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"c측정회로" 검색결과 2,501-2,520 / 21,814건

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    [한양대 에리카A+]기초회로이론 RLC 회로의 과도 상태 특성
    다. 이때 구항파의 주파수는 100Hz, 주기는 10msec, Vp-p가 1V가 되도록 조절한다.Chap.2 실험 결과 RLC 회로의 과도 응답 파라미터계산값측정값100Ω10Krad/s ... 년도-학기2022년 1학기과목명광전자실험LAB번호실험 제목4RLC회로의 과도 상태 특성실험 일자2022년 4월 5일제출자 이름제출자 학번팀원 이름Chap.1 관련이론RLC회로 ... 간다.(저항형 회로) (용량형 회로)유도기의 경우 전류가 퍼텐셜보다 90 뒤쳐진다.위의 RLC회로에 KVL을 적용하면 수식 1을 얻을 수 있다.(수식 1) 이때 축전기에 흐르는 전류
    리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.06.21
  • (서울시립대 전전설3) [종합2등(A+), 성적증명] 4주차 결과레포트+MATLAB코드+실험데이터+교수님피드백 - Op-Amp Based 1st/2nd-Order Active Filter Frequency Responses
    를 합성한 R과 C는 합성된 값을 표기하였다.측정 시 Open voltage는 저항을 회로에서 분리한 채로 같은 node에서 재었으며, Function Generator의 output ... Filter에 대한 frequency response를 측정하고, 동 차수 Passive Filter와 specification을 비교하고자 한다.II. Experiment ... Setup다음 Figure 1,2,3은 각각 Exper. 1,2,3에서 실제로 사용한 회로 구성을 Tinkercad®를 이용하여 R_L=50 Ω으로써 모델링한 것이다. 여러 소자
    리포트 | 7페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.12.31 | 수정일 2022.01.05
  • [전자회로실험] MOSFET 기본특성
    실험에서는 NMOS증폭기인 실험회로1만 실험을 수행한다.- NMOS의 전류-전압 특성을 측정하기 위한 회로이다.- Vsig 전압을 0V부터 증가 시킬수록 NMOS의 동작 영역 ... 영역으로 이동하기 위해서는 전자가 많은 n영역이 필요하게 된다. 이를 위해서, 게이트에 충분히 큰 양의 전압을 인가하게 되면, p형 기판의 일부가 n형으로 반전되고, 채널 영역(c ... hannel region)이 형성되게 된다.[그림 9-5]에서 VGS가 Vth보다 작으면 전류가 흐르지 않으며, 이를 차단 영역(cut-off region)이라고 한다. VGS
    리포트 | 8페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.02.04 | 수정일 2022.05.25
  • [중앙대전자회로설계실습] A+ 예비보고서10 Oscillator 설계
    1. 목적OP-Amp를 이용한 Oscillator (신호발생기)를 설계 및 측정하여 positive feedback 의 개념을 파악하고, 피드백 회로의 parameter 변화 ... >(C) 설계한 Oscillator의 동작원리를 기술한다. (이론부 참고) 해당 실험에서 설계한 Oscillator는 Positive feedback을 이용한 구형파 발생기이 다. 회로의 동작원리를 이해하기 위하여 우선 OP-Amp의 출력전압이 L+에 있었다고 가정한다. ... 에 따른 신호 파형에 대해 학습 한다.2. 준비물 및 유의사항DC Power Supply(2channel) : 1대 Digital Multimeter (이하 DMM) : 1대
    리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.07
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    인장 실험 보고서
    . 참고문헌Ⅰ. 실험목적탄소강의 성질을 측정하기 위해 인장 시험법에 대해 이론을 학습하고 작동법을 익힌 후, 인장 시험기를 통해 준비된 시편이 파단되는 것을 관찰하고 연신율, 단면수축 ... 률, 인장강도, 가공경화지수 등을 알아본다. 또한 SEM을 이용하여 파단된 시편의 표면 사진을 통해 중탄소강과 저탄소강의 비교하고 기계적 성질 등의 측정 결과를 해석한다.Ⅱ. 실험 ... 에 러 가지 구조적 특징들로 인한 contrast의 차이에 기인한다. 시편의 서로 다른 부위에서 전자빔이 시편과 충돌할 때 발생하는 2차전자의 수가 서로 다르기 때문에 c
