전자공학실험 9장 MOSFET 기본 특성 A+ 예비보고서

소개

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목차

1 실험 개요
2 실험 기자재 및 부품
3 배경 이론
4 실험 회로
5 예비 보고 사항

본문내용

1 실험 개요
-MOSFET은 전계 효과(field effect)를 이용하여 전류가 흐르는 소자이며, 전하를 공급하는 소스 단자, 전하를 받아들이는 드레인 단자, 전류의 양을 조절하는 게이트 단자, 기판의 역할을 하는 바디 단자로 구성되어 있다. 게이트 전압을 바꾸면 드레인에서 소스로 흐르는 전류가 바뀌면서 증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

2 실험 기자재 및 부품
-DC파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기, 2n7000(NMOS) (1개), 저항, 커패시터, FQP17P10(PMOS) (2개) (단, 모의실험은 FDC6322CP사용)

3 배경 이론
MOSFET에서 MOS는 'Metal Oxide Semiconductor'의 약자로서 구조를 나타내며, FET 는 Field Effect Transistor'의 약자로서 동작 원리를 나타낸다.
[그림 9-1(a)]와 같이 바디 body는 p형 기판, 소오스 source와 드레인 drain 영역은 n+로 도핑을 한 MOSFET 구조를 'NMOS'라고 한다. 마찬가지로 바디는 n형 기판, 소오스와 드레인은 p+로 도핑한 MOFSET 구조를 'PMOS' 라고 한다.

[그림 9-1(b)]는 NMOS의 단면도이다. 소오스와 드레인은 n형으로 도핑되어 있으므로 전자가 많이 존재한다. 전자가 소오스에서 드레인 영역으로 이동하기 위해서는 전자가 많은 n 영역이 필요하다. 이를 위해서 게이트에 충분히 큰 양의 전압을 인가하면 p형 기판의 일부가 n형으로 반전되고, 채널 영역 channel region이 형성된다. 소오스와 드레인 사이의 길이를 채널길이channel length라고 하며, 'L'로 표시한다. 소오스와 드레인의 폭을 채널 폭channel width이라고 하며, 'W'로 표시한다.

참고자료

· 없음