실험18_다이오드 회로와 발광 다이오드 회로_결과레포트

최초 등록일
2020.04.15
최종 저작일
2014.10
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목차

1. 실험이론
2. 실험과정
3. 실험결과
4. 실험고찰
5. 참고문헌

본문내용

1. 실험이론

⑴ 다이오드란 전류를 한 방향으로 흐르게 하고, 역방향으로는 흐르지 못하게 하는 성질을 가진 반도체 소자이다. 보통 3가 원자를 도핑 하여 정공이 생성된 p형 반도체와 5가 원자를 도핑 하여 전자가 생긴 n형 반도체를 접하여 만들어 pn junction diode라고도 한다. 이 때 p형 반도체 쪽을 anode라 지칭하며 (+)전압을 인가하고, n형 반도체 쪽은 cathode라 지칭하여 (-)전압을 인가한다. 이 때 다이오드에 전류가 흐르기 때문에 순방향 바이어스(bias)가 인가되었다 표현한다.

⑵ 다이오드의 순방향 전압-전류 특성
다이오드에 순방향 바이어스(forward bias)를 인가하였다. 이 때 pn다이오드 양단에 걸린 전압이 0.7V 이하일 경우 다이오드에 전류가 흐르지 않는데, 이러한 현상을 순방향 전압(forward voltage) 강하현상이라 한다.

참고 자료

대한전자공학회 편, 「전자전자기초실험」 파주 : 청문각, 2013.
William H. Hayt 외 2인, 「Hayt의 회로이론」 홍순찬 외 2인 공역, 서울 : 한국 맥그로힐, 2013.

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