    리포트 | 29페이지 | 2,000원 | 등록일 2022.09.04 | 수정일 2022.09.15
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    건국대 열의 일당량 실험보고서 할인자료
    ) 측정(1) 그림과 같이 회로를 구성할 때는 전원이 차단되어 있는가를 확인한 후 회로를 꾸민다.전원장치의 전류 공급단자는 완전히 차단된 상태이어야 한다.(2) 메스실린더나 전자저울 등 ... 열의 일당량1. 실험 목표전류가 흘러 도선에서 발생된 열량을 측정하여 열의 일당량을 측정한다.2. 실험원리에너지 보존법칙은 에너지의 형태가 변화될 수 있으나 그 때의 에너지 양 ... 시키며 이 열량 Q는Q=C(m+M)(T _{2} -T _{1} )-(3)이다. 여기서 m은 물의 질량, M은 용기, 교반기 및 온도계 등의 전체 일당량, 그리고 C는 물의 비열이
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 (10%↓) 1800원 | 등록일 2022.07.18
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    전자회로실험 MOSFET 차동 증폭기 결과보고서 (충북대 및 타 대학교)
    전자회로실험4. 실험■ 실험기기 및 부품NMOS2N7000(4개)저항1k OMEGA (1개)4.1 전류 거울(1) 의 회로를 구성한다. 복사된 전류를 측정하시오. (2) 의 회로 ... 를 구성한다. 복사된 전류를 측정하시오.4.2 차동 증폭기(1) 의 차동 증폭기를 구성한다.v _{i`n2}를 0에 연결하고,v _{i`n1}을-5V에서5V까지 증가시키면서, 측정 ... .25-9883498710-0.0462.5-9880598701-47.382.75-9878 입력 전압(v _{i`n1})에 따른 출력 전압(v _{out}) 측정 데이터v _{i`n1
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.06.21 | 수정일 2022.12.10
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    [A+] 마찰계수 실험 레포트
    중심 위치에 대한 정보만 얻을 수 있으므로, 측정 정밀도는 떨어지지만 내부 회로를 간소화할 수 있다. 레이저 변위 센서의 투광 소자에는 반도체 레이저가 이용되며, 레이저 빛은 투광 ... 것이고, 7번에서의 마찰열이 가장 적게 발생할 것이다.2. μ의 응답을 Fc, Ft 변수로 그려보라.(surface 나 contour로 표현)매트랩을 이용해위의 식을 사용하여 만들 ... 의 바스터를 갖추고 있다. ACC-PS1과 같은 가속도계의 전원 공급장치는 18에서 24 V @ 2 mA의 정전류 범위를 가지는 초소형 회로에 적절한 전원을 공급하고 직류 바이어
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2023.08.15
  • 기초회로실험 정현파측정 실험 결과레포트입니다(A+)
    에 기록함.3.여기에서는 프로브 두 개를 스코프의 두 채널에 각각 하나씩 연결하여 측정하기로 함.를 보면 저항R_2는 회로접지와 연결되고R_1은 접지와 연결되어 있지 않음. 접지 ... 와 연결되지 않은 부품의 전압을 스코프로 측정할 때는 특별한 주의가 필요함. 의 회로에서 만일 스코프의 접지와 회로접지가 다르다면 아무런 문제없이R_1에 걸리는 전압파형 측정 가능 ... 측정할 수 있음. 이러한 기능을 사용하기 전에는 항상 교정(calibration)을 제대로 하고 VOLTS/DIV 손잡이를 같은 값으로 맞춰야 하며 두 채널의 AC/GND/DC
    리포트 | 9페이지 | 1,500원 | 등록일 2021.09.15 | 수정일 2021.11.16
  • [A+]중앙대 전자회로설계실습 예비보고서 설계실습 5. BJT와 MOSFET을 사용한 구동(switch) 회로
    )으로 동작하는 RTL switch회로를 설계, 구현하여 relay, 또는 LED를 구동하고 그 동작을 측정, 평가한다.2. 준비물 및 유의사항3. 설계실습 계획서아래 회로와 같이 ... 전자회로 설계 실습 예비보고서설계실습 5. BJT와 MOSFET을 사용한구동(switch) 회로학번/성명제출일자1. 목적BJT와 MOSFET을 이용하여 TTL 레벨의 전압(5 V ... BJT 2N3904를 사용하여 BL-B4531 (VF =2 V, IF =20 mA)LED를 구동하는 회로를 설계하려한다. 구동신호(VIN)는 1 Hz, 5 Vdc의square
