"MultiSIM"의 검색결과 입니다.

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전자회로실험 11판 multisim 멀티심 변압기 lab 7 능동필터 mosfet의 특성 실험 스웜핑다단증폭기 증폭기 다이오드 특성 opamp 필터회로

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"MultiSIM" 검색결과 21-40 / 262건

전자회로 응용 - active filter [multisim 활용]

서, 단순한 해석방법에 대한 지식만으로는 증폭기에 대한 정확한 분석이 어렵고, multisim과 같은 툴을 시기적절하게 사용해야 시간낭비를 줄이고, 효과적인 설계를 할 수 있겠다는 생각

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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전자회로 응용 - 555 timer [multisim 활용]

i. 이 회로에서 UTP와 LTP 전압의 크기를 계산하라.UTP`=` {2} over {3} V _{CC} = 8VLTP`=` {1} over {3} V _{CC} = 4V가 된다.ii. Capacitor, C0의 전압이 LTP에서 UTP로 충전하는 데 걸리는 시간은 ..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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전자회로 응용 - 적분기[multisim 활용]

1. Integrator simulationi. Function generator를 통해 1kHz, 2Vpk의 구형파 입력 신호를 가할 때 출력을 관측하라.Opamp 해석시, 입력전압v _{`i`n} 은 R1을 통해 전류를 공급하고, 피드백 부분에 있는 저항 성분들은 ..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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전자회로 응용 - CE 증폭기[multisim 활용]

전자회로 응용 및 실습- 보고서1. 주파수 응답 실습 -1. 위 회로에서 BJT β = 100 이면 컬렉터 DC 전압V _{C} 와I _{C}는 얼마인가?V _{B} `=`VCC``*`` {R2} over {R1`+`R2} `=`15V``*` {20kΩ} over {1..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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전자회로 응용 - 차동 증폭기[multisim 활용]

1. 위 회로에서 BJT는 TSEB(dual supply emitter bias)로 구성되어 있다.i. BJT의 collector의 DC 전압V _{C} 과 DC 전류I _{C}를 계산하라.I _{T} `=` {-0.7V``-`V _{EE}} over {R _{E}} ..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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전자회로 응용 - 비선형 OP AMP[multisim 활용]

1. Schmitt triggeri. 이 회로에서 UTP(upper trigger point)와 LTP(lower trigger point) 그리고 hysteresis 폭을 계산하라.UTP`=V _{sat} *` {R2} over {R1`+`R2} `=`12V`*` {..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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전자회로 응용 - phase shift oscillator [multisim 활용]

1. phase shifter oscillatori. 이 회로의 동작 원리에 대해 설명하라.위와 같은 RC회로에서 위상차를 구하기 위해서는, 전압 이득비를 구하는 식에서 각각의 위상의 차를 통해구할 수 있다. 커패시터의 임피던스를Z`=`-jX _{C} 로 놓으면,전압 ..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2014.01.25

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디지털논리회로-도어락(door lock) 프로젝트 (+ MULTISIM 회로도),홍익대,2학년1학기,도어락,프로젝트,DoorRock,project,2-1

2. 설계 방법(1) 카운터와 7-세그먼트 연결-UP/DOWN 스위치는 SPST를 사용하여 각 상태가 유지되도록 하고, INPUT 스위치는 NOPB를 이용하여 한번 식 누를 때마다 펄스가 형성되도록 구성한다. -각 스위치에 SOURCE를 연결하고 UP/DOWN 스위치를..

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2017.06.28 | 수정일 2019.01.25

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전자회로실험 제11판 예비보고서 실험2(다이오드 특성)

를 했으나, 오류 메시지가 반복적으로 뜨고 프로그램 동작 속도가 급격히 떨어져 다른 simulation tool인 Multisim으로 대체하였다. Multisim led소자는 led ... .10정값) = 8.0776mVIs(측정값) = 8.0770nA(3) - A. Ge다이오드 -> led로 대체한 회로, Multisim tool로 대체함.Vr(측정값) = 80.844

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.18

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전자회로실험 MOSFET의 특성 실험 예비레포트

로만 동작한다3. 시뮬레이션 과정 및 결과공핍형, 증가형 MOSFET에서V_{ GS} 의 변화에 따라I_{ D} 가 어떻게 변화하는지를 살펴보기위하여 회로에 대하여 Multisim

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.05

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전자회로실험 제11판 예비보고서 실험32(발진기 회로1, 위상편이 발진기)

치를 돌리면서 출력 파형 변화를 원활하게 관찰할 수 있는 multisim 프로그램으로 가변 저항치를 추정해 보았다.a. 교재 387쪽 회로(multisim)Vout 오실로스코프 ... 은 파형이 나왔다.a. 교재 387쪽 회로(multisim)Vout 오실로스코프 파형주파수 = 644Hz주기 = 1.55msVpk-pk = 26VRpot = 42.86% 지점까지 발진 ... 파형을 유지하였다.a. 교재 387쪽 회로(multisim)Vout 오실로스코프 파형f. 발진이 일으키기 위해 필요한 저항값을 가늠하여 RPot을 대강 조정 해 보라. 물론 발진

