전자회로실험(MOSFET I-V 특성 결과보고서)

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최초 등록일
2016.11.02
최종 저작일
2016.03
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전자회로실험 MOSFET I-V 특성 결과보고서입니다,

목차

1. 실험목적
2. 실험결과
3. 비고 및 고찰

본문내용

1. 실험목적
본 실험의 목적은 MOSFET의 여러 동작 범위에서의 특성을 측정하고자 한다.

2. 실험결과
-5. 실험 1 : 오실로스코프를 이용한 I-V 특성 측정
1) <그림 9.7>과 같이 회로를 구성한다. MOSFET의 게이트 - 소오스 전압은 드레인 전압을 -5V로 변화시킬 때 일정하게 유지된다. MOSFET의 소오스 단자에서의 옴의 법칙을적용하면 Ch2의 오실로스코프 상에서 측정한 전압과 = 100[Ω]․의 관계를 갖는다. 그러므로, 만약 Ch2의 측정 단위가 한 눈금 당 20mV로 되어 있다면 이 저항을 통해 흐르는 전류 는 한 눈금 당 200μA가 될 것이다.

2) 입력 전압 는 함수발생기의 주파수를 100Hz, 오프셋과 함수 크기를 0~ +5V의 삼각파가 되도록 조정한다.

3) 게이트의 전압 은 전압공급기의 접지를 접지시키지 말고 부유(Floating)시켜 DC전압을 공급하도록 한다. 게이트 전압은 문턱전압을 감안하여 2V보다 더 크도록가 되도록 한다. 부유시킨 전압공급기의 출력 전압은 MOSFET의 소오스를 기준점으로 삼게 된다.

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없음
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