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반도체 정리3

*용*
최초 등록일
2000.08.27
최종 저작일
2000.08
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목차

Ⅲ 트랜지스터
1. 트랜지스터의 구조와 동작
2. 트랜지스터의 종류

본문내용

1. 트랜지스터의 구조와 동작
1) 트랜지스터의 내부
트랜지스터를 분해하면 그림과 같이 작은 반도체 조각에서 3개의 전극선이 나와있다. 다시, 이 반도체의 내부를 모형으로 보면 그림 (b)와 같이 p형과 n형의 접합이 3층 구조로 되어있고 그림 (c)와 같이 나타낸다. 이때, 두 반도체 사이에 넣은 다른 반도체층은 극히 얇다. p-n-p 트랜지스터는 조금 더 쉬운 제조 때문에 원래 더 많이 널리 보급되어 있었다. 그러나 n-p-n 트랜지스터는 전자들의 그 이동도가 정공들의 이동도보다 3배 높기 때문에 고주파들 그리고 빠른 전환 비율들에서 작동을 위해 n-p-n형 트랜지스터를 점점 더 선호하고 있다.
2) 내부에서 전자의 움직임
그림 1 트랜지스터에서 전자의 움직임① 그림 (a)와 같이 C-B간에 역전압이 가해져 있는 것만으로는 전류가 흐르지 않는다. 이때에는 다이오드에 역전압이 가해져 있느 것과 같기 때문에 내부의 전자나 정공의 이동은 이동하지 않고 전류도 흐르지 않는다. 단, C-B 접합면 가까이에는 전기장이 있다.

참고 자료

없음

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