기장 및 스위칭 반복 ... 에 의한 분극 손실특성은 Zr/Ti의 성분 함량비에 의존함을 나타내었다. 특히 PZT(x = 0.6) 박막은10$^{11}$번의 스위칭 반복에 의한 분극 손실이 5 \% 이하인

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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직접 메탄올 연료전지용 나피온 막의 폴리아닐린/Sulfonated Poly(ether sulfone) 다층 자기조립 박막에 의한 표면 개질 (Surface Modification of Nafion by Layer-by-Layer Self-Assembled Films of Polyaniline and Sulfonated Poly(ether sulfone) for Direct Methanol Fuel Cell)

ulfone)(SPES)으로부터 다층 자기조립 박막법으로 나피온 막의 표면을 개질하였다. PANi과 SPES는 열적 화학적으로 안정하며 매우 강직한 특성을 띄고 있어, 나피온 막 표면 ... 에 다층 자기조립 박막 형성시 메탄올 투과도 감소 및 치수 안정성의 향상을 기대할 수 있다. 자외선-가시광선 흡광분석에 의하여 PANi와 SPES의 다층박막의형성이 균일하게 이루어짐 ... 을 확인 하였다. TEM 분석을 통하여 다층 자기조립 박막의 bilayer당두께가 약 10 nm 정도임을 확인 하였다. 개질된 나피온 막은 순수한 나피온 막에 비하여 15%의 이온

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.08 | 수정일 2025.05.08

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미스트화학기상증착시스템의 전구체 수용액 혼합비 조절을 통한 (AlxGa1-x)2O3 에피박막의 밴드갭 특성 제어 연구 (Bandgap Control of (AlxGa1-x)2O3 Epilayers by Controlling Aqueous Precursor Mixing Ratio in Mist Chemical Vapor Deposition System)

본 연구에서는 미스트화학기상증착시스템을 이용한 (AlxGa1-x)2O3 박막을 사파이어 기판 위에 성장하였다. Ga과 Al 전구체를 포함하는 수용액의 혼합비를 0~4.0까지 혼합 ... 성장된 박막은 α-(AlxGa1-x)2O3 형태의 커런덤(corundum) 구조를 유지하였다. 박막의 조성은 8~13%에서 분포하고 있음을 확인하였다. 이에 따라, 광학적으로 측정

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.15 | 수정일 2025.03.28

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Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 CdGa2Se4 단결정 박막의 성장과 가전자대 갈라림에 대한 광전류 연구 (Photocurrent study on the splitting of the valence band and growth of CdGa2Se4 single crystalthin film by hot wall epitaxy)

CdGa2Se4 단결정 박막을 수평 전기로에서 합성한 CdGa2Se4 다결정을 증발원으로하여, hot wall epitaxy(HWE)방법으로 증발원과 기판(반절연성-GaAs ... (100))의 온도를 각각 630oC, 420oC로 고정하여 성장하였다. 이때 단결정 박막의 결정성은 광발광 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)으로 부터 구하였다. Hall ... (Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293 K에서 10 K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap Eg(T

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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고 유전물질을 절연체 박막으로 적용한 금속-강유전체-절연체-금속 구조의 강유전체 터널링 접합 특성 분석 (Analysis of Ferroelectric Tunnel Junction with Metal-ferroelectric-insulator-metal Structure Applying High-k Material as an Insulator Layer)

본 연구에서는 향상된 tunneling electro-resistance (TER) 비를 구현하기 위해 high-k 물질을 절연체 박막으로 적용한 금속-강유전체-절연막-금속 ... 하였다. High-k 물질로는 HfO2와 ZrO2를, 강유전체 박막으로는 Hf0.5Zr0.5O2 산화막을 활용했다. 그 결과, erase 전류는 절연막의 종류와 상관없이 일정한 반면

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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RF 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 방법으로 성장시킨 (K0.5Na0.5)(Mn0.005Nb0.995)O3 무연계 박막의 강유전 특성 (Ferroelectric Properties of (K0.5Na0.5)(Mn0.005Nb0.995)O3 Thin Films Fabricated by RF Magnetron Sputtering)

