"인하대 전자회로2"의 검색결과 입니다.

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인하대 전자회로2 atmega128 lcd 화학진동반응 탄소 피막 저항

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"인하대 전자회로2" 검색결과 41-60 / 102건

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기초실험1 resistor 예비보고서(온라인)

으로 대체해도 회로 B에 흐르는 전류나 전압은 변하지 않는다.참고 문헌권민정 외 16인, 대학물리학(북스힐, 2020), 제 17, 18장인하대학교 물리학과, 기초물리학실험2(북스 ... 힐, 2020)JAMES .A SVOBODA, RICHARD C. DORF, 김용권 외 4 역, 회로이론(퍼스트북, 2020), 제 2, 3, 5장“옴의 법칙”, 두산백과 ... 예 비 보 고 서학 과학 년학 번조성 명전자공학과실험 제목Resistors실험 이론저항: 물체에 전류가 흐를 때 전류의 흐름을 방해하는 성분 또는 힘을 말하며, 저항의 단위는 Ω

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.03.12 | 수정일 2023.11.29

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함수발생기와 오실로스코프-예비보고서

05일인하대학교 공과대학항공우주공학과00000000 안 * *함수 발생기와 오실로스코프1. 실습 목표함수 발생기로 여러 종류의 파형을 발생시켜 보고, 오실로스코프를 이용하여 파형 ... 준다.오실로스코프는 전자 회로에 대해 다음의 정보를 제공할 수 있다.1. 신호의 주파수2. 신호의 기간3. 신호의 파형 사이의 위상 관계4. 신호의 파형 모양5. 신호의 진폭 ... 가 빠른 신호를 관측한다.오실로스코프오실로스코프는 전자 장치 및 회로 작업에서 사용할 수 있는 가장 기능이 많은 테스트 장비이다. 오실로스코프는 회로에서 일어나는 것을 시각적으로 보여

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.04

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[계측공학 및 실습]변위센서를 이용한 각도측정_예비보고서

REPORT제 목 : 변위센서를 이용한 각도측정예비보고서과 목 명 : 계측공학 및 실습담당교수 : 조 0 0 교수님제 출 일 : 2014년 04월 30일인하대학교 공과대학항공우주 ... 으로 움직이면 유도기전력이 생긴다. 또는 하나의 폐쇠회로(2차회로) 근방에서 전류가 흐르는 회로(1차회로)의 전류를 바꾸거나 자성체를 움직이면 2차회로에 전류가 흐르거나 전류의 크기 ... 는 방법이 있다. 여기서 변위를 전기량으로 변환하는데, 정전용량 변화나 인덕턴스 변화, 전기저항 변화, 발생 기전력변화를 이용한다.? 변위센서의 종류그림1. 측정 변위에 따른 분류그림2

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.02.11

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[계측공학 및 실습]Thermistor를 이용한 온도측정_예비보고서

REPORT제 목 : Thermistor를 이용한 온도측정예비보고서과 목 명 : 계측공학 및 실습담당교수 : 조 0 0 교수님제 출 일 : 2014년 04월 02일인하대학교 공과 ... 을 거쳐 만들어진 부품으로, 저항보다는 반도체 소자에 가깝다. 즉, 회로 안에서의 전기적인 역할은 저항이지만, 부가적으로 온도센서의 역할을 한다.? NTC (부온도특성 ... 측정 시에는 PT100 측온저항체와 같이 또 다른 종류의 온도 센서들이 사용된다.그림1. Thermistor 종류그림2. 저항-온도 그래프2. RC 필터저항 R과 커패시터 C

