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"회로이론" 검색결과 321-340 / 30,624건

  • (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 논리회로실험 결과보고서 1
    한다.위 IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학부제출일:과목명: 논리회로실험교수명:조교명:분 반:학 번:성 명:전자공학부0) 실험 ... 하여 입력에 따라 원하는 결과가 출력되는 회로를 만들 수 있다.1) 실험 과정 및 결과실험1- AND gate 실험결과결선도 [실험(1), 실험(2)]실험 결과A=0V, B=0V, C ... gate와 같은 결과를 얻도록 회로를 구성할 수 있었다.- OR, NAND, NOR gate 실험결과TypeResult3-input ORA=0V, B=0V, C=0VA=0V, B
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.10.24
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    [A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Active Filter
    - 이상적 OP Amp Op amp는 연산 증폭기라고도 하며, 트랜지스터들로 구성된 차동 선형 증폭기이다.OP amp는 적분, 가산, 미분과 같은 수학적인 연산을 회로에 적용 ... 은 음의 무한대 값이 나온다. 또 다른 특징은 이상적인 OP amp의 입력 저항이 무한대로 나온다. 그러므로,입력 단자에 다른 회로를 연결한다고 해도 입력 단자로 흐르고 있는 전류 ... 는 항상 0으로 나온다. 또, 이상적인 OP amp의 출력 저항의 값은 0으로 나온다. 그래서, 출력 회로에 아무리 다른 회로를 연결하여 전류가 흐른다고 해도 이것에 의한 전압강
    리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.05.20
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    회로이론및실험1 8장 테브넌 노턴 등가회로 A+ 결과보고서
    회로이론 및 실험 1 결과보고서- 실험명 : 제 8장 Thevenin/Norton 등가회로1. 실험 결과위 사진의 회로를 Thevenin 등가회로로 바꿨을 때V _{Th ... } `=`3.72[V],R _{Th} `=`5300 ohm 의 값이 나왔다. 부하저항에 최대의 전력을 전달하기 위해서는 부하저항의 값이 테브난 등가회로의 저항의 값과 같은 값이여야 한다 ... mW1.142kOMEGA 5.111V _{}4.570mA23.35mW1.7kOMEGA 5.632V _{}3.285mA18.501mW이론값에서 구한R _{Th} =386.6 OMEGA
    리포트 | 1페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.03 | 수정일 2024.04.04
  • [A+, 에리카] 회로이론응용및실험레포트 3. Capacitor 및 Inductor의 특성(과도상태 특성)
    ① 함수발생기함수발생기는 그 명칭과 같이 여러 가지 형태의 함수를 발생시키고 이를 전압 형태로 Output 단자를 통해 출력하는 장치이다. 함수발생기가 발생시킬 수 있는 함수는 sine, square, ramp, pulse 등이 있다.② 오실로스코프오실로스코프(osci..
    리포트 | 8페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.09.03 | 수정일 2023.09.11
  • (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 전자회로실험 설계수정제안서1
    한다.위 IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학부제출일:과목명: 전자회로실험교수명:조교명:분 반:학 번:성 명:전자공학부설계1 ... ) 설계 사양 - 다음 조건을 벗어나지 않는 C 측정 회로를 설계한다.Supple voltage≤ 15VCapacitance error≤ 10%Current consumption≤ 5 ... 다. 4개의 임피던스를 마름모꼴로 접속하고, 마주 보는 노드를 브리지 한 회로이다. 브리지가 평형 상태가 되면 마주보는 임피던스의 곱은 서로 같게 되며 검출기 분기에 전류가 흐르지 않
    리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.24
  • (A+/이론/예상결과/고찰) 아주대 전자회로실험 설계수정제안서2
    한다.위 IEEE 윤리헌장 정신에 입각하여 report를 작성하였음을 서약합니다.학 부: 전자공학부제출일:과목명: 전자회로실험교수명:조교명:분 반:학 번:성 명:설계2. CMOS ... 에 의한 것이며, 바이폴러 트랜지스터나 기타의 회로부품을 사방 수mm의 실리콘 소편으로 형성한 집적회로가 주류를 이룬다.CS amp는 source 단자를 ground에 묶어 놓 ... 은 amplifier로서 입력은 gate, 출력은 drain에 연결된다. 보통 이 회로에는 3 개의 capacitor가 추가적으로 붙는다.1. 첫 번째는 입력단에 붙는데, 이는 입력신호
