"박막두께측정"의 검색결과 입니다.

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hall effect 엘립소미터 4point probe 면저항 신소재프로젝트1 전자기파의 특성 alpha step 스핀코팅 신소재 프로젝트3

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"박막두께측정" 검색결과 661-680 / 1,164건

KNU 기초전기전자실험 스트레인게이지

된 게이지가 직접 받는 변형율을 측정한다.[Quarter Bridge]5. 다양한 스트레인 게이지의 종류① 일반용 스트레인 게이지(금석선, 금속 박막)금속 저항선은 외력에 의해 신축 ... 및 재해의 원인이 된다. 스트레인의 측정범위는 정적인 측정에서 동적인 측정까지 미치는 것으로 본 실험에서는 스트레인 게이지의 원리 및 측정법을 익히는 한편 응력을 구하는 방법 ... 다는 것과 같다.금속 저항체는 외력을 가해서 신축시키면, 저항치도 그것에 따라 어느 범위 내에서 증감한다. 즉, 변형을 측정하려고 하는 물체에 금속을 밀착시켜 놓으면, 그리고 저항

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.11.08

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ZnO박막과 Al 도핑한 ZnO박막의 PL, 홀계수, 엘립소미터 측정 및 분석

)와 결합된 원소의 수(분자크기) 등인데 똑같이 100nm 두께로 증착한 박막이므로 ZnO에 도핑 된 Al이 밴드갭 변화에 가장 큰 영향을 주었다고 볼 수 있다. 시편에서 방출된 파장 ... 1. 소개순수한 ZnO 박막은 n-type 반도체 물질로 Zn과 내부에 다양한 결함들이 존재한다. ZnO 박막의 결함 종류로는 Zn과 O의 공공과 침입형 불순물 자리에 위치 ... 이온의 크기 차이가 크지 않기 때문에 일부 Zn2+ 이온이 Al 이온과 치환 된다. ZnO 박막에서 Zn2+ 이온과 치환 된 3가 이온, 그리고 산소 공공은 잉여 전자의 제공원

리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.01.04

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저온다결정실리콘

- 저온 다결정실리콘형 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 -다결정 규소(Poly-Si) 박막트랜지스터 (Thin Film Transistor : TFT)는 LCD(Liquid ... Si박막을 만드는 방법 중 고상결정화는 입자크기가 커서 좋은 소자 특성을 유지하면서 공정온도를 낮출 수 있어 많은 관심을 보여 왔다 그러나 이 방법 역시 대면적 TFT-LCD ... 를 위한 유리기판을 사용하기에는 여전히 온도가 높다, 따라서 결정화 온도를 낮추고 시간을 줄이는데 많은 노력을 하고 있다.비정질 실리콘 박막의 고상결정화 온도를 낮추기 위한 한 가지

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.08.17

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온도센서(Thermistor)

형0.5~20φ길이 : 직경의 2~10배고저항이며, 낮은 B점수를 얻을 수 있다.신뢰성 및 전력출력은 disk형과 유사하다.박막형l=1~5, t=0.3~0.6막두께 5~10㎛균일 ... 하고 치밀한 박막의 형성에 의해bead형 이상의 안정성과 균일성을얻을 수 있다후막형l=3~10, t=0.5~1막두께 20~50㎛인쇄에 의해 양산이 가능하며,단품으로는 Hybrid IC ... 및 상태를 표현하는 라틴어 aens(-us)에서 유래된 공학 용어이다.센서란 측정 대상물로부터 정보를 검지하여 측정량을 전기적인 신호로 변환해주는 소자, 혹은 더 구체적으로 표현

리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.04.28 | 수정일 2018.04.26

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나노분말

한 공간 어디든지 설치페인트처럼 칠하거나 분무기로분사 가능수 마이크로미터 두께의 박막 태양전지 10나노미터 두께의 초박막 필름으로 대체 가능..PAGE:102)덴드리머정의분자의 사슬 ... .064~128개의 곁가지를 지닌 축구공 모양의Dendrimer 형태.3㎚크기의 기공이 박막 전체 부피의 50%까지 균일하게 분포되는 유전율 1.6의초저유전 박막제조.'유전율 1 ... .6' 초저유전박막 제조 차세대 반도체..PAGE:13광 증폭 나노소자* ‘덴드리머형 유기 광증폭 나노소재’- 식물의 엽록체의 빛을 흡수·전송시키는집광효과를 고도의 화학 기술을 통해

