9.공통 이미터 회로에서의 전류이득

소개

밑고 맡길수있는자료!

목차

<실험 목적>
<기초이론>
<실험과정>

본문내용

<실험 목적>
1. IB의 변화가 IC에 미치는 효과를 측정한다.
2. 베타(β)를 결정한다.

<기초이론>
트랜지스터 회로 구성



(a) 공통 이미터회로
(b) 공통 베이스회로
(c) 공통 컬렉터회로


3요소 트랜지스터는 서로 다른 3가지의 회로 중 하나로 회로가 구성될 수 있다. 이들은 (1)공통 이미터 또는 이미터 접지 (2)공통 베이스 또는 베이스 접지 (3)공통 컬렉터 또는 컬렉터 접지로 부른다. 그림 (a), (b), (c)에 각각 그 회로들을 나타내었다. 이들 회로의 각각은 앞으로 많이 사용하게 되며, 독특한 특성을 가지고 있다. 이미터 접지회로가 가장 자주 사용되는데 이미터 접지회로가 전압, 전류 그리고 전력이득을 모두 만들어내기 때문이다. 각 회로에서 신호전압은 입력에 걸리고 처리된 신호는 출력으로부터 나온다. 공통 이미터회로의 경우에 입력신호는 베이스와 이미터 사이에 걸리고 출력신호는 컬렉터와 이미터 사이에서 나온다. 공통 이미터란 이름은 이미터가 입력회로와 출력회로에 공통이라는 사실에서 유래한다. 공통 컬렉터 회로에서 컬렉터는 컬렉터회로를 역방향 바이어스하기 위해 어떤 dc전위값 Vcc가 필요하다. Vcc가 내부저항이 없는 이상적인 축전지라고 가정하면 컬렉터회로의 임피던스는 0이다. 신호전압이 0이면 컬렉터에 신호전압이 나타나지 않는다. 컬렉터는 이제 입력과 출력신호에 대하여 공통 기준전위로써 작용한다. 컬렉터가 입력과 출력 양쪽에 대하여 공통이기 때문에 이 회로는 공통 컬렉터 또는 컬렉터접지라고 불리운다.
주의 : 위 그림은 NPN 트랜지스터가 3가지 회로구성으로 연결된 것을 보여준다. PNP 트랜지스터는 축전지 극성을 달리하여 비슷한 방법으로 연결된다.

참고자료

· 없음