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"갈륨비소" 검색결과 281-300 / 578건

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  • [첨단기술과인간문명] 반도체에 대해서
    이 주로 사용되었지만 현재는 실리콘에 13족의 붕소(B)나 15족의 인(P)등을 첨가하여 사용한다. 최근에는 13족과 15족의 화합물반도체가 쓰이기도 하며 갈륨비소나 인듐인등이 있 ... 형 반도체가 된다.- 불순물반도체 (N형 반도체)N형 반도체는 진성반도체의 상태에서 비소, 인, 안티몬 등 의 5가 원소(최외각전자가 5개)를 넣어 만든다. 그러면 5가 불순물 원자
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2011.02.12
  • 센서 공학 개론 시험문제
    를 홀 소자 또는 홀 발전기라 한다. 홀 상수가 크고, 온도 의존성이 작은 게르마늄이나 인듐과 안티몬의 화합물(InSb), 갈륨비소의 화합물(GaAs) 등을 사용하며, 되도록
    시험자료 | 5페이지 | 2,000원 | 등록일 2014.07.28
  • LED 횡단보도
    , h는 플랑크 상수, Eg는 금지띠의 에너지폭이며, 비소갈륨의 경우에는 파장이 약 900nm인 근적외광이 나온다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가 ... 에 비소갈륨 p-n접합에서의 고발광 효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었고, 1960년대 말에는 이들이 실용화 단계에 이르렀다.2.1.2 재료 특성발광다이오드에 적합 ... 한 재료로는① 발광파장이 가시, 또는 근적외 영역에 존재할 것② 발광효율이 높을 것,③ p-n접합의 제작이 가능할 것.등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소갈륨, 인화갈륨, 갈륨
    리포트 | 15페이지 | 2,500원 | 등록일 2008.12.16
  • [공학]led
    이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소갈륨 GaAs 인화갈륨 GaP 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs 인화인듐 InP ... 의 에너지폭)와 같으며 비소갈륨의 경우에는 약 900nm인 근적외광이 된다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편 발광파장 ... 발광]라고 하며 1923년 탄화규소 결정의 발광 관측에서 비롯되는데 1923년에 비소갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대
    리포트 | 12페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.11.11
  • 전기치료학_정리
    함으로써 이루어지는 결합★.4가원소 (게르마늄, 실리콘)*p형분순물 - 가전자 3개를 가지고 있는 3가원소(붕소, 갈륨, 인듐)*N형분순물 - 가전자 5개를 가지고 있는 5가원소(안티몬, 인 ... , 비소)*p형반도체(+)/ anode(양극) acceptor(정공/받아드림),*N형반도체(-)/ cathoed(음극) donor(전자기부함)(+) ----▶|--- (
    리포트 | 4페이지 | 5,000원 | 등록일 2012.01.21 | 수정일 2020.01.23
  • [LED]LED란? 프레젠테이션 발표
    ), 갈륨(Ga), 인듐(In) 5족 질소(N), 인(P), 비소(As), 안티몬(Sb) 비소갈륨(GaAs), 인화갈륨(GaP), 질화갈륨(GaN), 질화인듐(InN), 비소화인듐 ... (InAs), 인화인듐(InP) 적색LED 인듐-갈륨-인 (InGaP) 청색LED 인듐-갈륨-질소 (InGaN) 녹색LED 인듐-갈륨-질소 (InGaN)LED의 활용전망소형 및 저
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.31
  • 태양전지