리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.11

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멀티미터 사용법과 옴의 법칙_예비보고서

REPORT제 목 : 멀티미터 사용법과 옴의 법칙과 목 명 : 전기회로 및 실습담당교수 : 김 * * 교수님제 출 일 : 2013년 03월 31일인하대학교 공과대학항공우주공학과 ... 을 확인한 후 측정한다.5) 전원 (피측정회로)에 병렬로 연결하여 측정한다.6) 10V Range만은 0. 2. 4. 6. 8. 10의 Scale치를 구하며 기타의 Range는 각각 ... 비례한다.⑥ 기본적인 전자전기 회로도 및 기호그림9. 회로도그림10. 기호전기 회로에 쓰이는 장치를 간단한 기호로 그려 표시한 것.회로에 쓰이는 장치들의 간단한 기호.4. 실습도구직류전원 공급 장치, 멀티미터, 브레드 보드, 저항, 접속선 등

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.09.04

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[계측공학 및 실습]데이터 수집 및 처리(DAQ 시스템)_예비보고서

REPORT제 목 : 데이터 수집 및 처리예비보고서과 목 명 : 계측공학 및 실습담당교수 : 조 O O 교수님제 출 일 : 2014년 03월 19일인하대학교 공과대학항공우주공학과 ... 오실로스코프는 전자 장치 및 회로 작업에서 사용할 수 있는 가장 기능이 많은 테스트 장비이다. 오실로스코프는 회로에서 일어나는 것을 시각적으로 보여 준다.오실로스코프는 전자 회로에 대해 ... 의 DAQ하드웨어들이 있다.[ DAQ 시스템 구성 ]그림1. DAQ 시스템 구성도2. Calibration특정조건에서 측정기기, 표준물질, 척도 또는 측정체계 등에 의하여 결정된 값

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2023.02.10

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7주차 다이오드 결과보고서 (ㅇㅎ대, A+)

/micro-commercial-co/1N4007/1N4007MSCT-ND/260888.[2]김형진, “7주차 Diode(직렬/병렬 연결, Logic), 인하대학교,” 인하대학교, 2020. ... 결 과 보 고 서학 과학 년학 번조성 명전자공학과실험 제목직/병렬 Diode와 Logic Diode실험 목적직/병렬 다이오드의 특성을 이해하고 Logic diode회로를 설계 ... )Figure 1의 회로를 구현한다. eq \o\ac(○,2)(R=1kΩ) VD(=VS–VR)가0.1 ~ 1V 되도록 를 조절하고, 이 때 저항에 흐르는 전류를 측정한다. 그리고 이

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.07 | 수정일 2021.10.21

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트랜지스터의 동작 특성_예비보고서

REPORT제목 : 트랜지스터 예비보고서과 목 명 : 전기회로 및 실습담당교수 : 김 * * 교수님제 출 일 : 2013년 05월 28일인하대학교 공과대학항공우주공학과 ... 00000000안 * *트랜지스터의 동작 특성1. 실습목표트랜지스터의 구조와 동작 원리를 파악하고, 실습을 통하여 트랜지스터 입력 및 출력 특성을 이해한다.2. 실습이론① 트랜지스터의 구조 ... . NPN 트랜지스터P형 물질을 두 개의 N형 물질 사이에 두어 NPN 트랜지스터를 형성방법2. PNP 트랜지스터N형 물질을 두 개의 P형 물질 사이에 삽입하여 PNP 트랜지스터

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.04

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OPAMP를 이용한 반전, 비반전 증폭회로_예비보고서

REPORT제목 : 증폭 회로 예비보고서과 목 명 : 전기회로 및 실습담당교수 : 김 * * 교수님제 출 일 : 2013년 06월 04일인하대학교 공과대학항공우주공학과 ... 00000000안 * *OpAmp를 이용한 반전, 비반전 증폭회로1. 실습목표연산증폭기의 입력 모드에 따라 반전, 비반전 증폭회로를 구성하여 그 동작원리와 특성을 이해한다.2. 실습이론 ... gain)으로 곱한 크기로 출력한다.특성전자소자의 동작 특성을 이해하기 위한 초기가정은 먼저 이상적이라고 가정하는 것 이다. 물론 이상적인 것은 실제적인 것과는 항상 차이가 나기 마련

