"전자회로"의 검색결과 입니다.

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"전자회로" 검색결과 361-380 / 35,148건

서울시립대 2011 전자회로2 중간고사

시험자료 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.10.15 | 수정일 2021.10.19

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전자회로실험 24장 전류원 및 전류 미러 회로 레포트

어서 좋았다. 다음 실험에 두 기기를 사용하더라도 사용법을 더 정확히 알아서 정확한 값을 도출할 수 있게 하고 싶다.결과보고서 전자회로실험2 실험일 ... 24. 전류원 및 전류 미러 회로실험회로 및 시뮬레이션 결과JFET 전류원회로 결선, 사용. 드레인-소스 전압 측정다음은 JFET 전류원을 구현한 회로도이다.부하전류 계산값을 표 ... )156Ω 일 때)BJT 전류원다음은 BJT 전류원을 구현한 회로도이다.회로에서 부하에 흐르는 전류 계산회로 결선, 측정계산을 표대로 바꿔가며 반복-5.661-5.6663-5.667

리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.12.29

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인하대 전자회로실험1, 전자공학실험1 INTERRUPT

학번: 이름: ( 조)Lab8. INTERRUPT실험① External Interrupt코드 및 주석#define LED1 7#define LED2 8#define LED3 9#define interruptPin 2void setup(){pinMode(LED1, OUT..

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.01

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전자회로 ) 전자회로 요약하기 - BJT의 동작모드, 순방향 활성 모드의 전류 성분

전자회로전자회로 요약하기전자회로전자회로영상보고 요약하기2.1.2. BJT의 동작모드(1) 바이어스에 따른 BJT의 동작 모드? 베이스-이미터 접합과 베이스-컬렉터 접합의 바이어

리포트 | 4페이지 | 3,000원 (20%↓) 2400원 | 등록일 2022.07.20

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인하대학교 전자회로1 HW1

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.27

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인하대학교 전자회로1 HW5

cs amplifiers.위외 같이 회로를 설계하여 netlist를 작성했다.HW5VD1 1 0 DC 3VR1 1 2 3KMQ1 2 3 gnd gnd NCH W=40U L=1 ... 와 같이 Subckt을 이용하여 회로를 구성하였고, 그에 따른 spice 출력은 아래와 같다.이득은 올바르게 출력이 되나, offset을 미세하게 조절하지 못해서 교수님이 수업에서 설명하신대로의 출력은 나오지 못했다.

리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.07.27

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인하대학교 전자회로1 HW4

전자회로 HW4Saturation에서 동작하는 Id를 구한 이후에 이득과 저항 등을 구했다.Id=0.685mA일 떄는, saturation 영역에서 동작하지 않으므로 문제가 발생 ... 하신다.5, 6)회로에 따른 넷리스는 다음과 같다.AmplifierVin 1 0 AC sin(0 10m 1K)Vdd1 4 0 dc 3Vdd2 5 0 dc 3Rsig 1 2 10Cc ... .probe.trean 1m 100m.end해당 회로를 spice를 사용하여 모의실험 했을 때,직접 측정한 값과 크게 다르지 않음을 알 수 있었다.소신호 모델에서 매우 근접한 값을 알 수 있었다.

리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.07.27

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인하대 전자회로실험1, 전자공학실험1 USART

학번: 이름: ( 조)Lab4. USART실험① USART 통신코드 및 주석void setup(){Serial.begin(9600); //9600bps baud rate의 속도로 데이터를 보내고 받음}char k;void loop(){Serial.print("Hello..