    의 중간값을 취하는것. 반도체의 재료로서는 실리콘, 갈륨비소, 황화카드뮴이 또는 이것들을 복합한 것이 있으나 보통 실리콘이 많이 사용됨3. 태양 전지의 원리태양전지에 태양빛이 닿 ... -Indium-Gallium-Selende : 구리, 인듐, 갈륨, 셀레늄 화합물)/CIS 태양전지로 나눌 수 있다. 이중 1980년대부터 사용화 되기 시작한 a-Si 태양전지가 박막 ... 공정법 두가지가 대표적인 공정으로 알려져 있다.1)증발법단위 원소인 구리,인듐,갈륨 및 셀레늄을 열 증발원을 이용하여 동시에 증발시켜 고온기판에 박막을 형성하는 방법이다. 옆
    리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2010.11.17
  • 도체 반도체 부도체 history
    게 변함, (ex : 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 갈륨비소(GaAs),)?불순물반도체 -고유반도체 물질들에 일반적으로 106에 1개정도의 불순물(3가,5가원소)을 첨가하는 도핑
    리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.11.04
  • 각 재료별 용도 조사
    된다.. GaAs갈륨비소라고 읽으며 갈륨비소를 함유한 다원소 화합물로 실리콘을 대신할 반도체 재료 및 전력소자로 떠오르고 있는 신소재이다. 게르마늄이나 실리콘 등 단원소보다 전자
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.04.05
  • LED의 구조와 원리적 특성 및 미래동향
    근적외영역(近赤外領域)에 존재할 것? 발광효율이 높을 것? p-n접합의 제작이 가능할 것 등의 조건을 만족시키는 것으로서 주로 비소갈륨 GaAs,인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 ... GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP,인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP 등 3 B 및 5 B족인 2원소 또는 3원소 화합물 반도체가 사용
    리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2009.01.14
  • 발광 다이오드(LED)
    으로서 주로 비소갈륨 GaAs, 인화갈륨 GaP, 갈륨-비소-인 GaAs1-x Px, 갈륨-알루미늄-비소 Ga1-xAlxAs, 인화인듐 InP, 인듐-갈륨-인 ln1-xGaxP ... 의 에너지폭)와 같으며, 비소갈륨의 경우에는 약 900nm인 근적외광이 된다. 갈륨-비소-인에서는 인의 함유량 증가에 따라 Eg가 증가하므로 가시발광 다이오드가 된다.한편, ②에서는 ... 의 발광 관측에서 비롯되는데, 1923년에 비소갈륨 p-n 접합에서의 고발광효율이 발견되면서부터 그 연구가 활발하게 진행되었다. 1960년대 말에는 이들이 실용화되기에 이르렀다.발광
    리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.26
  • 태양전지 solar cell에 대한 개론
    형 반도체, P형 반도체 각각 부착된 전극이 부극과 정극이 되어 직류전류를 취하는 것이 가능해진다. 태양 전지 반도체의 재료로서는 실리콘뿐만이 아니라 갈륨비소, 카드뮴텔루르, 황화
    리포트 | 19페이지 | 3,000원 | 등록일 2013.05.27
  • 화합물 반도체(Compound Semiconductor)
    은 원래의 구성 원소 어느 것과도 다르다. 화합물 반도체의 대다수는 직접 천이형으로서 천이 확률이 크기 때 문에 발광 효율이 큰 것이 많다. 대표적인 재료로서 갈륨비소(GaAs ... 갈륨비소는 큰 원형의 단면적을 가진 결정을 얻기 어렵다는 문제가 발생한다. 단면적이 작으면 웨이퍼 면적도 작아서 조금밖에 칩을 만들 수 없다는 경제성의 문제도 있다.현재는 화합물 ... ) 주입형 레이저는 위의 특성을 잘 이용하고 있다. 또 발광 다이오드에 사용되는 인화갈륨(GaP)이나 탄화규소(SiC)는 간접 천이형이며, CuGaSe₂는 3원 화합물의 예이다.Ⅲ?Ⅴ
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.29
  • LED 제조 공정
    을 나타내며, 나머지의 재결합은 열로 변환한다.LED 제조 공정■ 화합물 반도체란두 종류 이상의 원소화합물로 이루어진 반도체 질화갈륨(GaN), 갈륨비소(GaAs), 인듐인(InP ... ), 갈륨인(GaP) : 3-5족 화합물반도체가 주로 이용. (최근 2-6족도 활발히 연구중) -메모리용으로 사용되는 실리콘반도체와는 캐리어의 이동도(移動度), 띠(band)구조등
