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"전압특성" 검색결과 181-200 / 24,637건

  • LED 전압 전류 특성 실험
    LED 전압 전류 특성 실험차례 개요 LED 란 ? LED 의 특성 구성요소 및 주요부품 실험내용 -LED 극성 -LED 전압 특성 LED 를 이용한 555 Timer IC 회로 ... 에 전압과 전류를 가할 때 불이 들어오는 시점과 제일 밝을 때와 과전압 혹은 과전류로 LED 의 기능을 상실할 때를 실험을 통하여 확인을 한다 . LED 의 특성을 이용한 별도의 실험 ... 다 . 3. 테스터기로 측정해서 알 수 있다 . 테스터기로 극성을 알 수 있다 . 이 방법이 가장 정확한 방법이다 .실험내용 – LED 전압 특성 불이 들어올 때 불이 제일 밝을 때
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 13페이지 | 1,500원 | 등록일 2012.04.12
  • Cu2Te 배면 전극을 이용한 p-type CdTe 태양전지의 ohmic contact 형성 및 CdTe 태양전지의 광전압 특성
    한국재료학회 김기환, 윤재호, 이두열, 안병태
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 6페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 울산대학교 전자실험결과1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압
    실험1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압학번 :1. 실험결과-측정값표시값1kOMEGA1MOMEGA측정값1kOMEGA0.985kOMEGA-다이오드 테스트순방향역방향상태Si ... 한 다이오드의 특성곡선 측정2. 결과 및 고찰이번 실험에선 순방향 다이오드와 역방향 다이오드일때 다이오드의 특성을 알아보고 다이오드의 전압을 측정하여 특성곡선을 그려보고 AC저항 ... 하여 특정V_R값을 만드는V_E값과 다이오드에 걸리는 전압을 측정하여 다이오드에 흐르는 전류를 계산하고 특성곡선을 그려보았다. 그결과 예비레포트에서 작성했던 곡선과 유사하게 나온
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.18 | 수정일 2019.10.19
  • 울산대학교 전자실험예비1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압
    실험1 PN접합 다이오드 특성곡선 측정과 기준전압학번 : 이름 :1. 실험목적다이오드의 특성을 알아보고 다이오드의 전압과 전류사이에는 옴의 법칙이 성립하는지 알아본다.2. 이론 ... 반도체 다이오드는 대체로 한방향으로만 흐르는 특성이 있다. Si나 Ge로 만든 다이오드는 순방향 바이어스 전압이 증가되면 어느구간까지는 미세하지만 전류도 같이 증가하는 옴의 법칙 ... 전압은 각각 0.7V , 0.3V에 머물고 순방향 전류는 급속히 증가한다.특성곡선의 어떤 점에서 다이오드의 DC저항은 다이오드의 전압과 전류의 비로써 계산된다.R_DC = { V
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.10.18
  • 예비 BJT 전류-전압 특성 및 바이어스 회로
    예비 보고서실험 제목: BJT 전류-전압 특성 및 바이어스 회로1 Pre-Lab(예비실험): 기본 이론 조사(1) NPN형 BJT와 PNP형 BJT의 기본적인 동작 원리를 설명 ... , Emitter의 전류가 영향을 받게되고, 심지어 동작 여부가 결정된다. 이때 Collector current를 결정하는 것이 바로 Base, Collector 간의 전압(V _{BE}) 이 ... 다.(2) NPN형 BJT와 PNP형 BJT의 네 가지 동작 영역을 설명하고, 각 동작 영역에서의단자 전압들 사이의 관계를 정리하시오.1) 차단영역(Cutoff Region)베이스
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 12페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.04.22
  • 예비 MOSFET 전류-전압특성 및 바이어스 회로
    예비 보고서실험 제목: MOSFET 전류-전압특성 및 바이어스 회로2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)■ 모의실험회로 1 : NMOSFET ... 전류-전압 특성을 시뮬레이션1-1) 드레인전류-게이트전압(I_DS-V_GS) 특성 시뮬레이션을 위한 DC Sweep 설정VGS 범위 : 0~5V(Increment: 0.1V ... -게이트전압(I_DS-V_GS) 특성 시뮬레이션을 위한 DC Sweep 설정VGS 범위 : 0~5V(Increment: 0.1V)VDS 범위 : 0~5V(Increment: 0.5
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.04.22
  • 결과 BJT 전류-전압 특성 및 바이어스 회로
    결과 보고서실험 제목: BJT 전류-전압 특성 및 바이어스 회로1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용■ 실험 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정- 실험 결과 ... 그래프 및 표 :소자규격측정값저항1k0.99562.2k2.1955k3.6k3.5931k6.1k6.104k22k22.006k100k99.98k■ 실험 2 : BJT 전류-전압 특성 ... 과정): 고찰 사항1. BJT 전류-전압 특성 곡선 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II로 측정
