MOSFET Characterisitics 10주차 예비보고서

최초 등록일
2020.04.04
최종 저작일
2018.06
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"MOSFET Characterisitics 10주차 예비보고서"에 대한 내용입니다.

목차

I. 서론
A. 실험 목적
B. 실험 이론
C. 예상 실험 순서

II. 예비 보고서
1. pn 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로
2. 제너 다이오드를 이용한 전압 레귤레이터 회로

본문내용

A. 실험 목적
이번 실험에서는 MOSFET의 동작 원리를 이해하고, 전류-전압의 특성 및 small-signal model을 학습한다..

B. 실험 이론
MOSFET은 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor의 약자로 구조와 동작 원리를 나타낸다. P형 기판 위에 n+dopping 영역을 만들어 source와 drain으로 사용한 구조를 NMOS, n형 기판 위에 p+dopping 영역을 만들어 source와 drain으로 사용한 구조를 PMOS라 한다.

C. 예상 실험 순서
3.3.1 NMOS characteristics
1) 위의 회로를 2N7000을 이용해 구성한다.
2) R2는 100Ω, V1은 2.5V의 DC신호, V2에 12V를 인가한다. 이 때 R2에 흐르는 전류가 0.07A가 넘지 않도록 유의한다.
3) V2를 변화시키며 Vo, V1을 측정한다.
4) 3)의 결과를 이용해 VGS=2.5V일 때의 IO,VDS의 그래프를 그린다.
5) V_GS=2.5V,1.5V,2V일 때의 IO,VDS의 그래프를 그린다.
6) V2=12V로 고정하고, V1을 변화시키면서 IO,VDS,Vo의 값을 측정한다.

참고 자료

없음

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