리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.09.04

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동국대 열전대 레포트

는 함수이다. 따라서 실제 측정한 온도변화량에 따른 기전력은 완벽한 일차함수로 그려지지 않을 것으로 판단한다.7. 참고문헌인하대학교 실험 매뉴얼 (김민우)0http ... 하는 방법을 사용하였으나 불순성분이 존재하면 부정확하고 불편하였다. 근래에는 기준접점에 빙수조를 설치한 경우와 동일한 전위차가 발생하도록 만들어 주는 전자회로가 개발되어 열전온도 ... 기계공학 실험 1E-1. 열전대의 원리와 제작E-2. 접촉 열전도율 측정 실험실험 날짜 :실험 장소 :실험 조 :학과 :학번 :이름 :E-1. 열전대의 원리와 제작1. 실험 목적

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.10

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Common source amplifer 결과 보고서(13주차)

이다.참고문헌김형진, common-source amplifier, 인하대학교 강의자료Adel s. sedra, Kenneth C. smith, 정원섭 외 5 역, 마이크로 전자회로 ) ... 은 1k을 2개 직렬로 연결해 실험을 진행했다.10 k10 k2 k아래는 실험을 진행한 회로도와 회로 이미지를 나타낸다.회로도회로실험결과를 표로 정리한 결과는 아래와 같 ... .7V이므로 2*ID/(VGS-Vt)=2*0.493*0.001/(2.3-1.7)=1.64mA/V가 된다.Lab2. CS STAGE 증폭 특성LAB1의 회로를 그대로 활용하여 VGG

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.11.19 | 수정일 2023.11.29

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영*대학교 & 인하대학교 생활과 과학 기말 족보 (2018, 2020 비대면)

기말고사 온라인 시험(인하대,영남대 공통)생활과 과학 기말고사1939년 마이트너와 프리쉬는 우라늄 235가 중성자를 흡수하여 핵분열하여 ( )와 크립톤으로 분열함을 예언 ... 줄의 고유진동의 파장길이는?질량 m, 스프링 상수 k 인 단순조화 진동의 주기는 T이다. 물체의 질량을 m/2, 스프링 상수를 2k로 하였을 때 단순 조화진동의 주기는?온도 ... 은?레이저의 발전 원리에서 준안정상태의 분자수가 바닥상태의 분자수 보다 많아진 상태를 무엇이라 하나?전자를 처음 발견한 과학자는?드브로이의 물질파를 검증하는 실험에서 금속박막에 전자빔

시험자료 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2020.12.31

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인하대 공업화학실험Patterning and treatment of SiO2 thin film A+ 예비보고서

