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진동및동적시스템 트랜지스터 bjt 기본특성 탄소나노튜브 1n4001 Ω 2N4401 문턱전압 pspice cs amplifier 멀티심 듀티비 ED-1000BS
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"diode와transistor측정분석" 검색결과 21-40 / 89건

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    기초전자회로실험1 9주차 중첩의 원리Thevenin Norton회로와 DC전원장치 예렙
    (diode, transistor 등 ) 가 사용되었기 때문이다 . = I 0 = I 1 + I 2 중첩 원리 측정 문제 Ⅰ 저항 전류 전압 계산 Pspice 측정 계산 ... Pspice 측정 Rs 3.228mA 3.228mA 1.065V 1.0651V R1 2.671mA 2.671mA 534.2mV 534.2mV R2 556.5μA 556.5μA 378.4mV ... 378.4mV R3 2.671mA 2.671mA 400.7mV 400.7mV R4 556.5μA 556.5μA 556.5mV 556.5mV 저항 전류 전압 계산 Pspice 측정
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.10.07 | 수정일 2020.10.12
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    6 BJT의 특성 예비
    의 동작을 분석해보면 트랜스를 통과한 전류는 BJT특성에 따라 콜렉터 - 에미터 접합에 RMS특성의 전압 전류의 형태를 인가한다. 그리고 변압기와 다이오드의 동작 결과로 에미터 ... 곡선(VCE 대 Ic)들을 측정하고 그래프로 나타낸다.실험 이론과 원리○ 트랜지스터 데이터트랜지스터 데이터는 각각의 응용에 대한 요구 조건들에 따라 여러 가지 형태로 된다. 이러 ... 의 곡선은 트랜지스터의 주변 온도가 25℃로 유지되는 동안 실험적인 방법으로 측정한 것이다. 만약 온도가 올라가면 콜렉터 전류는 증가할 것이며 허용 전력은 더욱 큰 값으로 제한
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.06
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    탄소나노튜브 리포트
    으로 분석하는 과정에서 발견하여 네이처 지에 처음으로 발표했습니다. 탄소 나노튜브는 탄소 동소체로써 하나의 탄소가 다른 탄소원자와 육각형 벌집무늬로 결합되어 튜브형태를 이루고 있 ... 는 SPM(Scanning probing microscopy)을 이용하여 탄소나노섬유를 수은 액체상에 담아 전도성을 측정하였다. 그 결과 탄소나노튜브가 양자거동을 보이면서 획기적인 ... . 1999년 Sanvito등은 scattering 기법을 이용하여 MWNT의 전도성을 측정하였으며 Frank의 결과를 재확인하였습니다. 또한 이들은 MWNT내의 양자전도성 채널
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.05.02
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    Labview를 이용한 계측기 제어 학습 예비레포트 결과레포트 통합본
    하고, 데이터를 획득하고 효율을 측정한다.3.실험 내용Power Supply 제어 및 데이터 획득을 통산 IV Curve 측정스펙트럼 분석기, RF 신호발생기, RF 신호분석기를 이용 ... -effect transistor) 에 대한 예시이다. 신호를 증폭하거나 바꾸는 일종의 반도체 부품이다.5. TR 의 내부 저항 Ron 을 조사하고 측정방법을 조사Ron 은 트랜지스터 ... 의 모델은 스위치 파워 서플라이 이다(선형 서플라이는 거의 쓰이지 않는다고 봐도 무방하다). 스위치 파워 서플라이는 스위치와 축전기, 인덕터, 다이오드를 이용한 물건인데, 스위치는 제어
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    | 리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2019.09.07
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    전자회로설계 <BJT스위칭>실험보고서
    _{out})에 연결된 저항들에 오실로스코프 프로브를 각각 연결하여 입·출력전원의 사각파형을 측정 및 확인하고 BJT 스위칭 동작을 이해한다.3.2 측정결과 정리 및 분석 *1 ... ) 입력전압의 신호 파형을 측정하고 입력신호의 크기변화에 따른 BJT 동작을 관찰 및 분석[그림 12. 오실로스코프로 측정한 입력 신호 파형(1V/div, 500us/div ... 주기 단위(500us)로 ‘High’와 ‘Low’를 반복하는 것을 알 수 있었다.2) 출력전압의 신호 파형을 측정하고 출력신호의 크기변화에 따른 BJT 동작을 관찰 및 분석[그림
