"전자회로기초"의 검색결과 입니다.

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기초전자회로실험 기초전자공학 rlc회로 학사편입 rlc 공진회로 pspice pspice 미분회로 중첩의 원리 결과 중앙대 편입 충남대 전자 편입

"전자회로기초" 검색결과 261-280 / 6,955건

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[A+ 4.5 예비레포트] 기초전자공학실험 - JFET 특성, JFET 바이어스 회로(PSpice 포함)

제목● JFET 특성● JFET 바이어스 회로실험 목적● JFET 트랜지스터의 출력 특성, 드레인 특성, 그리고 전달 특성을 구한다.● 고정 바이어스, 자기 바이어스, 전압 분배 ... 기 바이어스 JFET 회로를 분석한다.실험 장비1. DMM2. 저항 ( 100, 1 , 10 , 15 , 1 ) / ( 1 , 1.2 , 2.2 , 3 , 10 , 1 전위

리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.04.20

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[A+ 45 예비레포트,PSpice포함] 기초전자공학실험 - 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로

제목● 달링턴 및 캐스코드 증폭기 회로실험 목적● 달링턴 및 캐스코드 연결 회로의 직류와 교류 전압을 계산하고 측정한다.실험 장비1. 계측기 – 오실로스코프, DMM, 함수 발생 ... 3904(또는 등가의 범용 npn 트랜지스터), TIP120(npn 달링턴)이론달링턴 회로 (Darlington Circuit)1. 달링턴 회로의 정의달링턴 회로 ... 는 2개의 BJT (Bipolar Junction Transistor)를 접속시켜 전압 증폭률(β값)이 아주 큰 하나의 트랜지스터처럼 동작하게 만들어 주는 회로이다. 첫 트랜지스터

리포트 | 8페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.05.24

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[A+ 4.5 예비레포트,PSpice 포함] 기초전자공학실험 - 전류원 및 전류 미러 회로

1. 전류원(Current Source Circuit) 1-1. 전류원 특징● 이상적으로는 내부 저항(임피던스)이 무한대이다.● 이상적으로 외부 회로에 영향을 받지 않고, 그 값 ... 로 정전류원 회로를 구성할 수 있다. ▶ 정전류원 부하 저항이 변하여도 일정한 부하 전류를 공급하는 전원으로 부하 저항이 변할 때 부하 전류는 그대로이고 부하 전압만 바뀐다.

리포트 | 5페이지 | 5,000원 | 등록일 2021.05.24

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충북대학교 전자공학부 기초회로실험 함수발생기 및 오실로스코프 사용법 결과보고서

: 100.0㎲주파수 : 10.00kHz(2)오실로스코프의 수직, 수평 증폭도를 1배 고정으로 놓아라. 프로브 교정 신호를 이용하여 프로브 보상 회로의 커패시터를 조정하여 정확한 펄스 ... 파형이 나오게 하라. 이 때, 프로브는 10:1 위치로 놓아라.프로브 10:1(3) 디케이드 커패시터와 가변저항 및 함수발생기를 사용하여 의 회로를 구성하라. Vs는 3[Vrms ... 의 사용법도 익숙하지 않아 회로를 교재대로 연결하였음에도 결과 값이 잘 나오지 않았다. 하지만 교재의 부록을 자세히 정독을 다시 한 후 실험을 임하니 완벽하지는 않지만 여러 가지 결과

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.07.26 | 수정일 2020.09.15

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충북대학교 전자공학부 기초회로실험II 결과보고서 실험 13. CMOS-TTL interface

결과보고서실험 13. CMOS-TTL interface과목명기초회로실험 II학과전자공학과1. 실험(1) 의 회로를 구성하고, VDD(핀 14번)를 +10[V]로 연결하고, 입력값 ... .05 [V]050.30 [mV]500.28 [mV]550.32 [mV](2) 의 회로를 구성하고, 실험 1과 같이 전압을 인가하여 각각의 진리표를 작성하라.10VABC0010.22 ... [㏀]4.7 [㏀]10 [㏀]47 [㏀]15 [㏀]저항 측정값9.8342.1704.6559.82746.1814.661(3) 의 회로를 구성하여 VDD(핀 14)에 +5[V

리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.19

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충북대학교 전자공학부 기초회로실험II 예비보고서 실험 13. CMOS-TTL interface

예비보고서실험13. CMOS-TTL interface과목명기초회로실험 II담당교수실험 조학과전자공학과학번이름1. 목적(1) CMOS의 동작을 이해한다.(2) CMOS와 TTL ... 특성과 CMOS 특성을 기술하라.→ TTL은 디지텔 회로에서 사용되는 각종 논리용 소자 중, 입력을 트랜지스터로 받아들이고, 출력 또한 트랜지스터인 소자를 말한다. TTL 소자 ... 는 보통 74 시리즈 IC 이다. 동작속도 및 소비전력, 회로구성등에 따라서 여러 타입의 칩이 존재한다. 표준TTL, 고속TTL, 저전력TTL, 쇼트키TTL, 쇼트키저전력TTL등 여러