리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.01

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인하대 전자회로실험1, 전자공학실험1 GPIO

할 수 있었다. 처음 시뮬레이션 동작 시 LED는 정상 동작 하였으나 주의 표시가 떠서, 저항을 연결해주니 문제가 해결되었다. 저항을 연결하여 회로에서 부하저항이 감소한 부분을 보완 ... );delay(1000);}고찰 및 실험 평가세번째 실험에서는 LED핀이 순서대로 하나씩 켜지는 패턴을 만들었다. 두번째 실험과 동일한 회로를 구성하고 코드만 바꿔주었다. Setup창 ... 는 패턴이 반복되었다.두번째, 세번째 실험을 진행하면서 코드를 여러 번 작성해보고 코드에 따라 회로가 어떻게 동작하는지 알게 되었다. 여러 번의 반복 실험을 통해 아두이노 사용

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.04.01

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2021년 상반기 삼성전자 3급 신입사원 회로개발 자기소개서

되어서 온라인으로 설명회에 참가하게 되었습니다. 저는 20OO년에 OO대학교 전기전자공학부 OOOOOO 연구실을 졸업하시고 삼성전자에서 회로개발을 하고 계신 선배 분과 취업 상담 ... 1. 삼성전자를 지원한 이유와 입사 후 회사에서 이루고 싶은 꿈을 기술하십시오.저는 OO대학교 대학원 전기전자공학부 졸업예정자입니다. 작년 O월에 코로나로 교내 취업설명회가 취소 ... 을 하게 되었고 삼성전자에 입사하고 싶다는 생각을 하게 되었습니다. 그 선배 분에게 제가 집중적으로 물어봤던 것은 반도체 시장의 전망이 앞으로 어떻게 될 것인지에 관한 것이

자기소개서 | 2페이지 | 4,000원 | 등록일 2021.09.01

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삼성전자 메모리사업부 회로 설계 엔지니어 자기소개서/면접자료[최신자료]

삼성전자 메모리사업부 회로 설계 엔지니어 자기소개서/면접자료[최신자료] 모음입니다.합격한 자기소개서이며, 면접 자료는 진행방식과 면접족보로 이루어져있습니다.면접족보는 입사선배

자기소개서 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.07.19

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기초전자회로실험 실험 11,12 예비보고서 (직류회로 설계 , 전압분할 회로)

학과:학번:이름:각 실험 내용에 대한 이론적 배경과 목표를 요약하시오.가지전류실험 6의 직렬회로 실험에서 전류가 흐르기 위해 폐회로가 형성 되어야 하며 회로가 개방되면 전류 ... 는 흐르지 않으며 직렬회로내의 전류는 어디든 동일하다는 사실을 확인하였다.위 그림은 저항이 병렬로 연결되고 그양단에 전압이 V가 인가된 회로이다. 총 전류 I_T는 전원으로부터 3개 ... 의 저항을 통해 흐른다. 여기서 저항 R1을 제거하면 전류계로 측정되는 전원 전류는 감소할 것이다. 만약 R2를 다시 제거하면 R3의 단순한 직렬회로가 되어 전류는 더 감소할 것이

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.05.25

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충북대 전자회로실험 실험 4 다이오드 응용 회로 2 예비

전자 회로 실험 Ⅰ예비 보고서- 실험 4. 다이오드 응용 회로 Ⅱ -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.4.11. 실험 목적(1) 배전압기와 딕슨 차지 펌프 회로의 동작 ... 을 이해하고 입출력 전압 파형을 측정한다.(2) 한계회로의 동작을 이해하고 입출력 전압 파형을 측정한다.2. 이론2.1 배전압기(Voltage Doubler) (a) 플로팅 노드 ... 를 가진 커패시터에서의 전압 변화 (b) 직렬 연결된 커패시터에서의 전압 분배은 커패시터의 동작 특성을 설명을 위한 회로이다. 에서는 입력 전압(V _{IN})이 변해도 출력 전압

리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.03.08

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[전자회로] 01. 전계효과 트랜지스터(FET) 노트 정리

시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.18 | 수정일 2021.09.11

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충북대 전자회로실험 실험 4 다이오드 응용 회로 2 결과

