"바이폴라-트랜지스터"의 검색결과 입니다.

기간
- 전체
- 3개월
- 6개월
- 1년
- 2년
- 3년
- 5년
직접입력

적용
연관순
- 연관순
- 최신순
영역
- 전체
- 제목
- 본문
- 태그
페이지 수
- 전체페이지
- 1 페이지 ~ 5 페이지
- 6 페이지 ~ 10 페이지
- 직접입력 페이지 ~ 페이지 적용
확장자
- 전체
- 한글
- PDF
- MS워드
- MS엑셀
- MS파워포인트
- 압축파일
- 기타
할인자료 보기

연관검색어

쌍극성 접합 bjt BJT의 전류 5주 pspice BJT BJT 기본 특성 JFET 증폭기 울산대학교 BJT 반전 적분기 고찰

"바이폴라-트랜지스터" 검색결과 421-440 / 454건

판매자 표지는 다운로드시 포함되지 않습니다.

[전자회로]BJT의 단자특성

시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다.. 기본 지식1. 물리적인 구조와 회로기호바이폴라 접합 트랜지스터 (bipolar junction transistor: BJT)는 반도체 ... {9장.BJT 단자 특성과 바이어싱. 목 적1) 활성모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.2) BJT 활성모드에서 안정하게 동작 ... ) IB, IC, IE를 구한다.4) 트랜지스터가 실제로 활성 모드에서 동작하는지를 검증한다. (이미터-베이스 접합이 순바이어스되어 있고,컬렉터-베이스 접합이 역바이어스되어 있

리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2002.11.06 | 수정일 2017.02.21

다운로드 장바구니
[무선통신] 5.8GHz 무선 LAN용 저잡음 증폭기

며, 이러한 무선 LAN에서의 출력 규제는 지역과 나라마다 다르지만 우리나라의 경우에는 10mW/MHz 이다.[2]마이크로파 영역에서 동작하는 반도체 소자는 대체적으로 바이폴라 ... 많은 데이터를 고속으로 보내기 위한 연구가 진행되고 있고, 그대표적인 예가 고속 무선 LAN(Local Area Network)의 개발이라 하겠다.ISM- band를 이용한 무선 ... 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터가 있다. 이 중 마으크로파 영역에서는 주로 전계효과 트랜지스터 (FET) 가 사용되고 있다.트랜지스터에는 Ge, Si, GaAs MESFET 등의 반도체

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.10.20

다운로드 장바구니
[전자 실험] TTL특성및 응용

GATE) 1개, 저항 1k , 33k , 1/3W3. 사용장비직류전원5V DC ,DMM4. 실험 회로도{{{ 5. 이론적 배경(1) TTL ICTTL 은 바이폴라 트랜지스터 ... 는 내부의 트랜지스터 회로를 흐르는 것보다 전압이 낮아도 관계없이 저항 R1과 입력단 트랜지스터 Q1의 베이스- 에미터의 경로를 통하여 입력 단자에서 외부로 흘러나간다. 이 때문에 그 ... {Familydelay(ns)Power(mW)basic1010low-powerL351SchottkyS318low-power SchottkyLS92advanced SchottkyAS1.510

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.21

다운로드 장바구니
[다이오드] 접합 다이오드와 정류기

부터 LED, 광 다이오드, 레이저 및 바이폴라 트랜지스터의 동작을 이해할 수 있기 때문이다. 그러므로 이장은 전자 소자를 이해하는데 있어 가장 중요한 장이다.1. 열평형 상태의 p-n접합 ... p-n접합은 모든 바이폴라 소자의 기본이 되므로 대단히 중요하다. p-n접합의 중요한 전기적 특성으로는 정류 특성(전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 특성)을 들 수 있다. p-n ... 접합 다이오드와 정류기목차1. 열평형 상태의 p-n접합2. p-n접합의 전위장벽3. 전장과 전위4. 관련 수식5. 계단 접합6. 바이어스 인가시의 p-n접합7. 순방향 바이어

