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전자회로실험 전자공학과 mosfet 특성 충북대 기초전자공학 멀티바이브레이터 고급 자동제어실험 메모리 회로
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"전자과실험" 검색결과 341-360 / 3,300건

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    실험13_전자회로실험_예비보고서_공통 게이트 증폭기
    [실험13. 공통 게이트 증폭기]1. 제목- 공통 게이트 증폭기2. 실험 절차실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 6V, 값을 4V로 두고, 저항 값이 2kΩ인 경우 ... 곡선을 그리시오.포화 영역에서 회로가 동작하는 경우 MOSFET의 트랜스 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1 ... 게이트 증폭기 회로의 입력- 출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득을 구하고, 크기와 위상을 고려하여 입력전압(), 출력 전압 파형을 캡처하여 기록하라.실험회로 1의 입력
    리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    실험12_전자회로실험_결과보고서_소오스팔로워
    제목- 소오스 팔로워실험 결과- 회로 사진 및 결과 사진공통 소오스 증폭기 회로이번 실험에서는 실험과정에서 이상과 현실이 다른 점과 장비의 한계 등을 이유로 책의 실험 절차 ... 와 다른 실험 과정으로 진행되었다., 으로 제시 되었고, 해당 회로에서 , 를 측정한다.가 까지 씩 증가시키면서 를 측정한다.3번과정은 생략되었다.전압 이득이 1에 가깝게 나오 ... 는지 오실로스코프로 입출력 파형을 측정하여 찾는다.AC전압을 인가하며 입출력 임피던스를 구한다[실험회로1]전압측정값* , 일 때, , 값은 위와 같다.전압측정값* 가 까지 는 인가 전압
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    실험11_전자회로실험_예비보고서_공통소오스증폭기
    [실험11. 공통 소오스 증폭기]1. 제목- 공통 소오스 증폭기2. 실험 절차실험회로 1에서 값을 12V, 값을 0V, 값을 4V로 두고 저항 값이 2kΩ인 경우 의 DC 값 ... 컨덕턴스 값, 출력 저항 를 구하여 표에 기록하시오. 이를 이용하여 소신호 등가회로를 그리고, 실험회로 1의 공통 소오스 증폭기의 이론적인 전압 이득을 구하시오.전압 이득이 최소 10V ... /V 이상 나오는지 실험하기 위해서 입력에 10kHz의 0.01 정현파의 입력 전압을 인가한다. 이때 공통 소오스 증폭기의 입력- 출력 전압의 크기를 표에 기록하여 전압 이득
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    실험9_전자회로실험_예비보고서_MOSFET 기본특성
    [실험09. MOSFET 기본 특성]1. 제목- MOSFET 기본 특성2. 실험 절차[NMOS]실험회로 1에서 를 10k으로 고정하고, 는 12V로 고정한 상태에서 에 6V ... 에 기록하시오. 동작 영역을 확인하기 위해 전압도 같이 기록하시오.표를 바탕으로 그래프를 그리시오. 또한 그래프로부터 문턱 전압()을 구하시오.[PMOS]실험회로 2에서 를 10k ... ()을 구하시오.붙임실험회로 1실험회로 23. 실험에 대한 이론- 예비보고사항NMOS와 PMOS의 기본적인 동작 원리를 설명하시오.소스와 드레인 단자 사이의 전압 및 전류 흐름을 제어
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    실험17_전자회로실험_예비보고서_능동부하가 있는 공통 소오스 증폭기
    [실험17. 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기]1. 제목- 능동 부하가 있는 공통 소오스 증폭기2. 실험 절차실험 16에서 결정한 와 값을 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 입력 ... -출력의 DC 전압 레벨이 원하는 만큼 나오는지 확인한다.실험 16에서 와 값을 바탕으로 공통 소오스 증폭기의 입력 전압을 에서 까지 단위로 변화시키면서 생성되는 출력을 측정 ... 는 DC 전류를 측정한다. 출력 저항을 측정하기 위해 입력에 를 인가하고, 출력 쪽에 DC 전압을 변화시키면서 출력 쪽에 흘러 들어가는 DC 전류를 측정한다.실험회로 1붙임3. 실험
    리포트 | 4페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    실험9_전자회로실험_결과보고서_MOSFET 기본특성
    제목- MOSFET 기본특성실험 결과- 회로 사진 및 결과 사진NMOS[실험회로1] (= ∞ 인 경우)파형 결과* 실험 1-1번의 경우, 실험에 사용가능한 저항 중 가장 낮 ... 은 저항 2개를 병렬 연결하여 저항을 입력 측에 사용하였다. 에 를 인가 하고, 에 를 인가하였을 때 출력 전압이 가 나오도록 실험을 하였으나, 이와 같은 방법으로 출력 전압을 측정 ... 하게 증가하므로 포화 영역이다., 일 때, 와 및* 본 실험은 값을 0까지 변화를 줘야 했으나, 에서만 측정한 상태로 실험이 마무리 됨PMOS실험회로 2전압* 실험 2-1번의 경우
    리포트 | 10페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.01.09
