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"도핑기술" 검색결과 561-580 / 1,142건

  • Electronic Textile (전자섬유)
    의 두자로 쓰이기 위해서는 커다란 문제가 있다. 현재 가장 널리 쓰이는 실리콘에서와 같이 반도체가 기억소자나 트랜지스터 등에 이용되기 위해서는 반드시 도핑(doping)이란 과정 ... 어야 하며 이런 과정을 도핑이라고 한다. 도핑을 한 반도체에는 미량의 전류가 흐를 수 있으며 이것을 외부전압을 통해 조정함으로써 반도체 소자로 이용할 수 있다. 그리고 잘 알려진 ... 튜브는 도핑하기가 극히 어려워서 반도체로서의 응용이 힘든 것으로 생각되어 온 것이 사실이었다.② 탄소나노튜브의 전기적 성질- 축구공 모양의 탄소분자를 처음으로 합성하여 1996년
    리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.13
  • [조직범죄][컴퓨터범죄][사이버범죄][스포츠범죄][신용카드범죄][보험범죄][비속살해죄][간통죄]조직범죄 사례, 컴퓨터범죄, 사이버범죄 사례, 스포츠범죄, 신용카드범죄 사례, 보험범죄, 비속살해죄, 간통죄 사례
    도박3. 약물파동4. 병역비리Ⅴ. 신용카드범죄 사례1. 기술의 신속. 집중성2. 범행의 광역성과 국제화3. 범행의 조직성4. 범행의 계획성과 지능화Ⅵ. 보험범죄 사례Ⅶ. 비속살해죄 ... 방지 프로그램이 등장하였지만, 이에 대한 Unprotecting 기술도 동시에 진행되고 있다.우리나라에서도 컴퓨터 통신을 통한 온라인 판매는 물론 기록용(Writable) CD ... 인례는 잊을 만하면 다시 머리를 들곤 했다. 남자 육상 800m의 아시아 기록 보유자였던 이진일, 그는 95년 감기약을 먹었다가 국제육상경기연맹의 불시 도핑테스트에 걸려 4년간
    리포트 | 16페이지 | 6,500원 | 등록일 2011.03.26
  • 메모리의 기본원리와 첨단기술 현황
    MEMORY의 기본원리와 첨단 기술의 현황1. 그림.Assorted discrete transistors.트랜지스터① Transistor : 트랜지스터는 transit ... 저항변화이다. 니오브로 도핑 된 탄산스트론튬이나 대 자기 저항 물질인 PCMO라는 이 두 물질은 반대극성의 전압을 가해주어 두 저항상태를 구현할 수 있다. 예를 들어, PCMO물질 ... : electronic swiching 의 세 번째는 국부적 영역에서의 전도 및 스위칭이다. 왼쪽 그림에서와 같이 0.2% 크롬으로 도핑된 strontium zirconate
    리포트 | 7페이지 | 2,500원 | 등록일 2013.01.07
  • LCD,CMOS의 동작원리(작동원리), FED,제너다이오드의 동작원리(작동원리), 연쇄증폭기,열선감지기와 적외선감지기의 동작원리(작동원리), 로봇,타임릴레이의 동작원리(작동원리)
    까지의 대형화가 기술적으로 가능하다고 하나, 지금은 중소형 제품에 사용된 예로 군용 Head mount Display와 계측기, 항공기, 혹은 자동차의 각종 Meter와 자동항법 ... 되게 되어 더 이상 사용할 수 없다. 이것은 큰 전류로 말미암아 다이오드에서 지탱할 수 있는 것 이상의 열이 발생하기 때문이다.이러한 항복현상은 다이오드 접합면의 도핑정도에 따라 발생 ... 이유를 다음과 같니 크게 두 가지로 대별할 수 있다. 접합부의 도핑이 조금만 되어 있을 경우에 일어나는 것이 사태항복현상이다. 역방향바이어스전압이 커질수록 공핍영역 안의 전계
    리포트 | 13페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.04.13
  • LED 설계 (AlGaInP)
    um역할 : 오른쪽 그림과같이 DH구조에 의해 전자가 confine 된다.도핑농도 차이 : P-TYPE의 도핑농도가 많아야 electron이 confinement로 부터 p ... 는 책에 나와있는 내용을 토대로 만든것이기본적인 여러 기술을 이용하여 LED설계에 적용하였지만, 구체적 parameter값들은 실험적 측정과 특정 파장에 대한 결과만 책에서 보여준다. 따라서 큰