리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.29

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실험1 Hall Epect

의 Hall voltage를 측정하여 전하운반자의 부호, 전하운반자의 밀도를 한다.2. 관련이론Hall effect는 1897년 Hall이 미국의 존스 홉킨스 대학에서 Henry A ... 쪽 벽으로 전기적인 응력이 생겨날 것이고 이 응력은 전압(전위차)으로 나타날 것'이라고 가정하여 전위차를 측정해보게 되었다. 이것이 Hall voltage이고 이로써 Hall ... 으로 움직이나 박막, 도선 등 제한된 크기의 물체내에 있는 charge의 경우에는 charge가 물체의 바깥으로 쉽게 나갈 수가 없으므로, 이들 경우에는 electron뿐이나, 반도체

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.04.25

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비저항이란?

로 Al박막의 비저항값의 변화에 대하여 알아보았다.온도와 증착속도에 따른 Al표면의 비저항 변화Al박막의 전기전도도는 표면 grain의 크기와 박막의 두께에 의존성이 있다. 즉 ... grain이 크면 전기전도도가 좋다(비저항이 낮다). 따라서 Al박막이 두꺼운 웨이퍼가 가장 비저항이 낮은 특성을 보여 준다. 그리고 두께 또한 중요한 변수가 된다. 한 변이 일정할 때 ... 수록 그리고 단면적이 작을수록 전기저항은 커진다.이것을 수식으로 나타내면전기저항 = 비저항 * (길이/단면적)② 비저항의 변화반도체 박막의 비저항값은 공정시 매우 중요하다 한 예

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.07.15

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[LCD실험]OrganicTFT, Oxide TFT 특성 측정

umOrganic TFT W:L=200um:3umProbe station3. 실험방법A. UV-Vis spectrometer를 이용한 Transmittance 측정1) 100nm 두께 ... OrganicTFT, Oxide TFT 특성 측정1. 실험목표: Sigma Plot을 이용하여 organic TFT와 Oxide TFT의 Output curve, Transfer ... curve, linear mobility, saturation mobility, transconductance 등을 구하고 transmittance를 측정하여 optical

리포트 | 10페이지 | 6,000원 | 등록일 2012.07.11

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ZnO박막의특성

들의 크기 가 커지며 결정립의 경계가 불문명 c. 표면 거칠기 6~9nm d. 기판 온도가 증가시 표면거칠기 증가 e. SEM 측정 결과 박막의 두께는 400nm 이다 .Hall 효과 ... AR 분압 : 5m Torr 타겟과 기판사이거리 6cm * 기판온도를 증착변수로 하여 박막증착 d. 특성분석 구조적 특성분석 : XRD 측정 . AFM,SEM 전기적 특성분석 ... 도는 기판온도가 증가시 증가 400C 에서 증착한 박막의 경우에는 Hall 이동도가 감소광학적 특성 200~3300nm 의 파장 범위에서 측정한 AZO 박막의 투과 스펙트럼400

리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.05.16

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CBD실험 예비레포트

R E P O R T< CBD - 예비레포트>1. 박막증착의 방법증착(Deposition) : 진공 중에서 코팅시키고자 하는 물질을 물리적 방법 또는 화확적 방법으로 기화 또는 ... 와 CVD 모두 반도체 공정이나 기타 산업에 많이 이용되는데 대개 PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하므로 장비가 고가이며 증착속도가 느리고 CVD ... 는 넓은 면적에 빠른 속도로 박막이나 나노구조를 증착시킬 때 씁니다. CVD도 PVD 못지 않은 품질을 구현할 때도 있지만 일반적으로 PVD가 장비만 완성되면 고품질의 증착면을 얻