    리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.10.24
  • 회로이론
    직류회로의 기본공식①전류 :I = Q over t[C/sec],i =int q(t) dt[A]②전압 :V = W over Q[J/C]③오옴의법칙 :V = RI※ 오옴의법칙의 이해 ... L over A = rho L over pir^2 = rho 4L over pid^2[Ω]기본교류회로의 해석①각속도(각주파수)omega = 2pi over T = 2 pi f ... 21.411.41구형파V_mV_m11④ 기본교류 회로소자의 응답구분직렬임피던스위상각실효전류위상R-Lroot {R^2 + ( omega L)^2}tan ^-1 omegaL over
    시험자료 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.02.25 | 수정일 2020.10.22
  • 판매자 표지 자료 표지
    회로이론및실험1 5장 전압 분배기와 전류 분배기 A+ 예비보고서
    회로이론 및 실험 1 예비보고서- 실험명 : 제 5장 전압 분배기와 전류 분배기I. 실험 이론-전압 분배기높은 전압을 갖는 전압원으로부터 필요한 다수의 출력 전압원을 얻기 위한 ... 회로를 전압 분배기라고 한다. 전압 분배기를 응용하면, 복잡한 회로의 해석에 유용한 장점이 있다. 전압 분배기는 전압원에 두 개 이상의 저항을 직렬 연결하여 만들 수 있다.직렬연결 ... 므로 전압을` {R _{2}} over {R _{eq}}의 비로 분배한다.-전류 분배기여러 개의 저항이 병렬로 연결된 회로에서는 분기점에서 각 저항이 연결된 가지로 전류가 나뉘
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.02
  • 판매자 표지 자료 표지
    회로이론및실험1 5장 전류분배기와 전압분배기 A+ 결과보고서
    회로이론 및 실험 1 결과보고서- 실험명 : 제5장 전류 분배기와 전압 분배기1. 실험 결과- 전압 분배기저항 4개를 직렬로 연결하여 전압 분배기를 만든 회로이다15VR _{T ... 회로이다.가변저항의 값을 증가, 혹은 감소시키며 전류값을 측정한 결과 가변저항의 값이 증가할수록 측정되는 전류의 값이 줄어들고, 가변저항의 값이 감소할수록 측정되는 전류의 값 ... 다. 이를 통해, 저항이 직렬로 연결된 회로에서 전압은 저항의 크기에 정비례함을 알 수 있다. 이를 활용하여 저항의 크기에 비례하는 전압을 분배하는 전압 분배기를 만들 수 있는 것
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.03 | 수정일 2024.04.04
  • 판매자 표지 자료 표지
    소오스 팔로워 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤
    7000(NMOSFET) (1개)• 저항• 커패시터• 브레드보드3. 배경 이론아래 그림과 같이 소스 팔로워 회로에서 입력은 게이트 단자에 인가되고, 출력은 소스 단자에서 감지 ... 의 DC 레벨에서 만큼 떨어진 전압이 나오기 때문에, 로서도 동작할 수 있다.아래 그림은 저항 부하가 있는 소오스 팔로워의 전압 이득을 구하기 위한 소신호 등가회로이다.아래 식 ... 과 같이 소오스 팔로워의 전압 이득은 양의 값을 갖고, 그 값은 1에 가까움을 알 수 있다.[그림 12-3]과 같이 전류원 부하가 있는 소오스 팔로워 회로의 전압 이득을 구하면 아래
    리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28
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    BJT의 기본특성 [A+/PSpice/배경이론(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤
    서플라이▸ 디지털 멀티미터▸ 오실로스코프▸ 함수 발생기▸ Q2N4401(npn형 BJT) (1개)▸ 저항▸ 커패시터▸ 브레드보드3. 배경 이론BJT는 p형과 n형 반도체 3개를 결합 ... 함수이므로 전류가 많이 변화해도 의 전압은 크게 변하지 않는다[그림 4-8]은 npn형 BJT의 컬렉터 전류와 컬렉터-베이스 전압의 관계를 알아보기 위한 회로이며, [그림 4-9 ... 도 A에서 B로 증가된다.[그림 4-10]은 npn형 BJT의 관게를 구하기 위한 회로이며, [그림 4-11]은 npn형 BJT의 그래프이다.이다. 즉 인 경우, 이면 능동 영역
    리포트 | 21페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28
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    회로이론및실험1 9장 망 해석법과 마디 해석법 A+ 예비보고서
    회로이론 및 실험 1 예비보고서- 실험명 : 제 9장 망 해석법과 마디 해석법I. 실험 이론망 전류는 망의 둘레에만 존재하는 전류이며, 회로도에서는 적절한 망의 둘레를 따르는 폐 ... 시킨다. 망이 겹치는 부분은 선형 회로의 성질의 의해 각 망 전류의 선형 합으로 전류를 계산한다.Ⅱ. 실험 회로 분석* 실험 1각각의 망 전류 예측값은 다음과 같다.i _{a} `=`8