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| 리포트 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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전자회로실험 제11판 예비보고서 실험1(오실로스코프 및 함수발생기 동작)

) 교재 4페이지 2-함수발생기에 언급된 파형아래 회로는 실험 교재 4페이지에 나온 4V(p-p), 1kHz 정현파 회로를 multisim tool을 이용해 모의 실험한 결과다 ... . multisim 프로그램에는 실제 Tektronix 오실로스코프 외형 구조와 거의 유사한 모의 시뮬레이션 기능을 제공한다. [1]아래 사진은 multisim tool을 이용한 사인

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.05

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전자회로실험 JFET의 특성 실험 예비레포트

및 결과V _{GS} 를 매개변수로 하여V _{DS}의 변화에 따른I _{D}의 변화를 살펴보기 위해 Multisim 시뮬레이션을 수행한다시뮬레이션 조건* JFET 모델명: 2N

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.10.05

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전자회로실험 제11판 예비보고서 실험19(공통 이미터 증폭기 설계)

에선 p-spice , multisim tool을 활용해 설계를 수행하고 테스트하는 과정을 작성한다. 2N3904(또는 등가) 트랜지스터를 사용하며, 설계 규격은 아래와 같다.beta ... 교류 전압을 측정, 기록하라.=> 입력 전압이 실효값으로 주어져 회로를 더 잘 표현할 수 있는 multisim tool로 대체했습니다.교재 256쪽 회로도 -> multisim

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 14페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.03.19

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MOSFET의 특성 실험

회로를 구현하여 Multisim 시뮬레이션을 수행하였다.를 18V로 고정시켜 놓고, 게이트 전압을 증가시켰더니 오른쪽 전달특성곡선 그래프와 같이 가 점점 증가하였다. 이러한 결과 ... 서 상수 K는 MOSFET의 종류에 따른 고유한 값이며, 규격표로부터 주어진 값에 대한 값을 이용하여 계산된다.공핍형 MOSFET 드레인 특성곡선과 전달특성곡선Multisim ... Live 차이점이 있으면 그 원인을 설명하라.Multisim Live를 통한 시뮬레이션은 이상적인 상황을 가정하기 때문에 공핍형 MOSFET과 증가형 MOSFET의 규격표에 표시

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| 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.10 | 수정일 2022.04.18

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콜렉터 공통 증폭기 및 다단 증폭기 특성

.961Multisim으로 실험 회로를 구동시킨 결과 이번 실험시킨 결과와 거의 동일함을 볼 수 있었다.[Multisim Osiloscope]ii) 다단증폭기(Cascaded ... 실험은 직접연결방식을 사용했다. MultiSim으로 구동시킨 결과 실험결과와 똑같이 출력전압은 반전되어 증폭되는 것을 확인할 수 있었다. 전압이득 식을 구하면 다음과 같다.전압 ... 이득=A _{v} = {V _{out}} over {V _{IN }} = {504} over {100} =5.04[Multisim Osiloscope][Multisim

리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2024.04.26

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전자회로실험 제11판 예비보고서 실험18(공통 베이스 및 이미터 폴로어(공통 컬렉터) 트랜지스터 증폭기)

잘 표현할 수 있는 multisim tool로 대체했습니다.문제 a 회로도노란색 파형 = 입력전압, 파란색 파형 = 출력전압Vo(측정값) = 3.506Vb. 다음 식에서 교류 전압

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 15페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.03.19

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[전자회로응용] Active filter 결과레포트 (만점)

에서 각각 같은 와 같은 차단주파수를 가진 반전 1차 필터를 설계한 뒤 실습회로 1,2의 simulation 결과와 비교하시오.③ 실습회로 1,2,3의 차단주파수를 계산하고 이를 multisim 결과 및 MyDAQ 결과와 비교하시오.

리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.11.22

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Logic 연산과 gates 실험보고서

그림 2와 같은 회로를 만들어 A, B가 각각 1일 때는 5 V, 0일 때는 0 V를 연결하여 A,B 입력에 따른 출력 C의 변화를 살펴보고 표 1을 완성한다.multisim ... BLED110010101000ONOFFOFFOFF표 2. AND gate 결과표multisim_AND gate_(a)ABCL1L ... multisim_diode logic OR gate_LED 점등GND와 Switch를 연결한 이유는 회로가 아예 끊어지는 것과 GND가 연결된 상황간의 차이를 알아보기 위함이며, 실험 결과

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.06

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TTL gates 실험보고서

diagram으로 나타낸다.multisim_XOR gate그림 4. NAND로 꾸민 XOR gate의 timing diagram3. open collector gates3.1. TTL ... 있을 것이다.multisim_open collector OR gate위 캡처화면은 open collector를 응용하여 만든 gate이며, S1과 S2의 개폐를 통해 OR ... gate로 작동함을 확인하였다.multisim_open collector NAND gate_(a)ABC110010100111표 4. open collector NAND의 진리표

Non-Ai HUMAN
| 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.06

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