전자회로실험 예비 - 9. MOSFET 기본 특성 II

목차

1. 실험 목적
2. 예비 실험 (Pspice-simulation)
3. 실험 순서

본문내용

본 실험의 목적은 MOSFET의 소오스-드레인 채널의 저항적 특성을 측정하는 것이다. 이 실험을 마친 후에는 다음을 이해할 수 있다. MOSFTET의 채널은 소오스-드레인의 작은 전압 에 대해 작은 전류 가 흐르는 저항으로 이해된다.게이트의 전압을 증가시켜 문턱전압 이상이 되면 채널의 "on"저항 이 감소한다.CD4007에 내장된 n-, p-채널 MOSFET의 문턱전압과 전하 이동도를 결정할 수 있다.실험으로 얻은 데이터와 추출된 변수들을 통해 기대할 수 있는 이론값들을 서로 비교하게 된다.

<중 략>

함수발생기를 의 원천으로 사용하는 경우: 함수발생기(AFG3021B)로부터 DC output이 나오도록 조절해야 하지만 본 실험실의 장비는 DC를 공급할 수 없어 주파수를 조절하여 최소값이 되도록 한다. 또한 외부로 나가는 임피던스가 높도록 하기 위해 주파수 발생기에서 ‘Top Menu' -> 화면의 '출력메뉴' -> 화면의 '로드임피던스' -> 화면의 '높은 임피던스'로 선택한다. 높은 임피던스로 설정하면 실제 출력 값을 전압을 화면상에 읽게 된다. 오른쪽 다이얼을 변화시키면 전압을 조절할 수 있게 된다. 또한 DC 공급을 위해 다음의 과정을 거쳐 설정한다.화면 오른쪽 각종 함수 선택 메뉴 중 가장 하단의 '기타메뉴' 선택 -> 'DC' 선택, 그 후 '오프셋' 선택을 한 후 다이얼 또는 입력키를 사용하여 DC 전압을 조절한다. DC 전압은 + 값이어야 한다.

<중 략>

P-채널 MOSFET에 대해 <그림 8.4>와 같이 회로를 구성한다. PMOS의 게이트에는 음의 전압이 인가되기 때문에 회로에 연결된 전압공급기9또는 함수발생기)와 DMM의 구성과 극성을 다시 확인하시오.NMOS와 마찬가지 방법으로 -5V 전압에서부터 실험을 개시한다. 그 후 전압을 증가 (예를 들어 -4.5V) 시키면서 저항 값이 2배로 증가하는 전압을 기록한다.

참고자료

· 없음