"N+ge+X"의 검색결과 입니다.

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6 sigma beltgb 6시그마 족보 물리학실험 B-1 perovskite TEM 경북대 op amp 발광 다이오드 소결 에너지관리기사

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"N+ge+X" 검색결과 201-220 / 318건

다이오드 및 전파, 반파, 브릿지 정류

관계를 수식으로 표현하면 다음과 같다.(1.1)여기서, Is는 역방향 포화전류, T는 절대온도, n은 이상계수(ideality factor)로서, 1～2 사이의 값을 가지며 그 물질 ... 테스터의 흑색 리드는 (+)극을, 적색 리드는 (-)극을 띠게 되므로 흑색 리드를 애노드에, 적색 리드는 캐소드에 접속시키면 멀티 테스터의 지침은 움직여 낮은 저항을 지시하게 되 ... .3. 사용 기기 및 부품(1) 직류 전원 공급기1 대(2) 멀티 테스터1 대(3) VTVM1 대(4) 다이오드1N4154(1 개)(5) 저항250 Ω(2W 1 개)(6) 기타ON

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| 리포트 | 7페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.10.05

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[반응공학]Newton-Raphson법

,fx2,dfx1;x1=Xn;fx1 =Function(x1);printf("iter x\n\n");for(i=0;i< MAXITER;i++){dfx1=DFunction(x1);x2 ... =x1-fx1/dfx1;fx2=Function(x2);printf("[%3d] %f\n",i+1,x2);if(fabs(fx2-fx1)< EPS) break;x1=x2;fx1=fx2 ... result is %f\n",x2);} HYPERLINK "http://caflab.yeungnam.ac.kr/jysah/lecture/numerical/Chap14/Chap14.for

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.15

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Report♪ 화학결합에대한조사

는 이온의 최외각 전자수이며 q는 전자의 전하, εo는 진공의 유전율(= 8.85×10-12C2/N-m2), x는 두 이온 사이의 거리이다. 식 (1)의 형태로 표현되는 힘을 쿨롱의 힘 ... 0는 인력과 척력의 합을 0으로 놓음으로써 구할 수 있다.Fa(x)+Fr(x)=0=[| Z1Z2 | q2 / (4πε0x2)] - K/xm .... (3)식 (3)은 이온들이 서로 ... 하는 경우를 이중결합, 세 전자쌍을 공유하는 경우를 삼중결합이라 한다.한 예로 에틸렌은 이중결합, 아세틸렌은 삼중결합이다.이중결합은 주로 C, N, O, S 원자에 의해 형성

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| 리포트 | 11페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.04.16

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DR (Digital Radiography)

Chapter 22 Digital Radiography■ X-ray imaging의 역사? 1895 : Roentgen이 최초로 x-ray 발견음극선 실험 중 우연히 발견sc ... reen-film combination? 1972 : G.N.Hounsfield가 고안image reconstruction을 이용한 3D image 획득computer를 이용 ... 한 image processing? 1971 : Xerox xeroradiograyphy systemx-ray를 전기적 신호로 변환? 1983 : Fuji CR system 개발? 1998

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| 리포트 | 9페이지 | 4,000원 | 등록일 2008.02.23 | 수정일 2024.12.15

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중국어발음정리

로 표기한다.한글 모음[가]로 표기할 수 있다운모[u]와 [u]를 모두 붙일 수 있는 성모는 단지 [n], [l] 두개 뿐이다성모[j],[q],[x] 뒤의 [u]표기는 근본적으로 운모 ... >의 앞이나 뒤에점박이 모음< i, u >가 오면 틀림없는 < e 에 > 모음이다 .< ai >:< a + i >의 발음 < a >를 힘있게 내고 < i > 를 약하게 덧 붙인다 ... .< ei >:< e + i >의 발음 < e >를 힘있게 내고 < i > 를 약하게 덧 붙인다 . (점박이 모음이 있으니 에이)< 성모+u >와 결합하면 를 로 표기해 준다그러나