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.03.14
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    조합논리 해석 및 설계 논리 게이트
    하여 분석하라.( 풀 이 ) T1, T2, T3에 대해 한 단계씩 논리식을 쓴다.T1 = A + BT2 = BC + A'T3 = T2 ( A + C )F = T1 + T3∴ F = A ... + B + ( BC + A' ) ( A + C )1.4 논리소자의 특성논리상태를 표시할 수 있는 소자에서 일반적인 논리소자는 TTL(Transistor-Transistor ... 않을 때는 은박지로 포장하거나 도전성 백에 보관해 둔다. 실험 또는 작업시에는 정전기가 발생하지 않도록 측정 및 시험용 기기류, 공구 등은 확실히 어스를 취하며 실험대 또는 작업대
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    | 리포트 | 24페이지 | 4,000원 | 등록일 2017.12.31
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    A+ 전자소자 레포트
    REPORT-자동차의 차속 센서의 메커니즘 분석-1. 서 론자동차 산업은 그 나라의 국가기간산업 가운데 하나로써, 전후의 세계경제의 고속성장기를 견인해왔다. 지금도 자동차 시장 ... 로서는 자동차에 필요한 수많은 구성 요소의 원리를 재분석하고 구성요소들이 유기적으로 동작하여 만들어내는 결과의 의미에 대해 새롭게 정의해야할 필요성이 있다고 느낀다. 또한 이번 달 ... 하고 나만의 생각으로 분석해보는 것은 의미가 있는 과정이 될 것이다. 본론에서는 자동차에서 차속 센서의 의미에 대한 서술로 시작하여 고찰에서는 구동되는 원리에 대해 전자의 전자기
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2018.12.07 | 수정일 2018.12.18
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    결과보고서 중첩의 원리, 테브난의 정리, 최대전력전달, 비선형소자의 전압전류 특성
    - 수동소자(resistor)는 기본적으로 선형동작하기 때문에 수동소자는 선형해석만으로 가능하다. 하지만 능동소자(diode, transistor)가 포함된 회로의 경우 선형영역 ... 순서? 중첩의 원리를 이용해서 각 저항에 흐르는 전류값을 계산한다.② 전류의 방향을 표시한다.③ 회로를 결선한다.④ 멀티미터를 이용하여 저항 양단이 전압강하를 측정하여 전류를 구한다 ... .⑤ [11-8] 회로를 결선해서 반복 실험한다.⑥ 위 두 그림에서 얻어진 값을 하나에 표시한다.⑦ +12V와 ?6V의 전원을 동시에 사용하여 각 저항에 흐르는 전류값을 측정
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2016.02.03 | 수정일 2016.12.01
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    Tcad (athena) 로 nmos 반도체 설계 시뮬레이션 보고서
    로 도출 해내고 VD=1v일 때 ID 값을 ID>5X10 ^{-5} 이 되도록 설계한다.분석Substrate Doping Concentration, Source/Drain Doping ... Profile,Oxide 두께, Gate 선폭 을 설계 변수로 두어 NMOS의 특성 및 목표에 부합하는 최적화된 변수를 선출하여 이를 분석한다.설계T-CAD Simulation인 ... 도록 설계한다.1.4 배경 이론1,4,1 MOSFET의 종류 [참고문헌 1]MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2017.11.02 | 수정일 2017.11.06
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    실험1. BJT DC 특성
    실험1. BJT DC 특성1. 실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인beta _{F}-I _{C},I _{C}-V _{CE} 특성 ... 을 측정하고 주요 SPICE 변수들을 구한다. 그리고, BJT의 콜렉터 및 에미터를 바꾼 상태에서 역방향 SPICE 변수들을 구한다.1) BJT의 DC 전류이득인beta _{F ... }의 콜렉터 전류에 대한 변화, 즉,beta _{F}-I _{C} 특성을 측정한다.2) BJT의 log(I _{C})vsV _{BE} 특성에서 포화전류 IS를 구한다.3) BJT의I _{C
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.10.12
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    가변저항을 이용한 볼륨조절 장치