Patterning and treatment of SiO2 thin film실험 일자 : 2020-05-27제출 일자 : 2020-○○-○○실험 목적박막에 패턴이 새겨지는 과정을 이해하고, 애칭을 하기 전후의 박막 표면의 두께를 측정하고 조사한다.실험 이론1) 플라즈마 (Plasma) 란?정의: 양전기를 띤 입자와 음전기를 딘 입자의 밀도가 같아 전기적으로 중성을 유지하여 분포해 있는 입자집단을 일컫는다. 또한 물질의 기본적이 세가지 상태인 기체, 액체, 고체와 초임계상태와 더불어 다섯번째 상태로 취급한다.특징1. 자유전자로 인해 높은 전기전도도와 전자기장에 대해 큰 반응성을 가진다.2. 플라즈마의 (준)중성: 플라즈마는 전하를 질량으로 나눈 값, 비전하의 값이 크므로 전기장의 영향을 쉽게 받는다. 만약에 플라즈마 속에서 전하의 불균일이 생겨 전기장이 생기면 전자는 전기장의 전기력을 받아 움직이게 된다. 또한 전자의 질량은 작기 때문에 전자의 가속도는 매우 크게 움직인다. 전자는 전하의 특성상 양전하 영역으로 움직이는 경향이 있다. 즉 전기적으로 중성이 되려는 경향이 있다는 것을 알 수 있다.3. 디바이 차폐: 플라즈마는 외부에서 걸어준 차폐시키는 특징이 있다. 이를 다바이 차폐라고 한다.플라즈마 내부에 두 개의 대전된 구가 있다고 가정을 하자. 대전된 두개의 구는 플라즈마 안에서전기장을 형성한다. 하지만 대전된 구는 반대전하를 주변으로 끌여들이게 되고, 끌어들이는 전하량이 대전된 구의 전하량과 같게 되면 구에 의해 생기는 전기장이 사라진다. 결국 프라즈마는 다시 전기적인 중성이 된다. 이런 현상을 차폐된다고 한다.4. 플라즈마의 진동: 플라즈마는 전기적으로 준 중성으로 가끔씩 전기적인 중성에서 벗어나는 경우가 있다. 즉,어느 곳은 전자의 밀도가 높고, 다른 곳은 양전하의 밀도가 높을 수 있다는 의미이다. 이런현상으로 만들어진 전기장은 질량이 가벼운 전자들이 반응하게 한다. 반응하는 전자가 진동으로 나타내는데 이를 플라즈마의 진동이라 한다. 플라즈마의 진동수는 플라즈마 상태에 따라 고유한 값을 가진다는 특징이 있다.2) 반도체 제조 공정과 정의 (각각의 단일 공정을 개략적으로)1. 웨이퍼 공정(wafer preparation)웨이퍼: 반도체의 기본 재료로서 실리콘이나 갈륨비소를 이용하여 만든 얇은 조각의 소재이다.비용이나 전기적인 요소를 고려해 주로 실리콘(Si)이 사용된다.1-1. 실리콘은 보통 규석이나 규산염의 형태로 존재하는데 반도체 재료로 사용하기 위해 다결정 실리콘으로 바꾸어 주고, 물리적인 방법으로 단결정 실리콘으로 바꾸어준다. 이 방법을 CZ(Czochralski method)방법이라 한다.1-2. CZ방법으로 만들어진 실리콘 기둥인 잉곳을 다이아몬드 톱을 이용하여 균일한 두께로 얇게 썰어준다.1-3 절단된 웨이퍼를 매끄럽게 만들기 위해 만드는 연마 작업(polishing)을 한다.2. 박막공정(deposition)위 과정에서 만들어진 웨이퍼는 부도체 상태이다. 도체와 부도체의 성질을 모두 가지는 반도체의 성질을 가지도록 만드는 작업을 하는 것이다.2-1 Oxidation layering: 열산화, PECVD같은 공정으로 웨이퍼의 표면을 보호해주는 산화막을 형성하는공정2-2 Ion Implantation(이온주입공정): 반도체가 전기적 특성을 가지기 위해 이온을 목표물의 표면을 뚫고들어갈 만큼 큰 에너지를 갖도록 전기장으로 가속하여 목표물 속으로 넣어주는 공정.2-3 Chemical vapor Deposition: 웨이퍼 위에 원하는 박막을 입히는 과정이다. 방법으로는 PVD와 CVD가 있는데CVD가 PVD보다 대량처리가 가능하다는 장점이 있다. 이 과정에서 만들어지는박막은 회로 들간 전기적인 신호를 연결해주는 금속막과 내부 연결층을 전기적으로 분리하거나 차단시켜주는 절연막 층으로 구분된다.3. 포토공정 (Lithography란?)웨이퍼 위에 회로패턴이 담긴 마스크 상을 빛을 이용하여 비추어 회로를 그리는 작업.3-1. Wafer 세척: 유기, 무기질, 불순물 등을 제거하는 작업3-2 PR코팅: 웨이퍼 표면에 빛에 민감한 물질인 감광액(PR)을 골고루 바르는 작업. 