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| 리포트 | 4페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.04.24

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고체전자 3장

반도체는 실온에서 n0≫(ni, p0)가 되며 이것이 n-type 반도체이다. Ⅲ족(B, Al, Ca, 및 In)으로부터의 원자는 Ge나 Si에서 가전자대역 가까이에 불순물준위 ... 다 이 준위를 억셉터(acceptor)준위라 하며, Ⅲ족의 불순물은 Ge, Si에서는 억셉터 불순물이다 억셉터 불순물의 첨가로 전도대역의 전자농도 n0보다도 훨씬 큰 정공농도 p0 ... 전하를 가짐 Na+ 와 Cl- 사이에는 정전적 인력과 척력이 발생한다이 인력과 척력이 균형을 이루게 되면서 격자를 형성하게 된다 NaCl구조에서 중요한 것은 모든 전자가 원자

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| 리포트 | 20페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.03.30

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[공학]다이오드와 정류회로

rier) 가 (+) 전하 (정공) 4 족 (Si, Ge) 에 3 족 (Al, In, Ga) 첨가pn 접합 (junction): p, n type의 반도체를 접합 비선형적 성질 이상 ... diode (접합 다이오드)n-type : 운반자 (carrier) 가 (-) 전하 (전자) 4 족 (Si, Ge) 에 5 족 (P, As, Sb) 첨가 p-type : 운반자 (car ... 적인 정류기와 매우 비슷 순방향에서 V 0.x V 이면 전류가 흐르고 역방향으로는 전류의 흐름이 억제 0.x V 에서 x 는 반도체 재료의 특성 Si: 0.6 V, Ge: 0.2

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| 리포트 | 15페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.22

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판매자 표지

군무원 대비(정보통신) 최신 100문제

한다.2. 레인지를 바꿀 때마다 단락봉을 크로스시켜 염점 조정부터한다3. 저항에 두 단락봉을 대고 육안상 측정값과 레인지배율을 곱한다.ex) 100옴측정값 10옴 X 레인지값 10 ... 옴 = 100옴1옴※주의사항저항 측정시 전원이 걸려있으면 안된다RANGE를 선택할 때마다 영점조정을 해야한다DC측정은전압,전류값을 모를시 최대레인지 선택(극성이 있기 때문에) ... 는 형명표시법으로 표시되어있고ex) A P 고B P 저C N 고D N 저TR의납작한 부분을 정면으로 보고 맨왠쪽은 E로 고정되어 있습니다.나머지 두가닥이 B , C 인데한쪽 단락봉

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| 시험자료 | 13페이지 | 2,500원 | 등록일 2012.12.15 | 수정일 2016.08.12

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[공학]접합 다이오드의 특성

원소를 넣어서 반도체를 만드는 것이다.(1) n형 반도체 : 4족 원소 + 5족 원소로 이루어지고 이때 과잉 전자가 생김.(2) p형 반도체 : 4족 원소 + 3족 원소로 이루어지 ... ) 순방향 바이어스 : 전원의 - 단자는 n형 반도체 + 단자는 p형 반도체(3) 역방향 바이어스 : 전원의 - 단자는 p형 반도체 + 단자는 n형 반도체4) 다이오드 전압전류 특성 ... DC 전원공급기(2) 계 측 기 : 테스터기, Cuve Tracer, 전류계(3) 저 항 : 2[W] 250[Ω](4) 다이오드 : 1N914(Si diode), 1N34A(Ge

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.04.22

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[중국어]중국어발음

?ij?비행기ca?nt?ng식당ca?ngua?n참관하다chu?ntia?n봄j?ntia?n오늘q?utia?n가을x?ngq?요일ca?njia?참가하다? 1성 + 2성go?ngyua?n ... 공원chu?njie?설날fe?icha?ng대단히hua?nying환영하다su?ra?n비록-da?ngra?n당연히x?nwe?n뉴스she?nghuo?생활? 1성 + 3성she?nt?신체 ... he?iba?n칠판qia?nb?연필fa?ngfa?방법ka?ish?시작하다j?cha?ng비행장x?nku?수고하다j?ngl?사장? 1성 + 4성y?yua?n병원ga?oxing기쁘다go

