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반도체 정리2

*용*
최초 등록일
2000.08.27
최종 저작일
2000.08
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목차

Ⅱ 다이오드
1. 다이오드
2. pn접합과 정류 작용

본문내용

1. 다이오드
다이오드에 전압을 가했을 때, 전류가 흐르기 쉬운 방햐을 순방향, 흐르기 어려운 방향을 역방향이라 한다.
그림 1 다이오드의 내부 구조pn접합형과 점접촉형으로 나뉜다.



왼쪽 그림의 (a), (c)의 구조가 접합형이며, (b), (d)의 구조를 가진 것을 점접촉형이라 한다.
그림 2 점접촉형의 접촉 부분점접촉형은 접합형과 전적으로 다른 구조를 가지고 있으나 제조 후의 단계에 있어서는 금속침과 반도체편이 접해 있는 부분에 pn접합과 같은 성질을 나타내는 작은 영역이 생긴다.

2. pn접합과 정류 작용
pn접합의 본질적 전기적 특성이 정류 작용이다.
그림 3 전압을 가하지 않았을 때1) 전압을 가하지 않았을 때 n형 내의 전자는 자유로이 움직일 수 있고 p형 내의 정공은 전자를 흡수하는 성질이 있어 p형과n형의 접합면 가까이에서 정공과 전자의 이동이 일어난다. 그 결과 n형 내에서는 전자가 부족하고 p형 내에서는 전자가 과잉되므로 접합면 가까이의 n형 쪽에 양전하, p형 쪽에 음전하가 축적되어 있는 상태가 된다. 그러므로 전기장이 화살표 방향으로 발생하며, 그림 (b)와 같은 전위 장벽이 형성된다.

참고 자료

없음
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