    하여 요약해 보면 다음과 같다.Bipolar transistor를 이용한 증폭capacitor를 이용하여 DC적으로 groundPass Filter다이오드(전류를 단방향으로 흘려보내 ... 이 작아지고 커짐을 위의 그래프로 분석을 할 수 있다. 또한 비록 Pspice의 LIb 부재로 인하여, 실제 구현한 회로를 바탕으로 커패시터 값에 의한 증폭 주파수 범위를 측정하지 ... 는 못했지만, 다른 소자들을 대체로 이용하여 그래프의 개형과 값을 ‘어느 정도’ 예상해 보았다. 약 1~100KHz이 주파수 범위로 측정이 되었다.다음으로 회로의 구성에 대하여 살펴보
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2015.08.07 | 수정일 2016.12.13
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    탄소나노튜브의 구조와 성질
    지고 있습니다.[역사]1991년 일본 전기회사(NEC) 부설 연구소의 이이지마 박사가 전기방전시 흑연 음극상에 형성된 탄소 덩어리를 투과 전자 현미경으로 분석하는 과정에서 발견 ... 하여 전도성을 측정하였다. 그 결과 탄소나노튜브가 양자거동을 보이면서 획기적인 전도성 (ballistic conductance)을 가진다고 보고하였다. MWNT의 전도성은 각 나노튜브 ... 성을 측정하였으며 Frank의 결과를 재확인하였다. 또한 이들은 MWNT내의 양자전도성 채널이 interwall 반응에 의해 감소됨을 관찰하였고, 이 반응에 의해 각 탄소나노튜브
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2017.04.07
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    [물리학 실험] Bipolar Junction Transistor
    Bipolar Junction Transistor(BJT)1. 실험목적[1] 트랜지스터의 종류와 각각의 성질에 대해 알아본다.[2] Bipolar Junction ... Transistor(BJT)의 원리에 대해 이해한다.[3] npn BJT의 회로에 대해 실험하고 I-V 특성을 이해한다.[4] I-V 특성 곡선을 그리고, 각 영역에 대한 이해와 Early ... Effect에 대해 알아본다.2. 기본원리[1] 트랜지스터 [transistor]트랜지스터는 휴대용 계산기와 라디오에서부터 산업용 로봇과 통신위성에 이르는 여러 가지의 전자 장비
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    | 리포트 | 19페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.10.04
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    [토끼] 트랜지스터의 기초, 원리 P-spice rawdata
    다이오드로 구성되어 있기 때문이다. 하지만 PNP형 다이오드의 경우에는 실험에 의한 측정값과 이론및 시뮬레이션 결과가 완전히 일치 하지 않았다. 잘못된 데이터를 분석해보면 VBE ... 전자공학 실험 및 설계 1실험날짜:조 :조원:1. Title2. Name3. Abstract첫 번째와 두 번째 실험을 통해 가장 기본적인 2단소자인 pn접합 다이오드에 관하 ... 여 알아보았고 이번 실험을 통해 두 개의 pn접합 다이오드로 구성된 3단자소자인 트랜지스터에 대해 이론적으로 알아본 후 트랜지스터의 특성인 스위칭기능과 특성곡선등에 대해 실험을 통해
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    | 리포트 | 16페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.01.05 | 수정일 2020.07.13
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    실험 2예비 BJT DC 특성
    전자회로실험1 예비보고서실험 2. BJT DC 특성1. 실험 목적BJT(Bipolar Junction Transistor)의 DC 특성인 beta _{F} -I _{C} `,`I ... _{C} -V _{CE} 특성을 측정하고 주요 SPICE 변수들을 구한다. 그리고 BJT의 콜렉터 및 에미터를 바꾼 상태에서 역방향 SPICE 변수들을 구한다.1) BJT의 DC ... 전류이득인 beta _{F}의 콜렉터 전류에 대한 변화, 즉 beta _{F} -I _{C} 특성을 측정한다.2) BJT의 log(I _{C})vs V _{BE} 특성에서 포화
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    | 리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.09.30
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    pn다이오드 파라미터 추출 프로젝트