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| 리포트 | 25페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.03.25

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[컴퓨터공학]리눅스 쉘 프로그래밍

: ==, !=, , , -z(null), -n(not null) 논리비교 연산자 : -a, -o, !쉘 프로그래밍 Test$ i=10; j=20; echo $i $j $ k=`expr $i ... ) Variable_name = Variable_value $ name=tester $ name = tester (X)Shell 변수변수 기호 : '$'을 변수 이름 앞에 붙여 일반 ... 면 변수의 값을 사용. 아니면 string값을 에러메시지로 출력후 스크립트 종료 ${변수:+string} 변수가 지정되고 널이 아니면 string값이 변수로 할당. 아니면 아무것도 변

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| 리포트 | 29페이지 | 3,000원 | 등록일 2008.06.10

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Antimicrobic sensitivity testing(Disk Sensitive testing)

3X9kkAAH09Ea4" http://kin.naver.com/detail/detail.php?d1id=11&dir_id=110205&eid=08uPETQA+zOh6 ... 째 항생glutamate(D-glu-N), L-lysine(L-lys), and D-alanine(D-ala); 또는 pentaglycine[Gly(5)]에 의해 긴 사슬들이 서로 연결 ... morePenicillin Ge10 units14 or less-15 or moreChloramphenicol30μｇ13 or less14-2021 or more8. References

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| 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.15

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[일반화학실험]기체상수의 결정

고, 그 합을 N몰이라 하면, 제1성분의 몰분율 x1은,x1 = n1 / n1 + n2 + ... nn = n1/N또, 제 2성분의 몰분율은x2 = n2 / n1 + n2 ... + ... nn = n2/N이하 마찬가지로 제 m 성분의 몰분율은xm = nm / n1 + n2 + ... nm = nm/N2) 부분압력혼합기체 속에서 각 성분 기체가 나타내는 압력을 말 ... 를 갖는다고 하는 법칙을 말하며, "아보가드로수(avogadro''s number)"는1 mol의 물질 입자 속에 들어 있는 입자의 수입니다.아보가드로수는 보통 n으로 표시하며, n=6.02 x 10^23으로 나타냅니다.? 주의사항① 시험관을 건조시킨 상태로 측정해야 함.

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| 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2006.11.19

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최신 전자기학 - 정전계

이들 사이에 작용하는 힘이므로 식(1) Q에 을 대입하여 풀면 다음과 같이 쓸 수 있다. E=x1==9x10[N/C=V/M]그림 5에서 2개의 점전하,가 점 A, B에 놓여 있 ... 으로 Si나 Ge 같은 물질의 경우, 낮은 온도에서는 자유전자가 거의 존재하지 않으나 온도를 약간 올리면 어렵지 않게 어느 정도의 자유전자를 발생시킬 수 있다. 이와 같은 물질 ... 면, 다른 전하끼리는 잡아당기는 힘이 작용한다.3. 전하량 : 전하의 크기를 전하량이라고 한다. 전하량은 항상 기본 전하량의 배수가 된다.따라서 q = ne, n=± 1, ± 2

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| 리포트 | 15페이지 | 1,500원 | 등록일 2008.12.26

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2007년 발광 다이오드 응용분야 시장 및 기술 동향

-Conversion LEDColor-MixingBlue LED + Multi PhosphorsMost Efficient in White point Needs Feedback for s ... To UV light leaakage Simple Drive ElectronicsUV LED + RGB PhosphorsR+G+B LEDsBlue LED + Yellow ... Generated Electrical Efficiency (%, ηv) = Photon Energy/Applied Voltage (X Electron Charge) Optical

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| 리포트 | 13페이지 | 4,000원 | 등록일 2007.08.19

