실험 9. CE 회로의 특성 실험

소개글

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목차

1. 목적
2. 사용기기 및 부품
3. 관련 이론
4. 실험 순서
5. 검토사항
6. 기초확인문제
7. 결과 및 토의

본문내용

[목적]
• CE 회로의 IB 와 Ic 사이의 관계를 이해할 수 있다.
• 측정된 데이터를 이용해서 ß(dc)를 계산할 수 있다.
• BJT의 특성 곡선을 구할 수 있다.
• β(dc) 와 α(dc)의 관계식을 이해하고 유도할 수 있다.
[사용기기 및 부품]
(1) 직류전원장치 (power supply unit) 1대
(2) VOM, DMM1대
(3) 브레드보드
(4) 2채널 오실로스코프 1대
(5) 함수 발생기 1대
(6) 1/2W : 100Ω, 1kΩ, 5.6kΩ , 10kΩ, 100KΩ
(7) 점퍼선
(8) 트랜지스터: 2N3904, 2N3906
[관련 이론]
• 공통 이미터 회로
공통 이미터 회로에서는 트랜지스터의 이미터 단자가 입력과 출력에서 공통 단자로 사용된 다. 이런 회로 구조에서는 베이스가 입력 단자역할을 하고 컬렉터가 출력 단자역할을 수행한다.
그림 9-1에는 기본적인 공통 이미터 회로와 입출력 전압과 전류 파형, 특성곡선, 일반적인 특성 표가 표시되어 있다. 직류 베이스 바이어스 전압은 트랜지스터의 베이스를 통해서 흐르는 베이 스 전류 IB를 결정하게 된다. 이런 IB는 다시 트랜지스터의 컬렉터와 저항 Rc를 통해서 흐르는 컬 렉터 전류 Ic를 결정하게 된다.
아주 적은 베이스 전류 IB에 비해서 트랜지스터의 컬렉터 전류 Ic는 대단히 크기 때문에 회로가 전류를 증가 시켰다고 말하는데 이것을 회로가 갖는 전류 이득 베타(β)라고 부른다. 트랜지스터의 직류 전류 이득 Ba는 공통 이미터 트랜지스터의 직류 전류 이득을 나타내는데 자신의 출력 전류 Ic와 자신의 입력 전류 IB의 비(ratio)이다.
β dc = Ic/IB (9-1)

참고 자료

없음