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    JFET 및 MOSFET 바이어스 회로 실험 예비레포트
    JFET 및 mosFET바이어스 회로 실험14.1 실험 개요(목적)JFET과 MOSFET의 여러 가지 바이어스 회로를 구성하고 분석함으로써 직류 바이어스에 대한 개념을 명확 ... 하게 이해하고 실험을 통하여 이를 확인한다.14.2 실험원리 학습실fet(field effect transistor)BJT(Bipolar Junction Transistor; 쌍극 ... 하여 Multisim 시뮬레이션을 수행하였다.앞선 실험원리에서JFET 자기 바이어스 회로의 정상적 동작을 위해서 가 항상 역방향 바이어스 상태에 있어야 함을 공부하였다. 그러나
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    | 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.10 | 수정일 2022.04.18
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    기초전자공학실험 2 Ohm 의 법칙 예비보고
    . 실험방법 및 순서5.1. 다음과 같은 실험 회로를 구성하시오. 5.2. 전류 i 의 값을 측정하시오.- 0.6836mA 5.3. 두 개의 저항 양단에 걸리는 전압의 크기를 측정
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    | 리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.02.08
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    [전자공학과][대입][수시][대학 전공학과][학과소개][대학 학과가 보인다] 대학 <전자공학과> 소개 자료입니다. 개설 대학 및 졸업 후 진로와 고등학교 때 어떤 과목을 선택해야 하는지 상세히 설명되어 있습니다.
    대학 전공학과 소개?전자공학과전자공학과에서는 고도로 산업화한 정보화 시대에 필수적이라 할 수 있는 전자정보, 반도체, 통신, 컴퓨터 분야에 관한 교육과 연구를 수행하고 있 ... 교육프로그램도 운영하고 있다.?졸업 후 진로통신 분야, 전자 분야, 반도체 분야의 국가기관연구소나 각종 기업체의 연구소, 개발 현장?학생부종합전형 대비 과목전자공학과는 통신, 컴퓨터 ... 을 정립할 수 있는 교과목을 제공하고, 창의적인 설계 능력을 배양할 수 있도록 실험 실습을 강화하였으며 공학교육 인증(ABEEK)프로그램을 실시하며 현장실습을 통한 산업체와의 연계
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    | 리포트 | 2페이지 | 2,500원 | 등록일 2022.06.02
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    전자응용실험 3장 예비 [BJT 출력 특성 측정]
    전자응용실험1실험?. BJT 출력 특성 측정[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과조11조조원제출일2019-03-181. 실험 목적바이폴라 트랜지스터의 소자 성능을 평가하기
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    전자응용실험 14장 결과 [MOSFET 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-06-03실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션5. 실험 ... / 약 3.39E-04>>lambda = 5.99E-02비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고 MOSFET의 특성 ... 을 알아보는 실험이었다. 실험 1번에서는 기판, 소스, 드레인의 표면 농도접합 깊이, 게이트 전극 길이, 두께를 입력하고 MOSFET의 도핑 농도를 시각적으로 볼 수 있는 실험이
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    전자응용실험 12장 예비 [다이오드 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-04-15실험12다이오드 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    병렬 RL회로 결과레포트
    28주차 실험 결과보고서【 병렬 RL회로 】◆ 실험개요본 실험에서는 병렬 RL회로에 대한 전류 페이저를 결정하고, 이에 대한 전류와 전압 사이의 위상각을 측정해본다. 또한 보통 ... 의 유도성 회로가 그것의 이상적인 모델과 다른 이유를 설명해본다.◆ 실험데이터표 28-1표시값측정값전압강하전류계산값R _{1}3.3k OMEGA 3.27k OMEGA 6 V1.83 ... DEGI _{T}와I _{L} 사이45 DEG 43.88 DEG표 28-3주기측정값T시간차TRIANGLE t204mu s25mu s도면 28-1◆ 결과분석 및 결론본 실험은 병렬
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    | 리포트 | 6페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18
