반도체 다이오드 특성 실험

최초 등록일
2017.11.13
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2017.10
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소개글

반도체 다이오드 특성실험 (실리콘, 게르마늄)
추가실험 있음

목차

1. 서론
1) 실험 목적
2) 실험 관련 이론
3) 필요 부품 및 기기

2. 본론
1) 실험 과정
2) 실험 결과

3. 결론
1) 실험 결론
2) 고찰
3) 참고 문헌

본문내용

1.1. 실험 목적
이 실험의 목적은 대표적인 게르마늄(Germanium)과 실리콘(Silicon) 다이오드의 특성에 대해 알아보는 것에 있다. 다이오드의 정류작용을 알아보고 그에 따른 순방향과 역방향의 회로 설계 후 전압의 세기에 따른 전류의 크기를 측정하여 그래프로 나타낸다.

1.2. 실험 관련 이론
1.2.1. 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체를 접합하여 만든 것으로 p-n 접합이라고도 한다. 한쪽 방향으로는 쉽게 전자를 통과시키지만 다른 방향으로는 통과시키지 않는 특성, 즉 정류 작용을 가지고 한다. 다이오드의 용도는 전원 장치에서 교류 전류를 직류 전류로 바꾸는 정류기, 라디오의 고주파에서 신호를 꺼내는 검파, 전류의 on/off를 제어하는 스위치 작용 등 매우 광범위하게 사용되고 있다.

참고 자료

없음

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