일반 물리학 실험 다이오드

소개

이 실험은 다이오드에 관하여 알아보고 그 특성이 무엇인지에 대하여 알아보는 데에 목적이 있다.

목차

1. 실험목적 및 배경이론
2. 실험내용
3. 질문&답변

본문내용

1. 실험목적 및 배경이론
이 실험은 다이오드에 관하여 알아보고 그 특성이 무엇인지에 대하여 알아보는 데에 목적이 있다.
이 실험의 배경이론으로는 다음과 같다.

1) p형 반도체
순도가 높은 4가의 Ge(게르마늄)이나 Si(실리콘)의 결정에 3가의 In(인듐)이나 Ga(갈륨)을 극미량 넣으면 8개의 전자가 서로 공유 결합하여야 되는데 하나가 부족한 곳이 생긴다. 이와 같은 곳을 정공(hole)이라고 한다. 이때 이 홀을 이웃한 전자들이 자꾸 메움으로써 회로에 전류가 흐른다. 홀은 음(-)전하를 띤 전자가 하나 모자란 상태이므로 양(+)전하로 볼 수 있다. 이 홀이 전하의 운반체 역할을 하는 반도체를 P형 반도체라고 한다.

2) n형 반도체
4가의 Ge(게르마늄)이나 Si(실리콘) 등의 원자에 5가의 As(비소)나 Sb(안티몬)을 극히 소량을 섞으면 다음 그림과 같이 5개의 외각 전자 중 4개는 Ge, Si의 가전자와 공유 결합을 하고 남은 전자 1개는 자유 전자가 된다. 이 자유 전자가 결정 안을 자유롭게 돌아다니면서 전하의 운반체 역할을 한다.

참고자료

· 없음