"터널자기저항(TMR)"의 검색결과 입니다.

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FeRAM spintronics 비휘발성 메모리 스핀트로닉스 mram 원리 tmr gmr DRAM의 작동원리

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"터널자기저항(TMR)" 검색결과 41-42 / 42건

[나노] 나노 스핀트로닉스

은 수십년 전부터 알려져 왔으나 상온에서 큰 신호를 나타내는 터널자기저항(TMR:tunneling magnetoresistance) 재료계가 95년 MIT 연구진에 의해 발견 ... 된 거대자기저항(GMR) 현상은 스핀정보(up, down )를 가지고 있는 전자가 강자성체의 자화 방향에 따른 전달량의 차이에 의해 나타난다. 이를 이용한 스핀밸브(spin-valve ... 되었다. TMR는 전류가 면수직으로 흐르기 때문에 자성층의 두께에 의한 전류손실의 문제가 없고 상온에서의 자기저항비가 20 % 이상이고, 포화자기장도 작아 비휘발성 기억소자(MRAM

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.12.19

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[반도체] Spintronics FET

되고 있다. 이 기술은 성장기 단계에 있다.2) FM/부도체(Al2O3)/FM 그룹▶ 부도체 배리어 층을 통한 스핀 터널링에 의한 터널자기저항(TMR)현상을 이 용한 비휘발성 기억소자 ... ) Spintronics의 기술 동향스핀전자재료 기술에서 가장 먼저 발견된 거대자기저항(Giant Magnetro- Resistance, GMR) 현상은 자성재료분야 연구 및 응용에 있어 새로운 ... .▶ 2001년 Motorola사는 Intermag에서 1 Mbit급 TMR MRAM을 발표. TMR 경우 소자저항이 알루미나 배리어 두께변화에 따라 지수 함수적으로 민감

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.01.16

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