전자 회로 실험 Ⅰ결과 보고서- 실험 4. 다이오드 응용 회로 Ⅱ -교수님조5학과전자공학부학번이름제출일자2021.4.81. 실험 결과1.1 배전압기(Voltage Doubler ... 한다. 입력 전압(V _{IN})과 출력 전압(V _{OUT}) 파형 그래프를 그리시오.1.3 한계회로 (Limiting Circuit)(1) 의 한계회로를 구성하고, 입력 전압(V ... 노드의 전압이 변하면 반대 쪽 플로팅노드의 전압이 동일하게 변하는 특성을 알고 두 특성을 이용하여 딕슨 차지 펌프 회로를 구현할 수 있어야했다. 또한 다이오드는 온-전압 크기

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.01.05 | 수정일 2022.01.11

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[지방대.합격] 삼성전자인턴 메모리사업부 회로설계 최종합격 자기소개서

라고 생각합니다. 늘 삼성전자 엔지니어를 꿈꾸며 살아왔습니다. 세계 No.1 스펙의 메모리를 설계하며 최고의 회로 개발자로 성장하고 싶었기 때문입니다. 4차 산업혁명의 도래로 메모리 ... 을 갖추기 위해서였습니다. 그 결과 회로이론, 물리전자, 논리회로, 전자회로 등의 전공을 깊이 이해할 수 있었으며 평균 학점 4.35/4.5의 성적을 유지할 수 있었습니다.셋째 ... , 다양한 회로 관련 교과목들을 수강했습니다. 전자회로설계를 수강하며 OrCAD로 Op-amp 응용 회로들을 설계했습니다. Good Bias, 고주파 왜곡 조건을 이해하고 원하는 성능

자기소개서 | 3페이지 | 5,000원 | 등록일 2023.05.05

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전자회로실험 JFET 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 결과레포트

실험결과 보고서실험 목적JFET과 MOSFET의 여러 가지 바이어스 회로를 구성하고 분석함으로써 직류 바이어스에대한 개념을 몇확하게 이해하고 실험을 통해 이를 확인한다FET 이란 ... 의 자기 바이어스 실험(1) 위와 같은 회로를 구성한다(2) 표시된 전압, 전류값을 측정하여 측정값을 기록한다JFET의 전압분배 바이어스 실험(1) 위와 같은 회로를 구성한다(2) 표시 ... 된 전압, 전류값을 측정하여 측정값을 기록한다공핍형 MOSFET의 제로 바이어스 실험(1) 위와 같은 회로를 구성한다(2) 표시된 전압, 전류값을 측정하여 측정값을 기록한다증가

리포트 | 9페이지 | 3,000원 | 등록일 2022.10.05 | 수정일 2022.10.11

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[원광대학교] 2학년 전자회로 2학기 과제

시험자료 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.02.08 | 수정일 2024.02.16

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전자회로실험 레포트 5장 예비레포트

전자회로실험05. 접합 다이오드의 단자 특성과 제너 다이오드의 단자 특성1.목적-접합 다이오드의 단자 특성과 제너 다이오드의 단자 특성을 실험을 통해 이해하기 위함2.기기 및

리포트 | 1페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.04.29

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[전자회로실험]MOSFET 기본특성 결과보고서

.xml전자회로실험 결과보고서MOSFET 기본 특성실험 결과이번 실험에서는 NMOS의 경우에만 실험을 진행한다.(1) PSpice의 실험 결과수식입니다.R _{D}의 값이 약수식 ... 영역인가?최대의 전류가 흐르는 포화 영역을 증폭기로 사용하기에 적합하다...FILE:Preview/PrvText.txt< 전자회로실험 결과보고서 MOSFET 기본 특성 > ... 하여수식입니다.10 rm k ohm으로 구성한다. 실험회로는 [그림 7-1]과 같다.그림입니다.원본 그림의 이름: CLP00003f0071c9.bmp원본 그림의 크기: 가로

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2023.12.04

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