K0.5Na0.5NbO3에서 Nb 위치에 Mn을 0.5 mol% 치환한(K0.5Na0.5)(Mn0.005Nb0.995)O3 (KNMN)강유전체 박막을 RF 마그네트론 스퍼터링 ... 방법으로 성장시켜 강유전 및전기적 특성을 조사하였다. 성장된 KNMN 박막의 단일상과 결정성은 X-선회절 분석과 원자주사현미경 (Atomic Force Microscope)을 이용 ... 하여확인하였다. 550 ˚C에 증착한 후 산소 분위기로 600˚C 에서 열처리한 박막에서 우수한 강유전 특성을 나타내었다.전기장 변화에 따른 누설전류밀도 측정으로부터 강유전 박막

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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반사 타원법과 투과율 분석법을 사용한 반투명 기층 위매우 약한 광흡수 박막의 두께와 복소굴절률 정밀 결정 (Precise Determination of the Complex Refractive Index and Thickness of a Very Weakly Absorbing Thin Film on a Semi-transparent Substrate Using Reflection Ellipsometry and Transmittance Analysis)

유리기층에 코팅되어 있는 박막의 광학상수를 정확하게 분석하기 위해, 반투명 기층 위에 다층박막이 코팅되어 있는 시료의 유사 투과타원 상수 표현과 투과율 표현을 구체적으로 제시 ... 하였다. 두꺼운 기층에서 일어나는 다중반사로 인한 빛의 세기를 결맞지 않도록 중첩하는 동시에, 반투명 기층의 광흡수 영역에서 기층의 흡수를 정확하게 반영함으로써 다층박막이 코팅된 반 ... 투명 기층 시료의 정확한 모델링 분석이 가능하게 하였다. 흡광도가 매우 낮은 파장대역에서 투과율 측정에 기반한 분석과 타원법에 기반한 모델링 분석 방법이 가지는 박막의 소광계수

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.25 | 수정일 2025.05.14

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졸-겔 방법을 이용한 LiMn2O4 및 LiTxMn2-xO4 (T = Fe, Ni) 박막 제작 및 그 구조적, 광학적 특성 (Sol-gel growth and structural and optical investigation of LiMn2O4 and LiTxMn2-xO4 (T = Fe, Ni) thin films)

-x}$O$_4$박막들을 Si(111) 및 Al$_2$O$_3$(0001) 기판 위에 성장시켰다.박막들의 스핀코팅을 위한 선구 (precursor) 용액에서 Li : Mn 비율이1 ... : 2일 경우 공기 중 600 $^\circ$C에서 6 $\sim$ 8 시간 열처리를통하여 cubic 구조를 가지는 LiMn$_2$O$_4$ 박막을 얻을 수 있었으며Li의 비율 ... 이 그보다 낮은 경우 LiMn$_2$O$_4$및 Mn$_2$O$_3$ 상이공존하는 박막이 얻어졌다. 이와 같은 cubic 구조의LiMn$_2$O$_4$에서는 팔면체 자리를 차지

논문 | 6페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.17 | 수정일 2025.03.28

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Pb1-xLaxTi1-x/4O3 (x=0.1) (PLT(10)) 강유전체 박막에서 동적 (A study on the Frequency Dependence of Dynamic Pyroelectric Properties for Pb1-xLaxTi1-x/4O3 (x=0.1) (PLT(10)) Ferroelectric Thin Film)

분극처리 없이 제작한 lanthanum-modified lead titanate (PLT) 박막의 초전특성에 대한 변조 주파수 의존성을 dynamic method 를 이용 ... 하여 조사하였다. La이 10 mol% 첨가된 Pb1-xLaxTi1-x/4O3 (x=0.1) (PLT(10)) 박막을 Pt/TiOx/SiO2/Si 기판위에 acetate 계 ... precursor 을 이용한 sol-gel 법으로 제작하였다. 제작된 PLT(10) 박막은 비교적 우수한 유전특성을 보였다. 초전계수 (p) 는 주파수 의존성이 없이 6.6×10-9 C/cm2

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.03.13 | 수정일 2025.03.28

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Hot Wall Epitaxy(HWE)법에 의한 MgGa2Se4 단결정 박막 성장과 가전자대 갈라짐에 대한 광전류 연구 (Photocurrent study on the splitting of the valence band and growth of MgGa2Se4 single crystal thin film by hot wall epitaxy)

수평 전기로에서 MgGa2Se4 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 MgGa2Se4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100)기판에 성장 ... 시켰다. MgGa2Se4단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 610oC, 기판의 온도 400oC였고 성장 속도는 0.5 μm/hr였다. 이때 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반폭 ... 치(FWHM)도 212 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. MgGa2Se4/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 s

논문 | 8페이지 | 무료 | 등록일 2025.04.09 | 수정일 2025.05.08

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