    리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2024.04.02
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    실험 3 예비보고서. 변압기 등가회로(A+/pspice/배경이론) - 엄청 자세함
    회로를 구하고 부하에 따른 변압기의 전압 변동율(voltage regulation)과 효율을 계산해본다.1.2 설계 이론개방회로 시험전기기기 특히 변압기나 교류 전동기 또는 교류 ... 과 같이 정의한다.1.3 설계장비 및 부품4. 실험4-1 개방회로 실험이번 개방회로 실험은 앞의 이론에서 설명 하였듯이 변압기의 2차 측을 개방 시키게 되면 2차 측에 흐르는 전류 ... 는 , 그리고 정격 2차 전압 에 만큼 뒤지므로,가 된다. 이때, 앞서 이론 단계에서도 언급하였지만, 아래의 회로를 잘 보았을 때, 가 되는 것을 알 수 있다. 이 식에 위의 값들을 대다.
    리포트 | 49페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.12.17
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    [A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,Capacitor 및 Inductor의 특성
    Chapter 1. 관련 이론(Theoretical Background) 1. Capacitor 커패시터는 내부에 있는 전기장에 에너지를 축적하는 전자부품이다. 서로 평행 ... 성도 있기 때문에 전압의 방향이 바뀌지 않는 실험에서만 사용되어야 한다. 그리고 탄탈 커패시터도 극성이 존재하지만, 파괴될 때 회로가 열리지 않고 short 되어서 비교적 안전
    리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.05.20
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    [A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트,회로이론응용및실험,OP Amp의 기본 특성
    Chapter 1. 관련 이론(Theoretical Background) 이상적 OP Amp Op amp는 연산 증폭기라고도 하며, 트랜지스터들로 구성된 차동 선형 증폭기이 ... 다. OP amp는 적분, 가산, 미분과 같은 수학적인 연산을 회로에 적용할 수 있으며, 생 활속에서는 오디오 증폭기, 비디오 등에 많이 사용되고 있다. OP amp의 표기법은 아래 ... . 그러므로, 입력 단자에 다른 회로를 연결한다고 해도 입력 단자로 흐르고 있는 전류는 항상 0 으로 나온다. 또, 이상적인 OP amp의 출력 저항의 값은 0으로 나온다. 그래서
    리포트 | 9페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.05.20
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    [A+보장]한양대에리카A+맞은 레포트, 회로이론응용및실험_Capacitor 및 Inductor의 특성
    Chapter 1. 관련 이론(Theoretical Background) 1. Capacitor 커패시터는 내부에 있는 전기장에 에너지를 축적하는 전자부품이다. 서로 평행 ... 성도 있기 때문에 전압의 방향이 바뀌지 않는 실험에서만 사용되어야 한다. 그리고 탄탈 커패시터도 극성이 존재하지만, 파괴될 때 회로가 열리지 않고 short 되어서 비교적 안전
    리포트 | 6페이지 | 2,500원 | 등록일 2024.05.20
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    MOSFET 기본 특성 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤
    CP 사용)▸ 브레드보드3. 배경 이론MOSFET에서 MOS는 ‘Metal Oxide Semiconductor’의 약자로서 구조를 나타내며, FET는 ‘Field Effect ... 고, 아래 식과 같다.4. 실험 회로 및 실험 절차아래 그림은 NMOS의 전류-전압 특성을 측정하기 위한 회로이다. 전압을 0V부터 증가시킬수록 NMOS의 동작 영역이 바뀌고, 전류 ... -전압 특성을 측정할 수 있다.-실험 절차(1) 실험회로 1에서 를 10kΩ으로 고정하고, 는 12V로 고정한 상태에서 에 6V의 DC 전압을 인가하고, 전압이 6V가 되는 를 구
    리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.19 | 수정일 2024.02.28
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2025년 07월 02일 수요일
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