    리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.12.24
  • 전회실험7 예보
    를 이용하여 노드 S, A, B의 전압을 측정한다. S to B 전압이득과 A to B 전압이득을 구하시오.c) 입력 amplitude를 증가시키면서, 입력 S 와 출력 B ... ) Oscilloscope를 이용하여 노드 S, A, B의 전압을 측정한다. S to B 전압이득과 A to B 전압이득을 구하시오.c) 입력 amplitude를 증가시키면서, 입력 S ... Vpp, 1 kHz 삼각파형을 인가해 준다.b) Oscilloscope를 이용하여 노드 S, A, B의 전압을 측정한다. S to B 전압이득과 A to B 전압이득을 구하시오.c
    리포트 | 11페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.09.26
  • 기초회로 - 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성) 포스트레포트
    V를 인가하며 위의 실험을 반복한다.C. 키르히호프(Kirchhoff)의 법칙 실험① 회로를 구성한다② 멀티미터를 이용하여 각 저항에 걸리는 전압과 흐르는 전류를 측정 ... 1. 실험제목기초회로 - 전기저항(옴의 법칙 및 다이오드 특성)2. 실험목적저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고 반도체 ... 다이오드의 전기(정류)특성을 측정하여 정류특성을 확인한다. 또한, 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로측정을 통해 Kirchhoff의 법칙 실험적으로 확인한다.3. 실험이론A
    리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2021.08.10
  • 전자회로실험 결과보고서 - 트랜지스터의 특성
    ) ; Q(V_CE ,I_{c } )I_{B } ( m A )I_{c } (mA)V_CE (V)0.03mA5.19mA0.351V(ⅱ) 작동점이 X축에 치중된 회로(R_{B ... ) ; Q(V_CE ,I_{c } )I_{B } ( m A )I_{c } (mA)V_CE (V)0.01mA1.34mA4.16V(ⅲ) 작동점이 중앙에 오는 회로(R_{B }=100k ... _B,I_c,V_CE 를 측정하였을 때, 작동점의 위치를 확인하는 실험이었다. 실제로 실험을 할 때는V_s는 교류전압이지만 교류전압 오프셋 값이 3.7V이므로 3.7V를 직류로 넣
    리포트 | 14페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.12.16
  • 커패시터 결과레포트
    보다 작으면 계측기로 변화를 관찰하기 어려운데, 커패시턴스 값이0.01` mu F인 커패시터C _{5}는 측정에 한계가 있어 합격 대신 불합격을 주었다커패시터의 고장 유무를 확인할 수 ... 다터의 전압이 점점 작아져 LED2를 동작시킬 수 있는 정격전압보다 그 크기가 작아졌기 때문이다.다음으로 커패시터C _{1}과C _{2}를 방전시킨 후, 회로에 직렬로 연결 ... , 전하량, 전압강하를 구해보고 저항계와 전압계로 커패시터가 정상인지 아닌지를 검사해본다.◆ 실험데이터표 20-1커패시터표시값저항계 검사법(합격/불합격)전압계 검사법(합격/불합격)C
    리포트 | 5페이지 | 3,000원 | 등록일 2021.05.12 | 수정일 2022.04.18
  • 디지털 논리회로의 응용 D/A, A/D Converter/반도체 기억장치
    2-(d)0010과 0001의 경우는 각각 그림 2-(c), (d)와 같게된다. 이 경우도 각각의 회로를 테브냉 등가를 이용해서 계산하면 출력값이 나오게 된다.아날로그 디지털 ... 디지털 신호에 해당하는 전압구간을 측정할 수 있을 것이다.RAM/ROMRAM 실험에서는 RS래치 회로를 이용하여 회로를 구성하였다. W1과 W0를 통해 입력한 신호를 기억하여서 읽 ... Exp#9. 디지털 논리회로의 응용 – D/A, A/D Converter/반도체 기억장치메인 레포트실험 목표디지털-아날로그 변환기와 아날로그-디지털 변환기에 대해 이해할 수 있
    리포트 | 11페이지 | 1,000원 | 등록일 2022.03.03
