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"고온메모리" 검색결과 321-340 / 389건

  • 진정한 반도체강국으로 탐방계획서
    제품을 만드는데 다용도로 사용된다.▷세계시장과 우리나라의 현수준이 실리콘메탈(MGS)은 보통 이산화물인 SILICA를 전기로에서 1800℃의 고온하에서 탄소로 환원시켜 제조하기 ... 설계황에 조기 대응할 수 있는 투자전략을 구사하여 강점인 생산성 위를 지키면서 차세대 반도체 기술을 확보해야 한다. 또한 메모리 칩 일변도인 제품 구성을 비메모리 쪽으로 전환 ... - 개발 (R & D)우리나라의 매출 대비 R&D투자비율은 경쟁국에 비해 비슷하거나 다소 낮은 상황이다. 우리나라는 메모리 분야의 차세대 제품 조기 개발 능력에서 경쟁국에 우위
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.06.05
  • 유비쿼터스의 예 DMB, DVB 등
    시장을 급속히 대체할 것입니다" 코엑스에서 열리고 있는 한국국제공장자동화대전을 참관하기 위해 방한한 산업용 RFID 솔루션업체인 `에스코드 메모리 시스템스(EMS)의 루치아노 ... 사장은 "바코드는 가격이 저렴하기는 하지만 담을 수 있는 정보의 양이 제한돼 있고 고온 및 불순물등 외부환경에 쉽게 훼손되기 때문에 자동차, 조선, 식음료 등의 공장자동화에 적용 ... 하는데는 한계가 있다"며 "일례로 도장 작업 후 섭씨 200。C가 넘는 고온처리과정을 거쳐야하는 자동차 공장의 경우에는 바코드를 적용할 수 없다"고 설명했다.그는 세계적인 HDD
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    | 리포트 | 11페이지 | 1,500원 | 등록일 2006.08.31
  • [전자회로] 반도체 공정
    반도체 메모리에 있어서 산화는 매우 중요한 공정에 속한다.-공기 중에 웨이퍼가 노출되면, 공기 중의 산소와 수분에 의하여 실리콘 웨이퍼 위에 산화막이 만들어지는데 이를 ‘자연 산화막 ... 에서 진행된다.수증기나 산소를 고온릐 웨이퍼 부근 에 유도해서, 이수증기나 산소와 실리콘이 반응하여 실리콘 표면에 실리콘 산화막이 생기게 한다.(6)이온 주입-확산처럼 불순물을 주입 ... 는 반도체 메모리 제조에 널리 쓰인다. 3가나 5가의 불순물을 분자 가속기를 이용해서 웨이퍼 표면에 때려 넣는다. 확산의 경우처럼 집어 넣을 부분과 집어 넣지 않을 부분의 구분은 사진
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.03.26
  • [신소재]나노 복합체의 응용
    다.응용범위로는 아래와 같다.▷ Automobile: Space, Engine blocks, Piston rods, Frames 셀폰, 메모리 백업장치,Hybride 전기자동차, 의료 ... 합금은 수백도의 고온에서 강화된 이후 높은 보자력을 갖는 것으로 알려져 있다. 이 점을 이용하기 위해 개별적 결정립들을 효과적으로 고립시켰으며 탄소가 그 역할을 하고 있다. 따라서
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.11.24
  • 화재 시뮬레이션, 피난 시뮬레이션, FDS
    반량의 컴퓨터 메모리 및 비효율적일 정도로 많은 계산시간이 요구된다. 한편, 필드모델에서 얻어진 결과는 온도 및 유체의 유동에 관한 상세한 정보를 얻을 수 있으며, 연기의 유동 ... 이 중요한 인자이거나. 복잡한 공간의 경우에 화재 및 연기의 변화를 비교적 잘 묘사할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 지하1층에서 화재가 발생한 경우를 가정하여 지하층에서의 고온 열기
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.18
  • [시사,경제,이슈]태양광에너지에 관하여. -태양,시사,이슈,경제
    과 사막화, 고온으로 인한 전염병 창궐, 홍수 및 태풍 피해도 경고되고 있다.표1. 지구 온난화의 위협그림1. 온난화로 변하게 될 2050년 지구그림2. 지구 평균기온과 대기중 ... . 지역별 태양전지 시장규모 (05년 기준)그림14. 국가별 태양전지 모듈/셀 생산량(1995~2005년)b. 우리나라도 LCD, 반도체기술 바탕으로 수출산업화 가능우리나라은 메모리 반도.