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.11.03
  • TFT 기술개요, 단위공정&개선기술, 응용 및 최근기술 동향, 기술 관련 특허
    공정- 포토리소그래피와 나노임프린트리소그래피를 결합한 리소그래피 방법2.2.4 이온주입 공정- 플라즈마 이온주입기술- 플라즈마 도핑을 이용한 이온주입기술- 마스크를 이용한 이온주입 ... 한 플라즈마를 생성시킬 수 있는 플라즈마를 이용한 이온주입장치2) 플라즈마 도핑을 이용한 이온주입 기술플라즈마 도핑시 도펀트 손실을 방지하여 양산성을 확보할 수 있는 플라즈마 도핑 ... T h i n F i l m T r a n s i s t o r, T F T01 박막트랜지스터(Thin Film Transistor) 기술 개요1.1 TFT 기술 개요1.2
    리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.03.08
  • 84화합물 반도체 공정 [2조] 성장기술 (HVPE,LPE)
    화합물 반도체 성장 기술H V P E L P E화합물 반도체란? 에피택시 (Epitaxy) 공정이란? HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) LPE ... ) 기판 웨이퍼 위에 같은 방향성을 갖는 얇은 단결정 막을 기르는 기술 기판은 그 위에 새로운 결정을 성장시키는 시드 결정(seed crystal) 이 되며, 새 결정은 기판과 같 ... 에서 성장시킬 수 있는 기술 반도체와 제2의 원소의 혼합물은 그 반도체 자체보다 낮은 온도에서 녹기도 하기 때문에, 이러한 혼합물 용액으로부터 결정을 성장시키는 것이 유리 주기율표 상의
    리포트 | 35페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.02.18
  • [기초회로실험]실험9.다이오드의 특성과 정류회로(결과보고서)
    의 저항은 곧 다이오드의 저항는 벌크저항을 나타내는 것이다.벌크저항이란 도핑된 반도체에 존재하는 저항을 말하는 것이다.즉, 도핑이 적은 반도체는 높은 벌크저항을 가지며 도핑의 양 ... 에 전류가 흐른다.(3) 다이오드의 cathode와 anode를 구별하는 방법을 기술하라.=> 다이오드에 검은 굵은 줄 있는 쪽이 cathode이고 그 반대편이 anode이다.(4
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.11.18
  • 화합물 반도체
    이 하여 기술적 중요성이 커지고 있으며 전자구조계산 연구가 활발하다.ZnSe는 청색 광소자에 사용되며 할로겐 원소를 사용하여 n형 도핑이 용이하다. CdS 반도체는 n형 도핑이 쉽 ... 는 중요한 문제이다. 성장 시 EL2 결함이 흔히 생성된다. 인위적인 불순물을 첨가하지 않은 시료에서 주로 관찰되며 깊은 에너지 준위를 갖는다. 이 깊은 에너지 준위로 인해 기술 ... )와 같이 큰 격자 이동을 동반하며 EL2* 상태로 전이된다.GaAs에서 (a) EL2, (b) EL2* As 반위치 결함 구조AlGaAs/GaAs 에 n형 도핑은 IV족 원소인 Si
    리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2009.06.11
  • 전도성 고분자
    자기파 차폐기술개발?전자파 차폐 개론?전자파 차폐 이론?전자파 차폐 장치의 설치 및 실험 방법?전자파 차폐 실험의 결과3. 결론전도도 고분자의 다른 여러분야에의 응용 및 가능성서론 ... 이 doping되어야 한다.전도성 고분자는 가볍고, 저렴하며 가공성이 좋은 물성과 전도도를 쉽게 도핑물질에 의해 조절할 수 있는 장점이 있으며, 대부분의 전도성 고분자는 불용성이어 ... 에 어떻게 응용되어지는지 알아보도록하겠다. 전도성 고분자를 이용한 전자기기의 전자기파 차폐기술 개발1. 전자기파 차폐기술 개발의 개론전자기기가 급속히 보급되어 이들 전자기기