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.01.16

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Cds 제조,분광학적 성질

Spectrophotometer자외선- 가시광선 영역이란?파장에 대한 빛을 흡수하며, 흡광도는 얼마나 되는지 측정하는 기기 장치UV-Vis자외선영역의 파장 : 180nm ~380nm 가시광선 ... 의 양은 물질층의 두께에 비례한다 log IO/I = k1b (k1:비례상수 b:두께) 2) Beer 법칙 흡수된 빛의 양은 물질의 농도에 비례한다 log IO/I = k2C ... (k2:비례상수 C:농도) 3) Lambert-Beer 법칙 흡수된 빛의 양은 물질의 두께와 농도에 비례한다 log IO/I = ℇbC (ℇ:몰흡광계수) A = log IO/I =

리포트 | 54페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.05.30

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재료 분석 장비 소개

을 매우 잘 흡수하므로, 관찰할 시편은 매우 얇은 박막 형태로 만들어져야 한다. 일반적으로 박막의 두께는 입사된 전자빔의 충분한 양이 시편을 투과하여 감지될 수 있을 정도로 얇 ... 누름 위치를 너무 가까이 했을 경우에는 부정확한 결과가 나온다. 시편의 두께는 적어도 세 개의 누름자가 들어설 정도의 여유를 가져야 한다. 다음 번에 측정할 누름 위치의 중심 ... 은 전기적으로 전도성이 있어야만 한다. 비전도성 재료의 관찰을 위해서는 표면에 매우 얇은 금속 박막으로 코팅하여야 한다. 배율은 10~50,000배까지 가능하며 매우 큰 초점심도

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.04.14

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나노급 두께의 Ni50Co50 복합 실리사이드의 적외선흡수 특성 연구

나노급 두께의 니켈코발트 합금형태 박막으로부터 제조된 합금복합실리사이드가 기존 니켈코발트 실리사이드의 적외선 흡수에 대한 에너지 절약형소재의 가능성을 평가하여 보았다. 10 ㎚ ... 를 TEM을 통하여 미세구조분석과 사점전기저항측전기를 이용하여 면저항을 측정하였으며 그리고 XRD를 이용하여 상분석을 실시하였다. UV-VIS-NIR과 FT-IR을 사용하여 근적외선 ... 실리사이드보다 13~15 ㎚두께로 균일하게 생성되었으며 다결정 기판에 형성된 니켈코발트 실리사이드는 700℃까지 23~25 ㎚ 두께로 균일하였으나 1000℃에서는 실리콘과 실리사이드

리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2008.10.29

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기계공학실험(엔코더)

다.□ Encoder의 외형과 구조- Encoder는 회전형 직선형 등이 있으나 모터의 회전감지에 사용되는 Encoder는 회전체의 각변위를 측정하는 회전형 Encoder가 쓰인다. 출력형태 ... Encoder출력형식회전축의 회전각에 따라 구형파로 출력됨절대위치기준위치(원점)로부터 계수됨(Counter필요)측정범위분해능(출력펄스 수)에 의해 결정됨정 전 시전원 복구 후에는 원점 ... 의 회전각에 따라 Parallel Code로 출력됨절대위치상시 판별 가능함측정범위0 ~ 360°정 전 시전원 복구 후에도 절대위치 유지계수가 불필요하므로 에러 발생 없음특 징출력형식

리포트 | 8페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.08.19

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완전 이해 잘되는 [분광학적 분석 방법] 레포트

에 사용이가능하며 시료의 상태는 powder나 박막위에 coating한 것 등고체시료는 거의 모두 분석 가능하다.③ 시료구비조건: 10mm X 8mm가 적당하며 두께는 2mm 이하 ... 를 측정함으로서 시료표면의 정성 및 상대적정량분석을 하는 표면 분석기기이다. X-ray source로는 Mg Ka(1253.6eV),Al Ka(1486.5eV)를 사용하고 double ... 을 유발시켜 incident beam의 흡수율을 측정하는 기기이다.② 용도 및 성능 - 본 기기는 single-beam 형태로 microprocessor로 조절되며,시료에 따라 분해