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    | 리포트 | 12페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.06.13
  • PIV/PTV
    기사이의 케이블을 제거하기 위해 영상 메모리와 카메라를 일체화시키는 방법 등이 있다.1.5 추적입자PIV를 이용한 측정 시 정확도는 연속적인 영상들에서 유동의 순간적인 움직임 ... 에 있어서 입자의 직경은 더욱 작은 것을 사용함을 알 수 있다. 고온 유동의 경우에는 Al2O3, TiO2등과 같은 세라믹 재료를 사용한다.입자의 침전속도는 유체의 점도를 구하는 식
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    | 리포트 | 9페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.07.01
  • [재료공학, 전자공학] MRAM과 FRAM
    최근 정보기기의 고속도 및 고밀도, 휴대화가 진행됨에 따라 거대 자기저항(Giant Magnetoresistance, GMR)을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 MR헤드에 관한 ... 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재 활발히 진행되고 있는 비휘발성 메모리 소자로써 FRAM과 MRAM이 있으며, 이와 같은 비휘발성 메모리 소자의 적용분야는 거의 모든 휴대용 정보 ... 의 특성을 나타내는 차세대 메모리 소자로 현재 연구 개발이 진행중이며 일보는 상용화되고 있다.1) MRAM의 기본 원리MRAM은 미소 자성체의 스핀을 정보원으로 하는 비휘발성 고체
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.01.16
  • 소성가공의 특성과 향후 발전 및 기술적 문제점
    간단히 알아보도록 하겠다. ‘전방향 형상기억합금’은 2방향 형상효과를 가지면서 실온이하의 더욱 낮은 온도로 냉각하면 고온에서의 형상과 반대의 형상이 나타나는 합금이다.‘의탄성효과 ... ‘모양’이라는 정보를 기억하는 진기한 메모리 장치이다. 지금까지 살펴 본 것처럼, 곳곳에서 형상기억합금을 이용한 물건이 만들어 지고 있고 그 가장 큰 비중을 차지하는 합금은 니켈
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    | 리포트 | 22페이지 | 2,500원 | 등록일 2007.11.07
  • MEMS 사례발표(DLP)
    , TV,캠코더 뷰파인더 등고온 다결정 실리콘(HTPS) TFT-LCD저온 다결정 실리콘(LTPS) TFT-LCD다결정 실리콘(x-Si)MIM(Metal-Insulator ... 을 표 펜티엄4의 CPU와 대등한 수준이다. 이런 종합적인 프로세싱 과정을 통과한 영상신호는 메모리칩으로부터 매초 50,000~60,000회의 속도로 DMD로 보내어집니다. DMD
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    | 리포트 | 26페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.07.06
  • 레이져란?
    메모리의 크기를 50Kb 내외로 줄일 수 있도록 하고, 복잡한 부동 소수점 연산을 필요로 하는 양자화 기술 등을 단순화하여 성능 저하를 최소화하고 복잡도 요구 사항을 감소시킨 것 ... 의 차이레이저광선은 보통 빛에 비하여 매우 순수하며 퍼지지 않고 곧바로 진행하는 빛이다. 물체를 태울 때 나는 빛이나 형광등에서 나오는 빛은 고온으로 가열된 원자나 분자 하나하나
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    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.04
  • [신소재공학] 자기메모리 기술에 관하여
    『자기메모리 기술』에 관하여1. 서 론. 최근 자성체의 새로운 기술적 응용으로 급부상하고 있는 분야가 자기메모리 (MRAM : Magnetic Random Access ... Memories)기술분야다. 이는 스핀이 전자의 전달현상에 지대한 영향을 미치기 때문에 생기는 거대자기저항(GMR)현상이나 스핀편극 자기투과현상을 이용해 메모리 소자를 구현하려고 시도 ... 하는 것이다. 전자는 비자성층을 사이에 둔 두 자성층에서 스핀방향이 같은 경우보다 다른 경우의 저항이 크게 다른 현상을 이용해 GMR 자기메모리 소자를 구현하려는 것이다. 후자는 절연
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    | 리포트 | 18페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.03.23
  • 초등 ․ 중등 ․ 고등학교 컴퓨터, 전산학 관련 교과과정 연구
    조화 설비산업 설비전자 기계 공작소성 가공화약?발파자원 개발 기계전력 설비Ⅰ전자 기기통신 일반시스템 프로그래밍역학토목 재료?시공건축 구조건축 시공Ⅲ제품 디자인제조 화학고온 세라믹 ... 과세라믹언어의 번역 시스템⑴ 언어 번역 시스템의 개요⑵ 어셈블러⑶ 컴파일러⑷ 링커와 로더라. 운영 체제⑴ 운영 체제의 개요⑵ 운영 체제의 구조 및 기능⑶ 프로세스 관리⑷ 메모리 관리
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    | 리포트 | 22페이지 | 3,500원 | 등록일 2008.02.23
  • [나노공학]나노란?