고품질의 미세한 회로 패턴을얻기 위해서는 감광액의 막이 얇고 균일해야 하며, 빛에 대한 감도가 높아야한다.* PR의 종류 (왼쪽의 그림)양성PR은 노광되지 않은 영역을 남기고, 음성PR은 노광된 영역을 남긴다.3-3 Soft baking: 도포된 감광액을 굳히는 작업.3-4 Align &Expose: 그림과 같이 노광장비를 이용하여 회로패턴이담긴 마스크에 빛을 통과시켜 웨이퍼에 회로를 찍어내는 과정. (노광작업, 빛을 선택적으로조사하는 과정)3-5 Develop(현상공정): 웨이퍼에 현상액을 부려 노광된 영역과 노광되지 않은 영역을 선택적으로 제거해 회로패턴을 형성하는 공정.3-6 Hard Baking: 현상된 감광액을 굳히는 과정.4. Etching(식각공정)왼쪽 그림처럼 웨이퍼에 액체 도는 부식액을 이용하여 불필요한 부분을 선택적으로 제거하여 반도체 회로패턴을 만드는 과정.위의 공정에서 만들어진 감광액 부분을 남겨두고 나머지 부분을 부식액을 이용하여 회로를 형성한다.5. 금속배선공정.웨이퍼 위에 위의 과정을 반복하면 수많은 반도체 회로가 만들어진다. 이 회로가 가동을 하기 위해서는 외부에서 전기적인 신호를 가해야 한다. 전기신호가 잘 전달되기 위해 왼쪽 그림처럼 전기길(금속선)을 연결하는 작업.6. Die cut and packing공정위의 공정을 통해 만들어진 웨이퍼의 반도체 칩을 하나하나 자른다. 이 칩을 die라고 한다.이 칩은 외부와 전기신호를 주고받을 수 없으며, 외부충격에 치명적이다. 이를 보완하기 위해서 칩이 외부와 신호를 주고받을 수 있도록 길을 만들어주고 외부로부터 보호받는 형태로 만드는 과정을 패키징이라 한다.4) 식각(etching)의 종류와 정의1. 식각의 종류와 정의왼쪽의 그림처럼 감광액으로 보호되지 않는 부분을 제거하는 기술을 식각공정이라 한다.식각공정의 목적은 가공으로 생긴 변형층을 제거하거나 불필요한 막을 제거하고, 결정 결함의 평가가 된다.식각의 종류는 건식식각과 습식식각이 있다.- 건식식각웨이퍼 표면에서의 물리적작용이나 반응물질의 화학작용이 일어나는 식각공정이다.화학적작용으로는 플라즈마에서 나온 반응물이 식각이 되는 물질의 표면에 공급되고, 표면에서 화학반응이 일어나 일어나는 식각공정을 의미한다. 물리적작용으로는 이온이 식각이 되는 물질으로 전기장에 의해 가속이 되고 충돌에 의해 표면마찰 현상이 일어나는 식각공정이다. 플라즈마의 이온은 기판에 수직으로 이동하여 충돌을 하기 때문에 수직방향으로 식각이 잘 일어난다. 하지만 이온의 충돌로 만들어지는 식각속도는 물질별로 큰 차이가 없어 선택적으로 식각하기 어려운 단점이 있다.-습식식각웨이퍼에 식각 용액을 이용하여 화학적인 방법으로 식각을 한다. 식각 용액이 물질에 따라 식각하는 속도가 다르기 때문에 선택적으로 식각하기 용이하고 높은 식각률의 특징이 있다. 하지만 습식식각은 수직방향 뿐만이 아니라 수평방향으로도 식각이 되므로 세밀한 식각이 요구하는 경우, 제한이 있다.5) P-N 접합P-N접합은 P형반도체와 N형 반도체를 접합시킨 것을 의미한다. 두개의 반도체의 접합면을 공핍영역 이라 한다..- N형 반도체에 있는 전자가 P형반도체로 자연스럽게 넘어가 전류가 흐른다.- 공핍영역의 폭이 줄어든다. 즉, 저항값이 낮아지게 된다.- P형반도체의 정공은 -극으로 N형반도체의 전자는 +방향으로 이동하여 공핍영역의 폭이 넓어진다.- 전류는 흐르지 않는다.6) 박막의 식각 및 증착 공정을 활용한 OLED에 대한 원리와 구조1. OLED란?유기발광 다이오드로 전류에 반응하여 빛을 스스로 내는 유기 화합물의 필름으로 이루어진 박막 다이오드이다.2. 구조 및 원리왼쪽의 그림처럼 전압을 가했을 때, 정공과 전자가 발광층에서 결합을 한다. 이 결합이 원활 ... 에서 필요한 이유반도체의 회로 설계 같은 분야에서는 전기/전자 분야에서 다뤄진다. 하지만 우리가 알아본 공정과정(웨이퍼, 박막, 리소그래피, 식각공정 등)에서 보 ... , 전기/전자 분야에서 만든 회로를 복사하여 붙여 넣는 공정에서는 화학공학전공자가 필요하다는 것을 알 수 있다.참고문헌 (상세히 작성) Hyperlink "https://www