리포트 | 2페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.19

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서강대학교 21년도 기초전자공학실험 9주차(A+자료) - RC 회로 설계 보고서

1.제목 : 09주차 설계보고서2.설계결과a.시정수가 다음과 같은 RC 직렬회로를 설계하여라. 단 캐패시터는 2개 이상을 사용하고 가변저항을 사용할 수 있다. 전압원은 DC 3 ... [V]인 펄스 전압을 인가하시오. 먼저0.9ms 인 RC 직렬회로를 설계하겠다. 먼저 캐패시터를 0.1μF와 1μF 캐패시터 2개를 직렬로 연결하겠다. 이론에 따르면, 캐패시터 ... 를 직렬로 연결하였을 때, 등가 캐패시턴스는 전류가 일정하기에, 1/Ceq = 1/C1 + 1/C2 로 계산할 수 있고, 이론에 따른 등가 캐패시턴스는 90.91nF 이다. RC회로

리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.30 | 수정일 2022.09.23

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서강대학교 21년도 기초전자공학실험 12주차(A+자료) - RLC회로 설계 보고서

제목 : 12주차 설계보고서설계결과Q값의 범위가 다음과 같은 RLC 직렬 및 병렬 회로를 설계하시오. 이 때 회로가 갖는 최대 전력과 그 주파수를 구하시오직렬 RLC회로 ... 에 비하면 무시할 수 있을 정도로 작아졌고, 주파수에 따라서 회로 전체의 임피던스가 거의 바뀌지 않았고, 미세하게 바뀌었다고 해도, MyDAQ의 측정장비로는 측정하기 힘든 수준일 것이 ... 다.이번에는 병렬 RLC회로의 Q값을 2k~10k 사이의 값으로 맞춰보겠다. 병렬 회로에서 Q값은 직렬에서와 역수의 형태를 띠고, Q=R*sqrt(C/L)이다.이번에도 1mH

리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.30 | 수정일 2022.09.23

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충북대학교 전자공학부 기초회로실험 함수발생기 및 오실로스코프 사용법 예비보고서

◆ 이론① 함수 발생기(Function Generator) : 정현파, 펄스파, 톱니파, 삼각파 등의 신호를 전압을 방생하는 장치로 전기 회로 실험에 널리 쓰이는 장비1) 정현파 ... 10 ^{ -6} }=10.5[㎒]-오실로스코프의 구성- 오실로스코프가 프로브를 통해 인가된 상황여기서R_{ 1}과C_{ 1}으로 구성된 보상 회로를 사용하는데 주파수와 관계없이

리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.07.26 | 수정일 2020.09.15

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[알기쉬운 기초 전기 전자 실험 (문운당)] 09. BJT의 고정 및 전압분배기 바이어스 회로 결과보고서 (A+)

- 고정 바이어스 회로에 두 개의 트랜지스터(2SC3198Y, 2SC3198GR)를 각각 실험 하였고, 둘 다 주어진 표에 따라 측정하고 측정치에 기록해가며 베타 값을 각각 구했

리포트 | 5페이지 | 2,500원 | 등록일 2023.12.31

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기초전자회로실험 24장. MOS-FET 공통 소스 증폭기 실험결과 값 (김덕수, 이원석, 김종오 외)

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.16

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서강대학교 21년도 기초전자공학실험 5주차 (A+자료) - 휘트스톤 브리지 회로 설계 보고서

제목 : 5주차 설계보고서설계결과1kΩ 2.2kΩ 5.1kΩ 10kΩ 저항 각 1개씩과 2kΩ의 가변저항을 이용하여 임의의 저항을 측정하는 휘트스톤 브리지 회로를 설계하시오.R1 ... 기 위해R1=2.2kΩ , R2=10 kΩ 으로 조정해야한다. R4는 1kΩ으로 하면 검류계가 민감하게 반응해 오차를 줄일 수 있다.따라서 회로를PSpice로 구성해보면이런 회로를 설계 ... = 963Ω 이 나왔고, 이는 정격치인 1000Ω과 약 3.7%의 오차를 보였다. 오차는 저항기의 허용 오차 범위인 5% 이내였다. 따라서 이 휘트스톤 브리지 회로가 미지의 저항을 잘

리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.30 | 수정일 2022.09.23

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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험4_결과보고서_클리핑,클램핑회로,제너다이오드,제너정전압조정기

EX4-1) 클리핑 회로0. 이론적 계산입력 신호 V1에서 정 반파가 인가되는 동안 다이오드 D1은 순방향 바이어스가 되고 D2는 역방향 바이어스가 된다. 또한, D1과 2.3V

리포트 | 24페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.29

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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험5_결과보고서_3배전압곱셉기,MC34063A승압강압회로

EX5-1) 3배 전압 곱셈기0. 이론적 계산세배 전압 곱셈기에서 첫 번째 정반파가 인가될 때(파랑), C3커패시터에 Vm만큼 충전이 된다. 그 다음 부 반파가 인가될 때(보라)는 인가전압 Vm과 C3커패시터에 충전되어있던 Vm이 합쳐져 2Vm의 전압이 C4를 거치며 ..