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.03.26

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Hall effect

Hall effect 측정에 관한 분석결과Hall effect 측정□ 목적· 본 실험에서는 홀 효과의 개념에 대해서 이해하고 홀 전압을 측정을 통해 자기장과 홀 전압과의 관계 ... 더라도 도선 바깥으로 끄집어낼 수 없는 정도라면 도선 내에 한 쪽 벽으로 전기적인 응력이 생겨날 것이고 이 응력은 전압(전위차)으로 나타날 것'이라고 가정하여 전위차를 측정해보 ... 을 받은 전하는 힘의 방향으로 움직이나 박막, 도선 등 제한된 크기의 물체내에 있는 전하의 경우에는 전하가 물체의 바깥으로 쉽게 나갈 수가 없으므로, 이들 전하는 물체의 양쪽 벽

리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2011.09.26

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XRD를 이용한 미지의 시료 정량/정성 분석

분석을 실습한다. 분말 형태의 시료(Al2O3 ZnO2 SiO2 TiO2 B2O3)를 임의의 조성으로 혼합한뒤, X-Ray Diffraction법으로 측정한다. 이때 얻어진 회절 ... , 진동수는~인 광자이다. X선 가운데 파장이 긴 장파장의 X선은 공기중에서 감쇠운동을 많이 하기 때문에 진공중에서 측정해야하며, 단파장의 X선은 물체에 대한 투과력이 크다.X선에 대한 ... 적인 회절강도(분말법)2.4 X선 회절장치X선 회절장치는 크게 단결정을 측정하는 장치와 분말형태를 측정하는 장비로 나뉜다. 이중 가장 많이 사용되는 각도분산형 X선 회절기기는 4개

리포트 | 29페이지 | 100,000원 | 등록일 2010.06.24 | 수정일 2020.01.15

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해수의 ph측정

물질인 2종의 용액을 놓으면 양쪽 용액의 PH의 차에 비례한 기전력이 유리박막의 양면에서 발생하는 것을 이용한 것이 유리전극에 의한 측정이 원리이다. 실제의 형태로는 그림1.1 ... 1. 실험제목 (Title)- 용액의 pH 측정2. 초록 (Abstract)(가) 실험목적- pH측정 방법을 익히고 정의와 원리를 파악한다.(나) 실험내용(1) 시약과 기구 ... 물, 음용수 등 pH 측정 대상액(2) 실험 과정 (Experimental Procedure)① PH meter 조작을 익힌다.② 500㎖용 비이커에 시료광액을 넣는다.③ PH

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.19

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Thermal Oxidation -Furnace

℃까지 올라갔을 때 Process 시작- Dry (O2) : Dry Oxidation- N2+H20 : Wet Oxidation- 박막 두께 측정기..PAGE ... - MethodFurnaceWet OxidationDry Oxidation수증기를 이용 산화막 증착높은 성장률온도 : ~1100℃ 에서 진행산화막 두께 : ~1.2μm두꺼운 두께의 산화막 제조 시O ... 된 Silicon 두께SiO2Oxidation principal1. Si consumption during the oxidation reaction2. Oxidation takes

리포트 | 28페이지 | 4,000원 | 등록일 2011.02.13

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[디스플레이공학] TFT-LCD a-Si:H, Poly-Si의 전기적특성 및 광학적 특성 분석

면 swing 값이 변화하게 된다. 기본적으로 L값이 크면 증가한다.Threshold Voltage의 정확하게 측정하기 힘들다.기판의 도핑농도, 게이트 일함수, 산화막 두께, 유전 ... onductance, transconductance, mobility와 threshold voltage를 분석할 수 있다. 광학적인 측정으로는 UV-spectroscopy로 bandgap을 측정 ... . Probe SystemB. Probe으로 접촉모습우리가 실험에서 사용한 a-Si:H와 poly-Si은 test용으로 만들어진 것이라 일반적인 TFT의 구조 모습이라고 물성만 측정할 수

리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2012.12.01 | 수정일 2016.07.01

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