반도체 정리1
- 최초 등록일
- 2000.08.27
- 최종 저작일
- 2000.08
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목차
Ⅰ 고체 내의 전자 운동
1. 에너지대 이론에서 본 도체, 반도체, 절연체
2. 반도체
3. 반도체의 여러 가지 성질
본문내용
1. 에너지대 이론에서 본 도체, 반도체, 절연체
▪ 허용대(allowable band) : 에너지대 구조 중에서 전자
가 존재할 수 있는 에너지대
▪ 금지대(forbidden band) : 전자가 존재할 수 없는 에너
지대
▪ 충만대(filled band, valence band) : 허용대라 하더라도
들어갈 수 있는 전자의 수가 전부 들어가서 전자가
이동할 여지가 없는 허용대를 충만대라 함.
그림 2 도체의 에너지대 구조▪ 공핍대(exhaustion band, empty band) : 어떤 에너지를 가해주면 전자가 들어
갈 수 있는 허용대라 하더라도 보통
의 상태에서는 전자가 존재하지 않는
허용대를 공핍대 또는 공대라 함
1) 도체
그림 3 도체, 반도체, 절연체의 에너지대 구조 충만대에 공핍대가 접해 있어 공핍대에서는 충만대로부터 전도 전자가 옮겨져서 전도대를 형성하기 때문에 전기 전도가 매우 좋다.
2) 반도체
보통때는 공핍대에 전자가 없으며, 상위의 충만대와 공핍대의 사이에 금지대의 폭이 좁아 충만대의 일부 전자는 열이나 빛 등의 적은 에너지(1 [eV])에서도 비교적 용이하게 금지대를 넘어서 공핍대로 올라갈 수 있다.
이 결과 넘어 올라간 전자는 전도 전자가 되어서 도전성을 가지게 되나, 그 전도 전자의 수가 적으므로 매우 고저항의 것이 된다. 또, 이 때에 그 충만대에는 전자의 빠진 구멍(hole)이 생긴다.
참고 자료
없음