리포트 | 17페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.06.29

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서강대학교 21년도 기초전자공학실험 4주차 결과레포트(A+자료) - 실험 6. 키르히호프의 법칙, 실험 7. 전압 분배 회로

1.결과분석 및 토의(1) 결과분석 1) 전압법칙 키르히호프의 전압 법칙(KVL)에 따르면, 하나의 폐회로에 대해서 소자를 지나면서 발생한 전압 강하와 전압 상승의 합은 0이 ... .63V이고, 소자 양단의 전압 V1~5를 합하니 14.62V가 나왔다. 오차가 0.01V밖에 나질 않았다. 따라서 이 회로에 KVL이 적용되었음을 실험으로 알 수 있었다.2) 전류

리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.06.30 | 수정일 2022.09.23

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서강대학교 21년도 기초전자공학실험 3주차(A+자료) - 실험4. 오실로스코프의 사용법, 실험 5. PSpice를 이용한 회로의 simulation 실험

실험은 오실로스코프를 이용해 교류회로에서의 전압, 주파수 등을 측정해보는 실험이었다 실험 4-1은 교류전원을 저항기 3개와 직렬연결해, 오실로스코프로 소자 사이의 전압을 측정 ... 로, 매우 적은 오차를 보였다. 따라서 이 실험을 통해 교류회로에서 전압분배를 실험적으로 확인할 수 있었다. 또한 수직 감도를 2V/cm로 측정했을 때와 5V/cm로 측정했을 때, 측정

리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.06.30 | 수정일 2022.09.23

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[기초전자회로]RC회로 실험 보고서

RC 회로 레포트 표지1. 이론적 배경1) 축전기의 특성축전기와 교류전원을 연결한 후 키르히호프 법칙과 전류의 정의를 사용하면 전류의 위상이 전압의 위상보다 90°만큼 빠름을 알 ... 개를 사용하여 경향성을 분석하고 이를 이론값과 비교하는 과정을 통해 교류회로에서의 축전기 특성(전류가 전압보다 90°만큼 위상이 빠르다)을 알 수 있을 것이다.또한 진동수 값

리포트 | 4페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.10.04

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전자기초실험 노턴의 등가회로

결과보고서실험 14. 노턴의 정리1. 실험 주제?노턴의 등가회로를 구하는 방법을 연습한다.?노턴의 정리를 실험으로 확인한다.2. 실험 결과, 결과 사진14.4.2)노턴의 등가회 ... 로 실험[그림 14-8]등가회로[그림 14-8] 시뮬레이션등가회로 시뮬레이션기본 회로 실험이론값노턴 등가회로 실험VLILVNRNVL-NorIL-Nor3.145[V]9.56[mA]0 ... 다면 그이유는 무엇인가?- VL과 VL-Nor의 값은 3.145[V]와 3.175[V]로 비슷하다. 복잡한 회로를 간단한 회로로 바꿔도 전체 전압, 전체 전류 등은 모두 동일해서

리포트 | 7페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.05.25

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기초전자회로실험-트랜지스터

기초 전자 회로 실험1. 실험 제목: 트랜지스터2. 실험 목적: ·트랜지스터의 바이어스에 대해 자세히 이해한다.·이미터-베이스 회로에서 이미터-베이스 전류에 대한 순방향과 역방향 ... 미터, 저항(100 OMEGA,`820 OMEGA,`1000 OMEGA), 트랜지스터(2N3904, 2N3905)4. 실험 방법(1)[1][1]의 회로도를 연결한다. 단 PNP ... 어서 이미터-베이스회로를 개방한다.(5) S1을 닫고,I _{CB} 를 측정한다. 이것은I _{CBO}의 값이다. 그리고V _{CB}를 측정하고 전압의 극성을 표시한다.(6)[2

리포트 | 3페이지 | 1,500원 | 등록일 2019.02.19

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[기초전자회로실험] RL 실험 레포트

실험리포트1. 실험목표- 실험목표 #1 : 커패시터와 인덕터의 이해- 실험목표 #2 : 임피던스의 개념 이해- 실험목표 #3 : 교류회로내에서 소자적용 및 측정정위치에 따른 위상 ... } )}이며 저장된 에너지는w= {1} over {2} Li ^{2} 이된다.- 임퍼던스란 교류회로에서 전류가 흐르기 어려운 정도를 나타낸다. 복소수로서 실수부분은 저항, 허수부분 ... 란 교류회로에서 전류는 방향과 양이 시시 각각 변화하기 떄문에 저항 이외에 전류의 흐름을 방해하는 저항성분을 말한다.리액턴스는 주로 유도작용에 의한 유도리액턴스, 축전 작용에 의한

리포트 | 8페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.01.13

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