리포트 | 19페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.06.28

다운로드 장바구니
[전자회로] 릴레이와 트랜지스터

를 삽입하여 트랜지스터와 방열판을 완전히 절연하는 것이 필요합니다.이미 언급한 바와 같이 제조자들은 바이폴라접합트랜지스터를 일반 목적/ 소신호소자, 전렬소자, 그리고 RF(무선주파 ... .< 도 입 >1. 트랜지스터- 트랜지스터의 사진(자료1)을 보여주며 주의를 환기시키고 자연스럽게 트랜지스터에 대해 설명한다.- 그림이 어떤 부품인지 자연스럽게 말한다.(학생)- 그림 ... 을 보여 준 후 트랜지스터의 기호와 종류를 설명한다.(PNP), (NPN)- 화살표 방향은 전류의 방향을 나타낸다. (설명)- 트랜지스터는 반도체 가운데에서도 가장 많이 쓰여 왔던 기본

리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.27

다운로드 장바구니
[HJBT] HJBT

)구조적 개념HBT트랜지스터는 어떤걸로 접합하느냐에 따라 종류가 다르다. 예를 들면요. 아래와 같은 실리콘 게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터안 SiGe HBT는 쉽게 알 수 있 ... 듯이 실리콘과 게르마늄을 접합시킨 쌍극성 트랜지스터이다.실리콘 게르마늄 이종접합 바이폴라 트랜지스터 (SiGe HBT)는 최근 각광을 받고 있는 무선 통신 반도체 부품기술로서, 약 ... 10년 전부터 세계적으로 많은 연구가 진행되고 있다. 실리콘 게르마늄 트랜지스터는 기존의 실리콘 바이폴라 트랜지스터에 비해 차단주파수 (fT), 최대 진동주파수 (fmax) , 전류

리포트 | 27페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.06.13 | 수정일 2018.01.08

다운로드 장바구니
트랜지스터의기초

. BJT(bipolar junction transistor)는 바이폴라 접합 트랜지스터의 약자로 바이폴라란 극성재료로의 주입과정에서 정공과 전자가 참여된다는 말에서 나온 것이 ... 의 변화를 구한 특성2) 출력 특성 (IC - VCE):IB 를 고정 시키고 VCE 를변화시켜 IC 의 변화를 구한 특성2) 안정 계수 (S)트랜지스터의 바이어스 회로는 안정 ... 전압VBB : 베이스 공급전압ICB : 콜렉터에서 베이스로 흐르는 전류VKJ : 회로내에서 K점과 J점 사이의 전위 차VCB : 콜렉터-베이스 전압♧트랜지스터의 구조 및 동작

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2001.10.14

다운로드 장바구니
D램반도체와 플래시반도체

와 바이폴라 메모리로 나뉘어지는데, 바이폴라 메모리는 구조상 MOS 메모리에 비해 집적도가 떨어지고 제조공정이 복잡하다. 비트 당 가격은 MOS 메모리쪽이 저렴하지만 바이폴라 메모리 ... 의 기술 보유국이 되기에 이르렀다. 이러한 국내외의 기술 발전에 힘입어 10억개 이상의 소자들로 구성된 1 Gb DRAM이나 64 Bit Micro-Processor와 같은 대규모 고 ... (Ferro-electric Random Access Memory)이 있다. 이러한 비휘발성 메모리는 정보를 다시 써넣을 경우에는 소거(erase) 사이클을 필요로 한다. 비휘발성

리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.04.25

다운로드 장바구니
[전자전기실험] 스테핑모터 실험

권선에 인가한 입력전원이 항상 같은 극성을 갖게끔 구동시키는 모터, 구동방식. 이 유니폴라모터와 유니폴라드라이버는 6선이나 8선을 필요로 한다.② 바이폴라/바이폴라드라이브 ... (Bipolar / Bipolar-Drive) :모터의 동일권선에 입력펄스의 극성을 바꿔주는 방식. 출력단은 약간 복잡하지만, 유니폴라 구동방식에 비해 각도의 정밀도가 좋으며 저속 ... 에서 보다 높은 토르크를 얻을 수 있다.이 바이폴라모터는 4,6,8선의 모터를 사용할 수 있으며 대개 6선보다는 4,8선의 모터를 사용시 효율이 더 좋다. 이 바이폴라드라이브에는 직렬