    리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.04.03
  • LED발광 다이오드에 대해서
    다. 다음 Fig1.은 n방향이 p방향보다 더 많이 도핑 된 pn+ 접합에 대해서는 전압이 인가되지 않은 상태의 에너지 대역도를 보여주고 있다. 대역도는 페르미 준위가 소자를 통 ... 과정에 의한 것이다3. LED의 구조기술적으로 간단한 구조 때문에, LEDs는 전형적으로 Fig2(a)와 같이 알맞은 기층(substrate, 예를 들어 GaAs 또는 GaP 등 ... )에 도핑된 반도체를 에피택셜(epitaxial; epitaxy; 하나의 결정조직 표면 위에 다른 성분의 결정을 성장시키는 것)하게 성장시켜 제작한다. 이런 유형의 평명 p-n
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.10.05
  • 운동능력향상보조물
    운동 능력 향상 보조물1) 운동 능력 향상 보조물과 도핑1)운동 능력 향상 보조물운동 능력 향상을 위해 사용되어 지는 모든 약물 약제, 호르몬 , 생리적 활성물을 통칭 하는 말 ... 동화 스테로이드 성장 호르몬 에리스로포테인생리적 활성물혈액 도핑 산소 흡입 중탄산염2) 도핑 금지 약물도핑 – 선수의 신체에서 운동 능력 향상을 강화하는 잠재성이 있는 어떤 물질 ... 이 존재하거나, 혹은 그러한 물질 혹은 방법을 사용한 증거나 사용으로 선수에게 불필요한 해를 끼지거나 혹은 스포츠 정신에 위반될 때를 의미한다.소변 검사를 하고 있는 한국 과학 기술
    리포트 | 67페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.03.25
  • 반도체물성이론
    에 따라 전압이 인가되어 있거나 도핑을 하였을 때 표현하는 표현 방법으로 알맞다. 그러나 이 그림으로는 에너지당 state 갯수가 얼마나 있는지. direct 반도체 인지 ... 의 함수가 된다. 또한 불순물 도핑을 많이 하면 바뀌기도 한다. 온도가 상승함에 따라 원자간의 거리가 커지게 되고 이때 에너지 갭도 달라지는데 대체로 온도가 올라갈수록 에너지 갭 ... 와 Indire하여 돌의 무게가 가벼워진 것처럼 느껴지기 때문이다. 만약에 물속에 있는 돌에 대한 자연 현상, 특히 돌의 무게와 관련이 있는 현상을 기술하고자 하면 계산할 때 마다 돌의 진짜
    리포트 | 66페이지 | 3,500원 | 등록일 2012.11.05
  • 나노발표-이온주입
    을 하여 표면에 개질된 층을 만드는 대표적인 기술 불순물(P,B,BF2,As,Ge)를 wafer에 주입하는 공정고집적회로를 위한 반도체의 도핑(doping) 웨이퍼의 표면위 ... 법을 이용한 나노와이어 제조실리콘나노와이어 : 합성과정을 통하여 지름, 방향성, 표면특성까지도 조절가능실생활에 적용된 이온주입의 예 2세계 최초 골 결합 촉진 물질 이온주입 기술 ... 의 예 3이온주입 생활성 임플란트금속 생체재료의 생체 활성을 유도하는 표면기술 적용 다양한 환경에도 안정적시술(급격한 각도변화 일으키지 않고 안정적으로 식립) , 초기고정력 확보
    리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.03.14
  • oled
    밝다.현재 디스플레이 기술은 국가의 전략적인 기술이며 그것의 최첨단에 유기EL이 있다.2. OLED Strength○ 자체 발광형 및 높은 발광효율? 자체 발광형 이라는 것 ... 에서는 양극을 띠 형태로 패터닝한 후 다층 유기막을 형성하고 마지막으로 음극 띠를 형성하며 두전극에 전류를 가했을 때 두 띠가 교차되는 부분에서 발광하게 된다. 여기서는 재료정제기술 ... 형광은 Alq3에 MQD, Coumarine 등을 1%정도 도핑하여 얻게 된다. Alq3 자체도 녹색 발광을 하지만 도핑을 통하여 2배 이상의효율 증가를 이룰 수 있다.DCJTB
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.10
