전자회로 보고서 - 전압분배회로

소개

전압분배회로 보고서입니다. isspice를 이용한 시물레이션 내용이 담겨있습니다.

목차

1.배경이론
2.시뮬레이션
3.고찰
4.결론

본문내용

1. 배경이론
1) 전압분배회로
전압분배회로는 바이어스회로의 일종으로 4개의 저항으로 구성된 바이어스 회로다. 가장 간단한 바이어스회로는 고정바이어스회로다. 하지만 이 회로는 열특성이 좋지 않다는 특징을 가지고 있다. 그래서 이미터와 접지 사이에 저항을 추가한 이미터 바이어스회로가 존재한다. 열특성이 개선되지만, 불완전하다. 베이스와 접지 사이에 하나를 더 추가하면 전압분배회로가 된다. 전압분배회로는 입력 전류를 저항을 조절해서 바꿀 수 있다는 특징이 있다. 또 회로의 매개변수 값들을 적절히 선택하면 컬렉터 전류와 컬렉터-이미터 양단전압이 베타 값에 무관하도록 할 수도 있다.입력 전류를 낮게 유지할 수 있기 때문에 가장 안정적인 회로가 된다.

해석을 하는 방법은 정밀 해석은 R1과 R3를 테브난 등가회로로 고치는 것이다. R1과 R3는 병렬연결이고 전압원이 V_CC, 즉 독립전압원 하나다. 그렇게 회로를 고치면 이미터 바이어스회로와 같은 모양이 되고, 똑같이 해석하면 된다. 회로는 다음과 같이 된다.

커패시터는 교류와 관련된 것으로 직류해석에서는 없는 것과 마찬가지이다.

2. 시뮬레이션
1-1) 2N4239 계산 값
R_1 = R_B*(V_CC/V_BB) = 10*10^3*(10/2.6) = 38.4kΩ
R_2 = R_B{1-(V_BB/V_CC)} = 10*10^3{1-(2.6/10)} = 13.5kΩ
R_E = V_EQ/I_CQ = 2.0/(3.8228*10^-3) = 523Ω
R_C = {(V_CC-V_CEQ)/I_CQ}-R_E = 5/(3.8228*10^-3)-523 = 785Ω

< 중 략 >

3.고찰
1) 3가지 NPN 트랜지스터로 전압분배회로를 구성하고 시뮬레이션을 했다. 처음에 몇 개의 변수들을 정해서 저항 값을 계산해서 구했다. 그 결과 처음 설정한 Q점에서의 컬렉터 전류, 컬렉터-이미터 전압, 베이스 전류의 값이 유사하지만 차이가 발생했다. 그래서 켈렉터 저항과 이미터 저항을 조절해서 조건을 맞추었다.

참고자료

· 없음