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.11.29

다운로드 장바구니
[전자공학] IC(집적회로) 이야기

었고, OP-AMP와 같은 아날로그 집적회로가 개발됨.6> 집적도가 증가함에 따라 바이폴라 트랜지스터의 문제점이 드러나기 시작.(MOSFET보다 제조공정이 복잡할 뿐 아니라 트랜지스터 ... 4> 1960년 바이폴라 트랜지스터와 수동소자를 집적하는 바이폴라집적회로가 주류를 이룸5> TTL과 ECL이라는 회로 기법을 사용한 논리 회로가 디지털 회로의 주류를 이루 ... 으로 하여 p형 기판 영역에는 붕소(boron, B) 를, n-웰 영역에는 인을 각각 이온 주입하면 트랜지스터 외부 영역의 불순물 농도가 증가하여 후에 회로 동작 시 트랜지스터

리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.06.11

다운로드 장바구니
[화학공학] 박막의 표면처리 및 식각공정(예비)

에는 열적확산과 이온주입법이 있다.5. 가공절차반도체 가공 시에 각 웨이퍼는 여러 가지 공정을 거치게 되는데, 사용된 기술(MOS, 바이폴라 등)과 소자나 회로의 복잡도와 관련이 있 ... (patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)(2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치 ... 를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실 험을 진행한다.(4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용(5) 마스크 패턴의 제거 (O2

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2005.07.04

다운로드 장바구니
[회로실험] BJT(바이폴라 트랜지스터)의 원리

{바이폴라-트랜지스터의 원리실험 E1.1 디바이스 전류의 안정화오른쪽 그림과 같이 회로를 꾸며라. 이 때 사용할 저항의 값을 미리 측정하여라.(a) Digital Voltage ... Meter(DVM)을 이용하여 접지에 대한 노드 B, E, C 및 전원 전압 V+, V-의 전압을 측정하여라. {V_{ BE }, {I_{ E }, {I_{ C }, {I_{ B ... }, {alpha, {beta를 계산하여라.{V+V-{V_{ B }{V_{ E }{V_{ C }{R_{ C }{R_{ B }{R_{ E }10.015 V-10.019 V-52.56

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.10.25

다운로드 장바구니
[전자공학] op amp (연산증폭기)

특성- 높은 입력 저항- 낮은 출력 저항- 낮은 전력 소비- 높은 이득- 높은 CMRR- 온도 및 전원 전압 변동에 따른 무영향 등을 들 수 있으며, 바이폴라(bipolar ... )와 JFET의 조합(Bi FET) 또는 바이폴라와 MOS FET의 조합 (Bi MOS) 등을 통하여 이들 조건에 접근 시킬 수 있다.1) 일정한 이득을 얻는 회로- 연산 증폭기 자체 ... KOREA UNIVERSITYREPORT1. OP Amps (연산증폭기)전자공학과 A-7조정 의 형Op Amp의 특성실험1. 목적OP Amp의 각종 특성을 이해하고 능숙능란

리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2002.10.31

다운로드 장바구니
[반도체] VLSI 대규모 집적 회로 생산

거나 과다전류에 의하여 파괴되는 현상{원리PMOS의 drain/source (p+){n-wellp-subNMOS의 drain/source (n+)해결책공정상 : 바이폴라 트랜지스터 ... %)전기로{다결정 실리콘Czochralski 성장법Float Zone 성장법{단결정 실리콘잉고트를 절단{웨이퍼 : 직경 3 인치~12 인치, 두께 1mm 이하다결정실리콘->단결정 ... 성장법방법 : 다결정 실리콘의 일부만을 융해하며 표면 장력과 고주파 전자장을 이용하여 단결정을 형성특징 : 내부의 저항률 분포가 불균일, 표면 변형으로 전력용 트랜지스터에 사용.2

리포트 | 13페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.06.24

다운로드 장바구니
[전자회로] 전력 증폭기와 BJT와 FET비교

들은 위에 언급한 범주에 속하지 않은 변종들이 있다. 여를들어, 어떤 A급 증폭기는 2개의 트랜지스터로 동작하지만 두개의 트랜지스터가 항상 켜져있지 않다. 이런 방법을 hi-end ... transistorBJT 는 바이폴라 소자입니다.말하자면 전류를 발생시키는두 캐리어인 전자와 정공이 모두 이용됩니다.장점: 사실 이거 장점은 위에꺼 단점 보완한겁니다. 증폭률이 뛰어납니다. 단일소자 ... 에서 보듯이 이 증폭기는 최소한 출력신호 스윙의 절반이 공급 전압레벨에 의해 제한되는 고전압레벨이나 저전압레벨, 또는 0v를 넘어서지 않도록 q-동작점이 바이어스되어야 한다.즉, q점

