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10주차-실험9 결과 - MOSFET I-V 특성

꾸르
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최초 등록일
2020.10.02
최종 저작일
2016.03
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목차

1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰

본문내용

실험제목 : MOSFET I-V 특성

1. 실험 결과
실험 Ⅰ. MOSFET의 개략적인 I-V 측정
1) 오실로스코프의 화면의 출력 전류 를 의 함수로 그린다. 트라이오드 영역과 포화영역을 구분한다
=> x축 기준으로 약 2칸 정도 지점까지 트라이오드 영역이고, 그 이후로 거의 일직선이 되는 부분이 포화영역입니다.

2) 트라이오드 영역의 선형구간에서의 저항 값[실험 (7)항의 계산 값]과 실험8의 DVM으로 측정한 “ON”저항 값을 비교한다. 또한, 계산으로부터 얻은 , , 값과 =350/10, (6)항에서 측정한 값을 이용하여 구한 값과도 비교한다.
=> 의 측정값 입니다.
위의 그래프에서 대략 가로축과 세로축의 기울기로
인 것을 구하고,
실험 8 결과에서 측정한 =332.78 인 것을 구하였고,
실험 7 결과에서 구한 와 , =0.71 인 것을 이용하고,
문제에 주어진 것으로 인 것을 구하고, 실험에서 =2.8V로 측정한 것을 이용하여 을 구하면,
이 됩니다.

3) 실험적으로 얻은 <그림 9.8>의 I-V 곡선에서 값과 값을 비교한다.

참고 자료

없음
꾸르
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