금속 박막증착

목차

1. 금속 박막의 증착장비 종류 및 특성
2. DC 스퍼터의 원리 및 특성
3. 금속박막의 두께를 측정하는 방법
4. 금속 박막의 Uniformity 측정의 기준 및 방법, 장점
5. Si 반도체 공정에서 금속박막시 주로 sputtering 법으로 사용하는데 비하여 LED와 같은 광 반도체 소자의 제조시의 evaporator를 사용하여 금속 박막을 증착하는 이유

본문내용

1. 금속 박막의 증착장비 종류 및 특성
- 금속박막 증착에는 일반적으로 물리 기상 증착(PVD)을 많이 사용한다.실험장비는 DC 스퍼터, RF 스퍼터, 마그네트론 스퍼터, E-beam evaporator 등이 있다.화학 기상 증착(CVD) 에서도 일부가 금속 박막 증착에 사용하는데 실험장비는 MOCVD,PECVD 등이 있다.

- 물리 기상 증착(PVD) : 원하는 박막 물질의 기판이나 덩어리에 에너지를 가하여 운동에너지를가지는 해당 물질이 물리적으로 분리되어 다른 기판에 쌓이게 하여박막층이 만들어지게 하는 방법크게 스퍼터링(Sputtering)과 증발법(evaporation)으로 나뉜다.

- 화학 기상 증착(CVD) : 외부와 차단된 반응실 안에 Substate(기판)를 넣고 Gas를 공급하여열, 플라즈마, 빛(UV 또는 LASER), 또는 임의의 에너지에 의하여열분해를 일으켜 기판의 성질을 변화시키지 않고 Solid Deposition를이루는 합성 공정을 말한다

1) 스퍼터링(Sputtering)
: 주로 Ar과 같은 불활성 기체를 박막증착용 챔버에 투입하고 기판을 장착한 부분의반대쪽에 증착물질을 target으로 둔다.target부에 음전하를 인가하면 기판부와 타겟부 사이에서 플라즈마가 발생하고 플라즈마내의 Ar 양이온이 target으로 가속되어 target원자를 떼어내게 되어 반대쪽의 기판으로 날아가서 박막을 형성하는 방법이다.

<중 략>

※ DC 스퍼터의 작동원리
① 전도체 기판은 접지를 시키고 증착하고자 하는 물질, 즉 target에는 음의 직류를 전압을인가하며 플라즈마를 발생시키기 위해 Ar을 투입한다.
② target에 음전압이 인가되면 target에서 전자가 튀어나와 가속되어 Ar 가스와 충돌하게 되고 충돌된 Ar가스 중 일부는 이온화 된다.

참고자료

· 없음