[전자공학]트랜지스터의 원리 및 특성,종류

*병*

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트랜지스터(Transistors)의 원리 및 특성,종류
쌍극성 트랜지스터
BJT의 동작원리
BJT의 전압-전류특성
BJT 기본 증폭기
BJT 바이어스 회로
BJT 실제특성
전계효과 트랜지스터 에 대하여 상세히 설명 되어 있습니다.

본문내용

트랜지스터의 개발

1947년 Willam Shockley등이 트랜지스터 발명하면서 전자공학은 진공관 시대로부터 실리콘 웨이퍼를 사용한 고밀도 집적회로로 전환된다

쌍극성(Bipolar) 트랜지스터

세 개의 반도체를 연속 접속하여 두 개의 PN 접합을 갖는 구조
PNP형/NPN형
단극성 트랜지스터-하나의 PN접합을 이용, 전계효과 트랜지스터(FET)
Bipolar Junction Transistor세 개의 반도체를 연속 접합 시킨 구조의 트랜지스터
각 반도체에 연결된 단자의 명칭: 이미터(emitter), 컬렉터(collector), 베이스(base)
NPN형 트랜지스터
PNP형 트랜지스터

트랜지스터의 활성

트랜지스터에 적절한 바이어스를 가하면 전류가 흐르기 시작한다
트랜지스터에는 두 개의 PN접합이 있으므로 두 개의 바이어스가 필요하다
NPN 트랜지스터의 경우 small VEB에 의해 컬렉터와 이미터 사이의 전위장벽이 제거되고 large VCE 가 흐르게 된다

트랜지스터의 증폭
베이스 전류의 작은 변화는 컬렉터 전류의 매우 큰 변화로 나타나며 이를 증폭이라고 한다.

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