    에서 만들어진 고온 플라즈마를 플라즈마 Flam으로 분출시켜 원료를 가열,증발시키는 방법 장점 : 1) W,Mo,Al2O3,SiO2등 고융점 저증기압 재료도 안정적으로 증발시킬수 있 ... 형 RobotPost PC디지털TV이동통신디스플레이반도체 (메모리 / SoC)텔레메틱스내장형 S/W디지털 콘텐츠연평균 증가율 : 16.1%2,6284,2423,3474,988 연평균 증가 ... 기술 파급효과생물, 농업 유전자/약물 수송, 원격 진단환경, 에너지 초미세 오염제거, 정화, 동위원소 필터정보기술 자기 메모리, 양자 컴퓨터*Nano
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    | 리포트 | 24페이지 | 1,000원 | 등록일 2005.05.26 | 수정일 2025.01.21
  • [물리] PZT
    많은 연구의 대상이 되어왔다. 특히 최근에는 메모리 소자에 사용하고자 하는 연구가 많이 이루어지고 있는데 이러한 응용은 차후 컴퓨터산업에 있어서 중요한 부분을 차지하리라고 생각 ... 열화는 PZT가 메모리 소자에 응용되어질 수 있는 가능성을 방해하는 요소이다. 최근에 이러한 문제점들에 연구가 많이 이루어져 이러한 특성열화현상이 PZT의 domain 구조와 전압 ... (Ferroelectrics) 라는 재료를 캐퍼시터 재료로 사용하여 전원이 없이도 Data를 유지할 수 있는 비휘발성 메모리라는 점이다. 현재는 비접촉 IC 카드, MP3 플레이어
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    | 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2003.06.22
  • [레포트] PDP & 유기 EL
    가 결정되는 기억 기능(Memory function)이 존재한다. 이러한 기억기능을 이용한 메모리 구동방식에 의해 구동하는 경우에는 초대형의 패널에 대해서도 휘도의 저하 없이 고화질 ... 적으로 고온, 고효율 플라즈마를 만드는 기술 이 필요하다.PDP의 구조­ ITO 전극 (유지/주사전극)방전셀내에서 방전을 일으키고 유지시킴가시광 투과율이 높아야 함, 전극저항이 낮
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.07.12
  • [자성재료] 자성재료
    하게 결합한 불순물을 주입하면 300C 의 고온에서 자성현상을 나타낸다 이 불순물의 양을 조절하여 반도체의 성질을 갖는 자성반도체와 전자구조적 특이성을 구명함 일반적으로 반도체는 기억 ... 정보를 유지하기 위해서는 일정한 전압이 가해져야 하기 때문에 전원이 꺼지면 메모리가 소실되는 한계가 있는 반면 자성반도체는 전원이 꺼져도 자성체의 특성 때문에 정보가 소실되지 않
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    | 리포트 | 12페이지 | 1,000원 | 등록일 2004.04.02
  • [공업화학실험]박막 재료의 표면 처리 및 PR 제거
    은 웨이퍼 표면에 반도체 소자난 IC를 형성하는 제조공정을 일컫는다.. 웨이퍼 생산공정 개요※ 메모리 Device의 경우 64M, 128M, 256M, 1G로 갈수록 상기 세부공정 ... 은 많아지고(1G가 400step ) 회로선폭이 줄어들어 고 집적도가 요구됨. (1G가 0.18㎛)(1) 산화 (Oxidation) 공정 : 고온 (800~1200도) 에서 산소
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    | 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.06.25
  • [화상공학]디스플레이의 현황과 차세대 디스플레이 발전방향
    .................................................28Ⅰ서론2006년 세계 평판디스플레이 시장규모는 500~600억불로 성장할 전망이며, 이는 메모리반도체 시장 550 ... 칩erature Poly-Si) - a-Si TFT를 고온 열처리하여 다결정 Si 스위칭 소자를 형 성한 것으로 a - S i이나 LTPS 대비 스위칭 특성이 우수함. DLP
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    | 리포트 | 28페이지 | 2,000원 | 등록일 2006.06.18
  • [반도체] 반도체 제조공정
    가 발표됨 1968년 MOS 메모리 집적회로가 처음으로 사용 1969년 처음으로 실리콘 게이트 MOS IC사용 1970년 처음으로 MOS를 사용한 계산기 chip이 발표 1977년 ... 800~1200℃의 고온에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼표면과 화학반응시켜 얇고 균일한 실리콘산화막(SiO2)을 형성7. 감광액(PR) 도포빛에 민감한 물질인 감광액(PR
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    | 리포트 | 33페이지 | 2,000원 | 등록일 2004.12.28
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