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 7페이지 | 2,000원 | 등록일 2016.04.22
  • 전압체배기 회로의 특성 실험
    1. 실험 목적● 반파 전압 체배기 회로와 전파 전압 체배기 회로의 동작을 관측하고 특성을 이해할 수 있다.● 각 콘덴서에서의 출력 직류 전압과 리플에 대한 영향을 이해할 수 있 ... 다.● 전압 3배기와 전압4배기의 동작 특성을 이해할 수 있다.2. 사용기기 및 부품직류전원장치 1대VOM, DMM 1대브레드보드2채널 오실로스코프 1대함수 발생기 1대2차 측 ... 전압이 12.6V인 중간 탭을 갖는 변압기 1개 (함수 발생기로 대체 가능)정류용 다이오드 1N4001, 1N4148 혹은 대체용 실리콘, 게르마늄 다이오드 4개100Ω, 1kΩ
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 6페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.08.03
  • 8주차-실험8 예비 - MOSFET 기본특성2- 문턱전압, 이동도, "on"저항 Ron
    전자회로실험Ⅰ교수님조교님실험 8. MOSFET 기본특성Ⅱ - 예비보고서문턱전압, 이동도, “on”저항R _{on}제출일 : 2016. 04. 29. 금요일실험제목 : MOSFET ... 기본특성Ⅱ- 문턱전압, 이동도, “on”저항R _{on}1. 실험 목적본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다. 이 실험을 마친 후 ... 에는 다음을 이해할 수 있다.- MOSFET의 채널은 소오스-드레인의 작은 전압V _{DS} `에 대해 작은 전류i _{D}가 흐르는 저항으로 이해된다.- 게이트의 전압을 증가시켜 문
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
  • 전압 체배기회로의 특성실험 예비+결과레포트
    전압 체배기 회로의특성실험예비보고서1. 전압 체배기회로의 필요성에 대해서 설명하시오.전압 체배기회로는 전원을 인가하였을시, 다이오드에 작용하는 순바이어스와 역바이어스를 이용 ... 하여 콘덴서에 전압이 충전되면 입력전압의 두 배 혹은 세 베에서 네 배 크기의 출력전압을 얻어내기 위해 필요하다.2. 콘덴서의 개수와 다이오드의 개수가 전압과 어떤 관계를 가지는지 설명 ... 하시오.2배전압 회로를 보면 다이오드2개, 콘덴서가 2개이고 3배전압 회로에서는 다이오드가 3개, 콘덴서가 3개이다. 이처럼 다이오드와 콘덴서의 개수가 증가할수록 인가전압에 대한
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2014.10.25
  • BJT의 전류 전압 특성
    목적☞ Collecter 전류와 Base 전류사이의 관계를 조사☞ 트랜지스터 특성곡선들에 대하여 조사◈ 이론 요약☞ Bipolar Transistor는 Emitter, Base ... 쪽으로 인가되는 전압이 Base-Emitter 다이오드의 Barrier Potential보다 더 크다면Emitter의 전자들은 Base 쪽으로 움직이기 시작한다. Base에 도착 ... ElectronsCollector에 집결한 대부분의 전자들은 외부 전압에 의해 매우 강한 힘을 느끼게 되고 이에 따라외부 전압이 있는 쪽으로 움직이게 된다. 이렇게 해서 전체 전자들의 흐름
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 14페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.02.03
  • 지향특성, 반치각, 효율, 손실, 고유 주파수와 파장, 선택도, 이득, 수신전압, 유효전력, 실효면적
    ■ 안테나 제정수(지향특성, 반치각, 효율, 손실, 고유 주파수와 파장, 선택도, 이득, 수신전압, 유효전력, 실효면적 등)에 대해 정리하시오.- 지향특성: 특정 방향으로 전자파
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 2페이지 | 1,000원 | 등록일 2019.06.13
  • 유전체 배리어 방전형 2단 전기집진기의 인가전압 파형별 미세입자 집진특성 (Fine Particle Collection with Various Voltage Waveforms for Dielectric Barrier Discharge Type 2‐Stage ESP)
    한국실내환경학회 변정훈, 박재홍, 윤기영, 황정호
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 11페이지 | 4,200원 | 등록일 2016.04.01 | 수정일 2023.04.05
  • 8주차-실험7 예비 - MOSFET 기본특성1- 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스
    전자회로실험Ⅰ교수님조교님실험 7. MOSFET 기본특성Ⅰ - 예비보고서역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스제출일 : 2016. 04. 29. 금요일 ... 실험제목 : MOSFET 기본특성Ⅰ- 역전압 다이오드의 접합 캐패시턴스, MOSFET 게이트 캐패시턴스1. 실험 목적역전압이 인가된 PN접합과 MOSFET의 게이트 캐패시턴스를 측정 ... 다음을 이해하게 된다.- 역전압이 인가된 PN 접합은 캐패시턴스 특성을 나타낸다.- MOSFET의 게이트에서 소자를 바라보면 캐패시턴스 성분으로 인식되고 이로부터 단위면적