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    전자응용실험 13장 예비 [BJT 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험13. BJT 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-13실험 13BJT 특성 시뮬레이션1. 실험 목적1
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    전자응용실험 14장 예비 [MOSFET 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험14. MOSFET 특성 시뮬레이션[예비보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-20실험 14MOSFET 특성 시뮬레이션1. 실험
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    전자응용실험 13장 결과 [BJT 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험13. BJT 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-20실험 13BJT 특성 시뮬레이션5. 실험 방법 및 ... = {I _{C} 차} over {전압차}= -1.9426E-15V _{A} (얼리전압)= {I _{C}} over {Slope}= 3.875비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 ... 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고 BJT의 특성을 알아보는 실험이였다. 실험 1번에서는 주어진 도핑농도를 시각적으로 어느부분에 얼마나 도핑이 되어있는지 확인
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    전자응용실험 12장 결과 [다이오드 특성 시뮬레이션]
    전자응용실험1실험12. 다이오드 특성 시뮬레이션[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-05-13실험 12다이오드 특성 시뮬레이션1) 그림 12.4
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    전자응용실험 11장 결과 [PISCES 사용법]
    전자응용실험1실험11. PISCES 사용법[결과보고서]과목명전자응용실험1담당 교수학과전자공학부조이름제출일2019-04-29실험 11PISCES 사용법5. 실험 방법 및 결과기초 ... 을 이용하여 그려라.비고 및 고찰이번실험은 PISCES 입력 파일에 소자 구조, 도핑 농도, 전압 등의 정보를 주고, 전위, 전자 및 정공의 농도분포를 구하고 주어진 바이어스에 대한 ... 전류를 구하는 실험이였다. 첫 번째 실험인 도핑농도를 구하는 실험에서 예제파일에 있는 것을 먼저 시뮬레이션 해보았는데 N-P접합이 0.1um 값을 주어서 그래프에서 가장낮은 부분
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    | 리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.11.15
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    컬렉터 특성 및 트랜지스터 스위치 실험
    컬렉터 특성 및 트랜지스터 스위치 실험5.1 실험 개요(목적)트랜지스터에서 를 매개변수로 하여 및 와의 상관관계를 실험적으로 측정하여 컬렉터 특성곡선군을 결정하고, 트랜지스터 ... 의 스위칭 작용에 대하여 이해한다.5.2 실험원리 학습실컬렉터 특성과 트랜지스터 스위치컬렉터(Collector)트랜지스터 전극의 하나로, 베이스(Base)와 이미터(Emitter ... 을 수행하였다.컬렉터 특성곡선을 얻기 위해 구성한 오른쪽의 회로도를 분석해보자. 본 실험은 매개변수 를 통해 와 의 관계를 그래프로 도시하고 결과적으로는 컬렉터의 특성곡선에 대한
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    | 리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.10 | 수정일 2022.04.18
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    기초전자공학실험-중첩의 정리
    기초전자공학실험 리포트조 : 3조과목명 : 기초전자공학실험교수명 :학 과 :학 번 :작성자 :실험 8. 중첩의 정리1. 실험목적중첩의 정리를 실험적으로 입증한다.2. 이론1 ... 작다고 하면, 전압원은 단락회로로 대체될 수 있다. [그림 2]는 V2를 단락회로로 대체한 회로도이며, 이 회로는 하나의 전압원 V1을 갖는 직-병렬 회로이다. 앞의 실험 ... 있다.[그림 1의 회로 중 V2를 단락시킨 회로 / 그림2] [그림 1의 회로 중 V1를 단락시킨 회로 / 그림3]3. 실험 과정이 실험은, 실험 7(망로전류를 이용한 회로해석
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.29
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2025년 11월 08일 토요일
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- 한국인의 가치관 중에서 정신적 가치관을 이루는 것들을 문화적 문법으로 정리하고, 현대한국사회에서 일어나는 사건과 사고를 비교하여 자신의 의견으로 기술하세요
- 작별인사 독후감
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