공통에미터증폭기

소개

공통에미터증폭기
에이쁠 보고서입니다.

목차

1. 실험 이론
2. 실험 순서 및 방법
3. 실험 결과
4. 결과 분석 및 고찰
5. 결론
6. 참고문헌

본문내용

전압 분배 바이어스 회로의 주된 이점은 에미터 전류를 고정하기 위하여 단지 하나의 바이어스 전원을 사용한다는 점이므로 에미터 바이어스 회로와 마찬가지로 의 영향은 작으며 저항 양단에서 전압 강하는 단지 하나의 전원만 사용하므로 작게 된다. 베이스 바이어스 회로에 비하여 전압 분배 바이어스는 , 저항에 의해 입력 임피던스가 낮아지는 결과를 초래하지만 회로의 안정을 가져오며 그렇게 하기 위하여 베이스 바이어스 저항 보다 , 의 저항 값은 훨씬 작아야 한다. 공통 에미터 증폭기의 경우에는 증폭도는 매우 크지만 miller effect 때문에 고주파수 동작이 좋지 않다. 위의 회로는 이미터 접지 교류 증폭기로 사용된 NPN 트랜지스터의 회로를 나타낸다. R1과 R2는 베이스-이미터 회로를 순방향 바이어스 시키기 위해서 사용된다. 또한 은 정현파 전압원을 접속하면, 반 사이클의 기간은 콜렉터 전류가 흐르지 않지만, 다른 반 사이클의 기간은 전류가 흐르게 되는 역할을 하기 위한 것이다. 는 컬렉터 전류를 공급함과 동시에 또 R1과 R2로 구성되는 베이스 바이어스 분압기에 대한 전압원으로 작용한다. 입력 신호 은 에 의해 베이스에 결합된다. 출력 신호 은 를 통해 컬렉터로부터 얻어진다.
아래 그림의 전류 파형은 이와 같은 상태를 나타낸다.

<베이스 전압의 파형> <베이스전류의 파형> <콜렉터 전류의 파형>
만약 증폭기가 트랜지스터 특성의 선형 영역에서 동작한다면, 베이스 회로 전류의 이러한 정현파적 변화는 베이스 전류와 동상이며 정현파적으로 변하는 컬렉터 전류를 발생시킨다.
베이스 전류가 증가함에 따라, 을 통해 흐르는 전류도 증가하며, 양단의 전압 강하도 커진다. 부하 저항 에 걸리는 전압 강하의 증가는 를 감소시킨다. 즉의 수식을 따른다. 여기서 은 부하 저항 양단의 전압 강하이며,
의 식을 따른다.

참고자료

· 없음