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    | 리포트 | 2페이지 | 1,500원 | 등록일 2020.10.02
  • MOSFET 출력 특성, 문턱 전압 측정
    실험 3. MOSFET 출력 특성, 문턱 전압 측정1. 실험 목적1) MOSFET의 기본 동작을 확인하기 위하여 ID vs VDS 출력 특성 곡선을 측정하고, channel ... 은 3V 이상에서는 gate에 어떠한 전압이 오더라도 별 영향을 받지 않음을 알 수 있다.MOSFET 의 구조 및 특성MOSFET의 구조는 위 그림에 나타나 있다. 실리콘 기판 위 ... length modulation 변수인 LAMBDA를 추출한다.2) MOSFET의 문턱 전압, gain factor KP 및 body effect 변수 GAMMA를 측정한다.2. 기초
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    | 리포트 | 8페이지 | 1,000원 | 등록일 2010.05.24
  • 전류와 전압특성 예비 보고서(기초전자실험 with PSpice )
    2. 전압과 전류 예비 보고서20123159김남각2장 예비 학습(1). 전압에는 직류와 교류가 있다.Q1. 직류와 교류의 차이점에 대해 설명하라.A1. 직류는 시간의 변화에 따라 ... 자체의 저항을 말함. 전압계는 측정전압이 높은 전압계 일수록 내부저항이 커지고 전류계는 측정전류가 많은 전류계 일수록 내부저항은 적어진다.1. 실험 제목전압과 전류2. 실험 목적직류 ... 전원 공급 장치의 사용법을 익히고, 브레드보드를 이용하여 실험 회로를 구성해 보고, 멀티미터를 이용하여 전압과 전류를 측정한다.3. 기초 이론1) 실험 장비2) 직류전원 공급 장치
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    | 리포트 | 6페이지 | 1,000원 | 등록일 2013.12.11
  • JFET 전압 전류특성
    실험2. JFET 전압-전류 특성◎ 개요○ 분류- BJT(Bipolar Junction Transistor)원리 : 두 단자간에 흐르는 전류를 제3단자의 전류로 제어특징 ... - 주요 특성① 입력 임피던스가 높다.② 교류전압 이득이 낮다.③ 집적회로에 유용하다.- FET의 종류① JFET : Junction FET② MOSFET : Metal Oxide ... 소자전압제어 소자입력입피던스무한대바이어스Base 순바이어스Gate 역바이어스교류신호해석교류 에미터저항전달 컨덕턴스◎ JFET의 구조와 특성- Reverse biased PN
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    | 리포트 | 3페이지 | 1,000원 | 등록일 2007.03.10
  • Effect of Alkaline Earth Metal Oxides addition on the Low-voltage Characteristics of MgO Films as a Protective layer for AC PDPs (PDP 보호막용 MgO 박막의 저전압 특성에 미치는 알카리토금속산화물 첨가 효과)
    한국재료학회 Jo, Jin-Hui, Kim, Rak-Hwan, Kim, Jeong-Yeol, Lee, Yu-Gi, Kim, Hui-Jae, Park, Jong-Wan
    Non-Ai HUMAN
    | 논문 | 5페이지 | 4,000원 | 등록일 2016.04.02 | 수정일 2023.04.05
  • 4.제너다이오드특성전압조절기실험
    4. 제너다이오드 특성전압조절기 실험실 험 일 자지도교수실 험 자소 속학 번성 명실 험 목 적제너 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스 특성을 고찰하며 제너 정전압작용 ... ]1 [EA]실 험 방 법4.5.1 제너 다이오드의 전류-전압 특성(1) 그림의 회로를 결선한다..(2) 전압원의 출력 전압를 0[V]로 조정한 후 전류계의 값을 구하고 그때의 저항 ... 을 이용한 전압 조정기로 응용해본다.실 험 기 기및부 품디지털 멀티미터파워 서플라이브레드보드제너 다이오드 7[V]저항 470 [저항 2.2 [1 대1 대1 [EA]1 [EA]1 [EA
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    | 리포트 | 4페이지 | 2,000원 | 등록일 2012.04.28
  • 1.MOSFET 전압-전류 특성
    실험 1. MOSFET 전압-전류 특성1. 목 적금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터 (Metal Oxide Semiconductor Field Effect ... 다.전기적 특성으로서, 게이트단자와 소스단자 사이에 양의전압을 걸어주면 드레인과 소스 사이에 채널이 형성되면서 이 채널을 통하여 드레인 전류가 흐르는데, 이때 드레인 전류의 그기 ... Transistor : MOSFET)의 드레인 전류에 대한 드레인-소스 전압의 효과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 시뮬레이션과 실험을 통하
    Non-Ai HUMAN
    | 리포트 | 5페이지 | 1,000원 | 등록일 2009.06.18
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