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.27

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인하대 공업화학실험 DSSC A+ 예비보고서

DSSCDye Sensitized Solar Cell실험 조:작성자:학번:실험 일자 : 2020-05-06제출 일자 : 2020-05-02담당 조교 이름 :실험 목적직접 염료 감응형 태양전지를 제작해보고, 성능 평가를 통해 태양전지를 이해한다.실험 이론태양전지의 종류와 특징태양전지는 태양에너지를 전기에너지로 변환시키는 장치로 친환경적인 방식을 가지고 있다.또한 태양전지의 원료는 태양의 빛으로 수명이 굉장히 짧다.태양전지를 분류하는 방법으로는 재료로 분류하거나 구조로 분류하는 방법이 있다.① 재료로 분류하는 경우실리콘 계열과 화합물 계열로 나뉘어진다. 실리콘계열은 싸고, 제어가 쉬우며 다른 물질보다 독성이 적은 특성이 있으며 효율이 좋다.② 소자구조로 분류하는 경우염료층이 빛을 흡수하여 전기에너지로 바꾸는 염료감응, PN소자가 만나는 층에서 발전이 이루어지는 태양전지의 특징을 이용한 다중정합, 양자점, 페로브스카이트라는 결정구조를 가진 물질을 이용한 태양전전지 등이 있다.③ 결정구조로 분류하는 경우결정질과 비정질로 나뉘어진다. 결정질에는 다결정과 단결정 방식이 있다. 단결정은 검정색이 나타나며 효율이 높고 비싼 특징을 가지고 있고 제조공정이 까다롭다. 다결정은 파란색을 나타내며 효율이 낮고 싼 특징이 있다. 비정질의 특징은 도포가 가능하며 에너지가 적게 들며 가격이 싸다. 사막 같은 온도가 높은 지방에서 효율적으로 사용할 수 있다.염료 감응형 태양전지(Dye Sensitized Solar Cell, DSSC)의 정의와 기본 원리, 구조1. DSSC의 정의DSSC, 염료 감응형 태양전지는 광합성의 원리를 이용한 전지이다. DSSC는 표면에 흡착된 염료분자가 태양의 빛을 받아 전자를 방출하여 전기를 생성하는 전지를 의미한다.DSSC는 안정성이 높아 오랫동안 사용하여도 초기효율이 유지된다는 장점이 있고, 제조공정이 단순하여 전지의 가격이 실리콘전지의 가격보다 저렴하다. 하지만 전기변환의 효율은 낮으며, 전해질의 안정성이 높지 않다는 단점이 있다2. DSSC의 기본원리와 구조.왼쪽 그림은 염료 감응형 태양전지의 구조를 오른쪽 그림은 염료 감응형 태양전지의 에너지라벨 모식도를 나타내는데 이를 통해 작동원리를 알 수 있다.전지내부는 왼쪽그림을 보면 알 수 있듯이 투명기판, 투명전극, 나노입자로 구성된 다공질 , 입자 표면에 있는 염료분자(Ru-complex), 산화환원용 전해질 용액, 그리고 상대전극으로 구성되어 있다.태양광이 전지에 비추게 되면 염료에 의해 흡수가 되어 전자를 생성한다. (오른쪽 그림참조, 에너지를 받아 전자방출) 생성된 전자는 로 이송이 되어 투명전극으로 이동이 되어 외부회로를 통해 전기에너지를 전달한다. 