    리포트 | 46페이지 | 5,000원 | 등록일 2009.06.08
  • 실리콘 태양전지
    밴드갭이 되는 것이다.요약하자면, 원자의 주기적 배열이 밴드갭을 만드는 이유다.?N-type반도체주기율표 5족에 속하는 원소 ( 인, 안티몬, 비소 등)는 최외각 전자가 5개이 ... .?P-type반도체주기율표 3족에 속하는 원소 ( 알루미늄·붕소·갈륨·인듐 등)는 최외각 전자가 3개이며, 이러한 원소소량을 잘 조절하여 진성 반도체 불순물로 첨가하면 진 P
    리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2012.12.11 | 수정일 2014.08.20
  • 반도체가스의 성질과 안정성
    등사용가능스테인리스도부식 당함.보통 유리가사용가능강환원성. 탄소강,SUS,모낼,놋쇠,테플론,바이톤,나이론Kel-F 등사용가능4/9표 5-2 반도체가스의 화학적성질3염화비소디보란3 ... ○○○○○--트리에틸인(C2H5)3P○○○○--트리메칠비소(CH3)3As○○○○○○○○발암성0.05mg/m3as As트리에칠비소(C2H5)3As○○○○○○○○발암성0.05mg/m3as ... As트리메칠길륨(CH3)3Ga○○○○○H2O로 분해-트리에칠갈륨(C2H5)3Ga○○○○○--트리메칠안티몬(CH3)3Sb○○○○○○○○--트리에칠안티몬(C2H5)3Sb○○○○○○○○-
    리포트 | 9페이지 | 2,000원 | 등록일 2010.09.09
  • 도시광산업의 현황과 실태 및 활성화방안0
    일반광물은 물론, 네오디뮴, 티탄, 바륨, 지르코늄, 비소, 갈륨, 인듐, 탄탈 등 각종 희유금속이 포함돼있어 이를 추출해 재활용하면 무역수지나 자원안보 차원에서 대단히 유용한 것 ... 에 있다.도시광산업은 미래산업이다. 희소금속을 제대로 확보하지 못하면 휴대폰 등 첨단제품의 원가부담이 급증해기업 입장에선 그만큼 경쟁력을 잃게 된다. 한국의 경우갈륨(Ga), 인듐
    리포트 | 17페이지 | 4,500원 | 등록일 2011.10.20
  • 반도체재료
    구조반 도 체 결 정 구 조zinc-blende(섬아연광) 구조 Zinc-blende 구조는 서로다른 두개의 원자에 각각의 원자는 서로 FCC 구조를 지님 갈륨비소등 화합물반도체 ... InSb인 화합물 비소 화합물 안티몬 화합물질소족 화합물PbTe Sb2Te Bi2Te3텔루화물ZnSe CdSe PbSe셀렌화물AgS ZnS CdS PbS Sb2S3 MoS2황화물CuO ... 다.흔히 쓰이는 고유반도체.`온도에 따라 전기전도도가 크게 변한다.`규소(Si), 게르마늄(Ge), 비소갈륨(GaAs)II. 원소 반도체의 재료4족 원소 (탄소·규소·게르마늄·주석·납
    리포트 | 17페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.10.20
  • [광양자설][광자설][광검출기][광리소그래피][광디스크]광양자설(광자설), 광검출기, 광리소그래피, 광디스크, 광채널, 광탄성, 광자결정, 광전효과, 광로관, 광속, 광도법 분석
    한 파장만을 검출할 수 있다. 반도체 광검출 소자로는, 다이오드형 광검출소자와 광전도체형 광검출소자가 있다. 검출기를 만드는 데 주로 사용되는 반도체 재료로는 실리콘과 갈륨비소 등이 있
    리포트 | 12페이지 | 5,000원 | 등록일 2013.03.27
  • 어뎁터;adaptor(예비+결과)
    을 이루게 한 것이다. 반도체로서는 실리콘 ·게르마늄의 단결정들이 사용되고 있었으나 근래에는 갈륨비소(비소갈륨:GaAs)와 같은 전자이동도가 큰 화합물 반도체를 사용함으로써 밀리 ... 라고 한다.반도체 다이오드는 게르마늄이나 실리콘[비소]과 같은 반도체 결정표면에 텅스텐 또는 백금합금과 같은 금속제 침(針)의 첨단을 접촉시킨 구조로 되어 있다. 구조가 간단하고 값
    리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.17
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2025년 06월 06일 금요일
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