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.09.28

다운로드 장바구니
[다이오드,MOFET등...] 전력전자

6000v-6000A 용량의 GTO사이리스터가 개발되어 상용화를 위한 시험중에 있다.그림 - GTO 사이리스터4. 바이폴라 트랜지스터그림 2-32의 (a)와 (b)는 NPN 바이폴라 ... 형명의 표시법< 반도체소자의 형명 표시법 >①숫자 S ②문자 ③숫자 ④문자①의 숫자 : 반도체의 PN 접합면의 수0 : 광트랜지스터, 광다이오드1 : 다이오드2 : 트랜지스터 ... (TR), 전기장효과트랜지스터(FET),사이리스터(SCR), 단접합 트랜지스터(UJT)3 : 게이트가 2개인 FETS : Semiconductor의 머리글자②의 문자 TR A

리포트 | 16페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.10.11

다운로드 장바구니
[전기 전자 공학] DC 모터의 특성과 제어

에서 동작하기 때문에 많은 열 손실이 발생펄스폭 변조기(pulse width modulators) : 동작이 가장 효율적이며, 차단주파수와 포화상태 사이에서 바이폴라 파워 ... DC Motor의 정상상태 특성계자 전류{ i}_{f }= 일정① Series(직권) DC Moto r- 계자권선은 전기자 권선과 직렬이므로 :- 전기자 전압 방정식 :토크 특성 ... .)계자 자속 포화시② Shunt (분권) DC Motor : 타여자 DC Motor와 유사모터의 총 전류 :{ i}_{ }- { i}_{a }+ { i}_{f }APPROX{ i

리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2003.10.13

다운로드 장바구니
[반도체] 반도체process

: 습식건식(플라즈마, Ion)열확산 : 개관식폐관식이온 주입5. 가공절차반도체 가공시에 각 웨이퍼는 여러가지 공정을 거치게 되는데, 사용된 기술(MOS, 바이폴라등)과 소자나 회로 ... 게 된다. 그림13에 바이폴라 공정 흐름도를 나타내었다.그 조작은 크게 세가지 경우로 나눌 수 있다..불순물 주입단계(Doping).금속 배선 단계(Metallization).보호막 ... 한다.사염화 실리콘 : SiCl4+2H2-4HCl+Si삼염화 사일렌 : 2SiHCl3+2H2-6HCl+2Si이때 추출된 실리콘은 다결정 Si이다.3. 결정 성장 및 웨이퍼 형성다결정

리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2002.05.24

다운로드 장바구니
스텝모터

유니폴라/유니폴라드라이브(Unipolar / Unipolar-Drive) :외부의 입력전원을 모터 상에서 한 방향으로만 흐르게끔 결선한 것. 또는 각 모터 상 의 권선에 인가한 입력 ... 전원이 항상 같은 극성을 갖게끔 구동시키는 모터, 구동방식. 이 유니폴라모터와 유니폴라드라이버는 6선이나 8선을 필요로 한다.2 바이폴라/바이폴라드라이브(Bipolar ... / Bipolar-Drive) :모터의 동일권선에 입력펄스의 극성을 바꿔주는 방식. 출력단은 약간 복잡하지만, 유 니폴라 구동방식에 비해 각도의 정밀도가 좋으며 저속에서 보다 높은 토르크

리포트 | 10페이지 | 무료 | 등록일 2001.09.13

다운로드 장바구니
[전력전자] 대용량 전력변환장치용 소자와 시스템

On저항이 낮지만 MOS와 동등의 전압제어특성을 지니고 있으며, 또한 스위칭특성에서는 MOS보다는 늦지만 바이폴라 트랜지스터나 GTO보다 빠른 잇점으로 인해 중소용량의 인버터 ... 을 목전에 두고 있다.이러한 SIT의 특징을 다음과 같이 요약할 수 있다.- 유니폴라 스위치로써 Tail전류가 작고, 고속 스위칭동작이 가능하다.- 고내압/대용량의 제품제작이 가능 ... -MOSFET전력용 MOS 전계효과 트랜지스터인 Power-MOS는 스위칭전원 용도를 중심으로 폭넓게 사용되는 소자로서, 그 특징 및 용도를 아래와 같이 요약할 수 있다.▲ Power

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.05.16

다운로드 장바구니

이전10개 14 15 16 17 18 19 20 212223 다음10개

파워링크

신청하기