전자가 방출되어 산화된 염료는 다시 전해질로부터 전자를 공급받아 원래 상태로 환원이 된다. 전자를 준 전해질은 다시 아래 그림처럼 전자를 받아 산화/환원반응이 반복적으로 일어난다.태양전지 기본 용어 조사(VOC, ISC, FF, 효율 계산법, 1 Sun, AM)VOC: open-circuit voltage, 회로가 개방된 상태에서 빛을 받았을 때 태양전지에서의 전압을 의미한다.즉, 전류가 0일 때, 전압 값.ISC: short-circuit current, 회로가 단락 된 상태(외부저항이 없는 상태)에서 빛을 받았을 때, 전류 값을 의미한다. 즉, 전압이 0일 때, 전류 값.FF(Fill Factor): 이론적으로 얻을 수 있는 최대 전력.최대전력을 주는 전압과 전류를 이라 할 때, 으로 나타낸다.효율계산법: ()1 Sun:AM(Air Mass coefficient): 아래의 그림에서 을 의미한다. 는 천정각을 의미한다.Fermi Level, LUMO, HOMO의 정의Fermi Level: 고체상태에서는 한 전자를 얻기 위해 필요한 에너지로, 가상의 에너지 준위를 의미한다.LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital): 전자가 반결합영역에서 가장에너지가 낮은 영역에 있는 분자궤도함수HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital): 전자가 결합에 참여 할 수 있는 영역에서 가장 에너지가 높은 영역에 있는 분자궤도함수태양전지의 최근동향과 사용분야세계 태양광시장은 2018년에 105GW, 2019년에 120GW, 2020년에는 140GW이상으로 수요가 예상이 된다. 또한 2018년에 세계발전시장의 신규 설치량은 320GW으로 태양광이 차지하는 비율은 30%대가 넘어간다. 앞으로 발전시장에서 태양광의 차지하는 비율이 더 증가될 것이라 예측이 된다. 하지만 태양전지는 아직 기존의 산업에 비해 에너지 변환효율, 비용적인 측면에서 아직 부족한면이 보인다.이를 극복하기 위해 최근 페로브스카이트 태양전지에 주목이 되고 있다. 페로브 스카이트 태양전지는 기존의 실리콘 태양전지보다 저비용 고효율의 잠재력이 보인다. 기존의 실리콘 태양전지는 복잡한 공정과 고가의 장비로 제조되는 반면에 페로브스카이트는 화학적으로 쉽게 합성된느 저렴한 소재를 이용하여 만들 수 있어 비용적인 측면에서 개선을 기대할 수 있다. 또한 페로브스카이트 태양전지는 가볍고 유연하고, 다양한 색상이 구현이 가능하여 스마트워치, 글라스 같은 휴대용 전자기기와 건물 일체형 태양전지로 활용이 가능하다.참고문헌- 염료감응 태양전지의 연구 동향, 조효정 외 3인, DGIST 태양에너지융합연구센터- 참조표준 일사량 데이터에 대한 불확도 평가, 김상엽 외 3인, 한국에너지기술 연구원 재생에너지연구본주- 인하대 실험메뉴얼- 페로브스카이트 구조를 이용한 새로운 패러다임의 태양전지, 서형기, 전북대학교 화학공학부