  • MOS 소자 형성 및 C-V특성 평가
    적으로 절연체 두께가 두꺼우므로 전자를 잘 끌지를 못하므로 산화막두께를 줄인다.Si은 4족 원소인데 P-type으로 도핑을 하여 3족형태로 만들어 (+)를 띄는 것이 있고, N ... -type으로 도핑을 하여 5족형태로 만들어 (-)를 띄게 되는 두가지가 있다. 이번 실험에서는 P-type으로 도핑을 한 P-Si를 사용한다.1) Cleaning 공정처음에 Si웨이퍼 ... 에는 현재의 k 상수값이 2.5 내외인 SiO2를 대신해 k값이 3.9 이상인 이들 High-k 물질을 이용해 45나노(nm) 이하의 더 얇으면서 누설전류가 적은 반도체의 기술개발
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2011.12.20
  • 서강대학교 디지털회로설계 HW1 Semiconductor Fabrication Process
    의 핵심요소일 뿐만 아니라 재래산업의 생산성 향상과 고부가가치화를 위한 필수적인 요소부품으로서 그 수요가 급속히 확대, 다양화되고 있다. 반면 막대한 설비투자가 요구되며, 기술자체 ... 다. 또한 기술혁신의속도가 빠르며 제품의 수명 주기가 타 산업에 비해 매우 짧은 특성을 가지고 있다.▲ 다이오드(Diode)반도체는 크게 다이오드, 트랜지스터, IC(Integrated ... 들을 모은 반도체를 집적회로라고 한다. 집적회로는 플래너(Planar ) 기술이 개발된 이래 눈부시게 발전하였다. 플래너 기술이란 웨이퍼라고 하는 평평한 반도체판 표면에 트랜지스터등
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.04.12
  • Polymer LED
    소재로서의 고분자 재료는 전기를 흐르지 않게 하는 부도체 성질을 이용한 응용에 많이 치중되어 왔다. 반도체 소자의 패키징 재료나 포토리지스트 기술들이 이러한 범주에 속할 것이 ... 다. 이러한 전통적인 관점에서 볼 때 전도성 고분자의 출현은 매우 생소한 것이라고 할 수 있다. 전도성 고분자의 연구는 1977년 도핑된 폴리아세틸렌이 금속 수준의 전도도를 보인다는 보고 ... 적으로 이해가 적은 곳이며, 실험적으로 O2 plasma 처리를 통하여 표면의 거칠기를 낮출 수 있고, poly(styrene sulphonic acid)가 도핑된 PEDOT(poly
    리포트 | 10페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.09.11
  • [0428예비] 3-14,15 JFET직류특성바이어스
    . 전계 효과 트랜지스터는 게이트에 역전압을 걸어주어 출력인 드레인 전류를 제어하는 전압제어 소자로서, 제조 기술에 따라 접합형 FET(JFET), 금속산화물 반도체 FET(MOS ... 는 n형 반도체를 기판으로 하여 양쪽 측면을 저항성 접촉으로 한다. p형 불순물을 강하게 도핑시켜서 p형 영역이 되도록 하고, PN접합 회로를 구성하면 p형 영역 단자를 게이트, n
    리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.05.15 | 수정일 2014.11.06
  • 태양전지 및 관련특허
    4조 중간 프로젝트 보고서태양전지 및 관련 특허목 차Ⅰ. 서론Ⅱ. 배경기술의 종류 및 분석1. 태양전지(1)태양광 발전의 원리(2)모듈의 구성과 종류(3)태양전지 종류와 장단점2 ... . LED(1)LED 재료의 종류(2)LED 발광원리(3)LED 의 색(4)LED 특징(5)LED 조명 시스템 기술Ⅲ. 태양광 정류장 제조공정1.과거에 썼었던 공정법(1)포토 ... 개발중단점액체 사용으로 인한 저내구성저 변환효율발전을 위한 단계내구성 강화다양한 파장을 감수하는 염료 개발과 저렴화양산과정 개발유기물태양전지장점인소기술의 사용으로 저가 양산 가능단점
    리포트 | 20페이지 | 3,500원 | 등록일 2011.11.27
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- 작별인사 독후감