  • [A+결과레포트 전자회로설계실습]7.Common Source Amplifier설계
    인 밴드패스필터와 같은 형태를 띄고 있으며 3dB frequency와 Unit gain frequnecy는 아래에 기술하였다(C) 측정한 결과 그래프에서 3dB frequency ... 전자회로설계실습 결과보고서7. Common Source Amplifier설계담당 교수담당 조교제출날짜학번조이름1. 요약2. 서론3. 설계실습 내용 및 분석3.1 구현 ... Common Source Amplifier with Source Degeneration의 구현 및 동작3.5 설계한 회로 구현 시 수정사항4. 결론1. 요약설계한 Common s
    리포트 | 10페이지 | 2,000원 | 등록일 2020.11.26
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    LG유플러스 네트워크관리직 합격자소서
    단계에서 품질측정을 통해 음영지역 및 커버리지를 식별해내는 작업을 하였습니다. 통신망 교체는 단순히 무전 단말기가 바뀐 것이 아니라, 새로운 통신 인프라를 통해 부대 전체의 운용 ... 전문가로서 커버리지 확보 및 통신품질 향상에 일조하고 싶습니다.[학업과 실무의 연장선]전자공학을 전공한 학생으로서 통신 및 회로에 대한 이해는 큰 메리트가 될 것입니다. 통신이론 및 ... 신호 시스템과 같은 과목 수강을 통해 네트워크 시스템 및 통신 설비의 기본 원리에 대해 공부하였고, 전력전자, 전자회로, 회로이론 등 다양한 회로, 제어 수업을 통해 설비의 전기
    자기소개서 | 2페이지 | 3,000원 | 등록일 2024.02.09
  • 숭실대 신소재공학실험1) 14주차 고분자 디바이스 예비보고서
    은 4개의 핀을 시료의 표면에 접촉시켜 저항을 측정하고, 기하학적 보정계수를 적용하여 면저항을 측정하는 방식이다.Single configuration의 측정 원리는 아래의 그림 ... 에서 핀 A, D에 전류(I _{AD})를 흘리고 핀 B, C에서 전압(V _{BC})를 측정하여 저항R _{a} `=`V _{BC} /I _{AD}를 구하고, 면저항(R _{S} =k ... 1. 실험 제목고분자 디바이스2. 배경 및 이론1) 4-point probe의 측정 원리-측정 원리 및 측정 과정 설명FPP(Four-poin probe) 방법은 동일선상에 놓
    리포트 | 3페이지 | 2,000원 | 등록일 2024.04.29
  • [전기회로설계실습-전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계] 중앙대학교 전자전기공학부 2-2 A+ 예비보고서
    설계실습 2. 전원의 출력저항, DMM의 입력저항 측정회로 설계1. 목적: 건전지의 출력저항과 DMM의 입력저항을 측정하는 회로를 설계, 제작, 측정하고 DC power s ... 의 전압이 그대로 부하에 걸리기 때문에 건전지의 내부 저항은 매우 작을 것이다.(b) 건전지(6V)의 내부저항을 측정하는 회로와 절차를 설계하여 제출하라. 단 가능한 한 측정 ... 에서 output 2의 (+)단자가 ouput 1의 (+)단자보다 5V 높게 되는 회로에 이 전압을 측정하기 위해 DMM을 추가한 회로를 설계하여 제출하라.3.5공통기준점에 대해
    리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2020.07.12
  • 전전설1 5주차 (비대면,예비,결과,전자전기컴퓨터설계실험) - 신호발생기 및 오실로스코프 사용법 2
    변화를 막을려는 성질이다.impedence : 교류회로에서 전류가 흐르기 힘든 정도를 나타낸다.이 임피던스는 보통 R의 경우 R로 C의 경우 1/jwc, L의 경우 jwL ... 발생기와 같은 기본 실험 장비의 사용방법을 숙지하기 위함이다. 이와 같은 오실로스코프와 함수발생기를 바탕으로 축전기와 인덕터 그리고 다이오드를 사용하여 기초회로를 설계하면서 수동 ... , 윈도우 알고리즘 및 FFT 확대 계수를 선택한다. 한 번에 한 FFT 스펙트럼만 표시할 수 있다.Math FFT 옵션설정설명소스ch1, ch2, ch3, ch4FFT 소스로 사용
    리포트 | 30페이지 | 1,000원 | 등록일 2021.06.20
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2025년 05월 29일 목요일
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