리포트 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.11.27

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[학과 소개] 미래자동차(모빌리티)학과

실습, 디지털 논리설계, 전기화학, 전기회로, 전동기 응용, 전력 전자공학, 전자기학, 전자회로, 전자공학, 차량 전동장치, 차체구조, 컴퓨터구조, 미래 자동차공학 종합설계, 미래 ... , 대구가톨릭대, 서울과학기술대, 순천향대, 신한대, 영남대, 유원대, 인하대, 전남대, 한라대, 한양대, 호남대, 호원대 등5) 졸업 후 진출 분야건설기계공학 기술자, 자동차공학 기술 ... , 컴퓨터, 전자 분야를 연구하는 융복합 학문이다. ICT 융합 역량을 겸비하여 스마트 운행 산업을 선도하는 실무중심의 창조적인 인재를 양성한다. 다양한 공학 영역을 이해하고 융합

리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.06.29

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[대입][수시면접][면접후기][전자컴퓨터공학부면접] 전남대학교 전자컴퓨터공학부 면접 시 질문과 답변 내용을 정리해보았습니다. 전자컴퓨터공학부 관련 학과로 면접을 보실 때 꼭 한번 읽고 가시면 큰 도움이 될 것입니다.

학이 어디 어디예요? 답변 : 우선 광운대학교에 합격한 상태이고, 전남대학교를 다른 전형으로 하나 더 썼고 숭실대학교와 인하대학교도 썼습니다. 질문 : 음. 그러면 전남대는 올 생각 ... 반도체가 뭔가요? 답변 : 양자 터널링 현상을 이용하여 2진수가 아닌 3진수로 정보를 처리하는 반도체입니다. 여기서 양자 터널링 현상이란 전자가 자신의 에너지 준위보다 높 ... 실전경험 대입 면접 후기 대학 전남대학교 학과(부) 전자·컴퓨터공학부 수시 정시 수시 전형유형 학생부 교과 면접 방법 면접 시간 10분 면접위원 수 3명 면접 절차 문제 풀이

자기소개서 | 3페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.09.22 | 수정일 2024.10.23

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인하대학교 / 기계공학실험A_DC모터제어_결과보고서

기계공학실험B 인하대학교 기계공학과제출자 :Revision. 12022년도 2학기기계공학실험 A< A-7 모터 제어 실험 >Report(오후 6조)A-1A-2A-3A-4A-5A ... 수이다.2차 시스템의 경우, 시스템의 Step Response를 통해 시스템의 특성에 대해 파악하는 방법에 대해 수업하였으며 그 이론은 다음과 같다.ζ< 1 Under damped ... - decaying oscillationζ= 1 Cirtically Damped - just no overshootζ> 1 Overdamped - System sluggish2

리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.04.13

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인하대 전자회로1 power supply bridge 회로 hspice

2차 Hspice 과제CL1. 코딩 소스*POWER SUPPLY SYSTEM(BRIDGE)VI 1 0 SIN(0 220 60)R1 1 2 0.1L1 2 0 10ML2 3 4 7 ... UK1 L1 L2 0.99D1 3 5 DND2 0 4 DND3 4 5 DND4 0 3 DNRG 4 0 1GRL 5 0 1KCL 5 0 214U.MODEL DN D IS=1E-15 ... RS=10 N=1 VJ=0.6 BV=1000 CJO=2P TT=10N.TRAN 0.1M 100M.PROBE V(3,4).END2. 해석220V, 60Hz를 입력으로 하는 power

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.06.22

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전자회로실험2 보고서

Lab2. ReportUSART▪ Code (코드 기술)실험1) 터미널에서 숫자를 입력 받아 LED를 통해 2진수로 표현하기#define F_CPU 16000000UL ... 입력한 정수값을 그대로 가져오게 될 것이다. Ascii 코드 해석 관점에서 문제를 해결했는데 이보다는 변수형 선언 관점에서 문제를 해결하는 방법이 더 효율적이었던 것 같다.2번 문제

리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.03.12 | 수정일 2020.03.14

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기초실험2 결과보고서 능동필터회로2

기초실험2 결과보고서학과학년학번조성명전자공학과2학년121312821김영호실험 제목능동필터회로21. 트윈 T형 노치 필터입력 신호 중에서 어떠한 단일 주파수 성분만을 제거하는 필터 ... , 페이즈 증가율)이 감소하여 결국엔 다시 phase가 일치하게 된다.2. 비반전형 상태 변수 필터이 회로의 아웃풋은 세 지점인데, 차례로 하이패스필터, 밴드패스필터, 로우패스필터 ... 를 노치필터라고 한다.각각 소자 값의 식은 다음과 같다.R1=(1-k)R' R2=kR' R1 : R2 = 1-k : k k= 1-(1/4Q)f0= 1/(2πRC) BW=f0/Q실험

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.13

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