    다이오드의 심층적 이해3. 측정 대상: Diode-connected transistor4. 설계과제의 세부 내용1) 측정반도체 분석기를 이용하여 컬렉터와 베이스를 단락시킨 npn ... 반도체공학1 설계과제21. 설계 과제: 다이오드의 SPICE 모델 변수 추출 과정 설계2. 설계과제의 목적: 전류-전압 특성 측정과 분석, SPICE 모델 변수 추출을 통한 ... 트랜지스터, 즉 diode-connected transistor의 전류-전압 특성을 측정한다. 이 diode-connected transistor는 일종의 narrow-base
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    | 리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2011.10.08
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    [5주차] Transistor의 DC 바이어스 및 동작모드 예비레포트
    과 목 :전자공학실험1담당 교수 :구현철 교수님학 과 :전자공학부요 일 :조 :제 출 일 :Transistor의 DC바이어스 및 동작모드(예비)전자공학실험1 보고서제출일조점수학번 ... 성명실험제목Transistor의 기본 소자 실험 2실험목적Transistor의 기본적인 특성을 실험을 통하여 익힌다.실험내용BJT Transistor의 기본 특성 실험 - 바이어 ... 스 회로FET Transistor의 기본 특성 실험 - 바이어스 회로실험준비물트랜지스터, 저항, Power Supply, 멀티미터실험 4에서 살펴본 바와 같이 Transistor
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    | 리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2013.10.28 | 수정일 2016.04.06
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    Audio Amplifier 설계 보고서(전자회로 실험)
    (Data Sheet 상에 표시)이하인 경우는 제너다이오드가 파손되지 않고 원상복귀 된다. 제너다이오드의 정격용량은 1/4~50[W]정도이다.(3) Transistor▣ 개요 ... 《설계 보고서》1. 목표지금까지 실험실습을 통하여 습득한 지식으로 OP-Amp와 Transistor이 원리를 이용하여 Audio amplifier를 구현하는 것이다. 또한 직접 ... )란, Bipolar Transistor나 FET를 사용하여 이상적 증폭기를 실현시킬 목적으로 만든 아날로그 IC(Integrated Circuit)로서 원래 아날로그 컴퓨터에서 덧셈
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    | 리포트 | 10페이지 | 10,000원 | 등록일 2011.12.05
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    공통 이미터 트랜지스터 증폭기
    (),입력 임피던스(),출력 임피던스()의 측정값을 구한다.2. 관련 이론? 공통 이미터 증폭기(CE)란?< Common Emitter Transistor >공통 이미터 트랜지스터인 CE ... 0. 실험 제목 : 공통 이미터 트랜지스터 증폭기1. 실험 목적 :1) 공통 이미터 증폭기의 교류와 직류 전압을 측정한다.2) 부하 동작과 무부하 동작 조건에서 전압 이득 ... 는 Common Emitter Transistor의 약자로서 위의 그림에서 빨간 박스로 표시된 부분과 같이 트랜지스터의 Emitter 부분이 교류적으로 접지상태인 트랜지스터를 말
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.07.17
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    전자회로의 역사, 전자회로의 부가조건, 전자회로의 해석, 브리지(브릿지)의 의미, 브리지(브릿지)와 다이얼, 브리지(브릿지)와 저항,브리지(브릿지)와 휘트스톤브리지(브릿지) 분석
    ) 분석Ⅰ. 서론Ⅱ. 전자회로의 역사1. 1948년2. 1961년3. 1960년4. 1970년5. 1970년대6. 1980년대Ⅲ. 전자회로의 부가조건Ⅳ. 전자회로의 해석1. 직류회로 ... ? 저항, 캐패시터, 인덕터 등의 선형 집중 소자? 상호 인덕턴스? 균일 전송선(RC-class 및 LC - class)? OP - Amp, 스위치 등의 거시모형? Diodes ... , Bipolar Transistors, MOS transistors, JFET, MESFET 등의 비선형 소자SPICE3의 MOS 모형은 LEVEL 6까지의 모형이 전재
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    | 리포트 | 7페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.07.18
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