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셀 프로그래밍

째n3.Shell Programmingif 조건문if 조건문then명령어[elif 조건문then명령어][else명령어]fiif 조건문; then 명령어; [elif 조건문 ... ; then 명령어;] [else 명령어;] fi# vi if1.shX=helloif [ $X = hello ]thenecho "Welcome"elseecho "Goodbye"fi:wq ... ..."sleep 1count=$(who|grep -v root|wc -l)done:wq# sh while1.sh# vi while2.sh# /usr/bin/sh#print -n

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| 리포트 | 47페이지 | 1,000원 | 등록일 2008.12.03

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19장열의일당량(결과)

해서는 {f(x _{0} )=24+ {23-24} over {109.850-104.800} TIMES (105.5-104.8)=23.862와 같이 찾을 수 있다.측정한 온도와 회전수 ... 하시오.{-{sigma = SQRT { { SUM { ({bar x}-x)}^{2 } } over {N(N-1) } }{sigma = {S } over { SQRT { N} }{J ... =J +- sigma{=4.268 +- 0.295[N·m/cal]]온도계산을 통하여 일당량을 측정함에 있어서 이용되는 것은 초기 온도와 나중온도의 차이({DELTA T) 이

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| 리포트 | 5페이지 | 1,500원 | 등록일 2007.09.28

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리눅스 운영 및 관리

"export USERNAME ENV PATHexport HISTSIZE="10000"mesg n.bashrc에는 alias등이 설정되어 있는데 예를 보면 다음과 같다.# aliase ... /bin:/usr/X11R6/bin:/root/bin# 특정 명령을 실행할 경우 경로를 지정하고 있다.사용자가 입력한 명령을 우선 /sbin에서 찾아 있으면 실행하고 없 ... 으면 /bin 순으로 찾아 실행한다.PPID=15065PS1=bash\$# 프롬프트의 모양을 지정하고 있다.PS2=>PS4=+PWD=/root# 현재 위치를 나타내고 있다.REMOTEHOST

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| 리포트 | 51페이지 | 3,000원 | 등록일 2010.09.18

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[공학기술]터널다이오드

용 전류의 ON/OFF를 제어하는 스위칭 용도 등다이오드동작 애노드에 (+) 전압을 연결하고 캐소드에 (-) 전압을 연결하여 다이오드에 순방향 전압을 가하면, 다이오드로 전류 ... Effect) 란 ? 고전역학적으로 볼 때 포텐셜 장벽을 넘어갈 만큼의 에너지를 갖지 못한 입자가 장벽을 통과하는 현상을 말한다. 거리(x)에 따른 입자 파동의 위치 에너지(Ψ(x ... )) 는 포텐셜 장벽의 위치에너지(U0)보다 작다. 일정한 조건이 갖추어지면, 터널 반대편에서 같은 주파수의 파동 운동을 하는 입자가 발생한다.xxΨ(x)U0U(x)터널링 효과전기장

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| 리포트 | 10페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.06.02

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XRD(X-Ray Diffractometry)

라고 부른다. X선 회절에서는 Cu, Co, Ge, Cr, Mo 등의 K계열 선을 주로 사용하나 Kα1, K 2의 두선은 파장이 아주 비슷하여 보통 하나의보고 Kα라고 부른다.한편 Kα선 ... 기 위한 조건을 찾아보자.x선이 α각도로 입사되어 β각도로 산란될 때, 표면상에 x만큼 떨어진 2점에서의 x선의 경로 차는가 되며, 행로차가 파장의 정수배 nλ와 같은 경우 ... 강해진다. 표면상에서의 산란x선이 동일 위상이 되려면 Nλ =0이 되며, α=β가 얻어진다. 따라서 한층의 표면에서 최대 강도를 얻을 수 있는 간섭현상은 입사각과 산란각이 같을 때이

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| 리포트 | 13페이지 | 2,000원 | 등록일 2007.12.21

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